Унч своими руками на полевых транзисторах: Усилители мощности на полевых транзисторах

Содержание

Схемы усилителей мощности на транзисторах, самодельные УНЧ и УМЗЧ

Радиоэлектроника, схемы, статьи и программы для радиолюбителей.

  • Схемы
    • Аудио аппаратура
      • Схемы транзисторных УНЧ
      • Схемы интегральных УНЧ
      • Схемы ламповых УНЧ
      • Предусилители
      • Регуляторы тембра и эквалайзеры
      • Коммутация и индикация
      • Эффекты и приставки
      • Акустические системы
    • Спецтехника
      • Радиомикрофоны и жучки
      • Обработка голоса
      • Защита информации
    • Связь и телефония
      • Радиоприёмники
      • Радиопередатчики
      • Радиостанции и трансиверы
      • Аппаратура радиоуправления
      • Антенны
      • Телефония
    • Источники питания
      • Блоки питания и ЗУ
      • Стабилизаторы и преобразователи
      • Защита и бесперебойное питание
    • Автоматика
      • На микроконтроллерах
      • Управление и контроль
      • Схемы роботов
    • Для начинающих
      • Эксперименты
      • Простые схемки
    • Фабричная техника
      • Усилители мощности
      • Предварительные усилители
      • Музыкальные центры
      • Акустические системы
      • Пусковые и зарядные устройства
      • Измерительные приборы
      • Компьютеры и периферия
      • Аппаратура для связи
    • Измерение и индикация
    • Бытовая электроника
    • Автомобилисту
    • Охранные устройства
    • Компьютерная техника
    • Медицинская техника
    • Металлоискатели
    • Оборудование для сварки
    • Узлы радиаппаратуры
    • Разные схемы
  • Статьи
    • Справочная информация
    • Аудиотехника
    • Для начинающих
    • Микроконтроллеры
    • Автоматика и управление
    • Радиолюбительские рассчеты
    • Ремонт и модернизация
    • Связь
    • Электроника в быту
    • Альтернативная энергия
    • Полезные советы и знания
    • История радио, факты и личности
    • Радиоюмор
  • Программы
  • Полезности
    • Сайты
    • Словарь
    • Вопросы и ответы по сайту
    • Карта сайта
  • Форум

Усилитель мощности 1кВт — 100% рабочие схемы

Усилитель мощности 1кВт на MOSFET от 125 до 1000 Вт

Усилитель мощности 1кВт — здесь представлены гарантированно рабочие схемы усилителей 1000, 500, 250, 125 Вт, концевой каскад которых реализован на полевиках MOSFET. В этой статье будем рассматривать аппараты начиная с самой большей мощностью — 1000 Вт, который предназначен в основном для профессионального использования, то есть озвучивания больших мероприятий, например: свадеб, различных семейный торжеств, концертных мероприятий,студиях звукозаписи и т.д. Для дома он конечно не подойдет.

Здесь можно скачать архив с печатками в формате .lay на выходную мощность 1000, 500, 400, 250, 125 Вт.

Скачать: printed circuit boards.zip

Раньше тоже были публикации на различных сайтах, где описывался усилитель мощности 1кВт, да и возможно и сейчас такие есть, но в основном с очень простой схемой реализованный на микросхеме. Такой вариант построения УМЗЧ на мой взгляд имеет серьезные недостатки, которые сводят на нет все положительные стороны усилителя. Одним из таких недостатков является сама интегральная схема, которая не отличается высоким уровнем характеристик. Второй аспект — использованный там операционный усилитель APEX PA03 стоит очень приличных денег, к тому же находится в дефиците и большинству радиолюбителей он просто будет недоступен. Поскольку для тех кто собирается повторить схему своими руками в домашних условиях, принципиально важно дешевизна и вместе с тем качественные и доступные электронные компоненты.

Исходя из этого я предлагаю любителям высококачественного и мощного звука четыре схемы усилителей собранных с применением полевых транзисторов MOSFET. Все комплектующие в представленных мощниках доступны в свободной продаже и достаточно популярны в радиоэлектронике. Поэтому сборка таких аппаратов будет вам вполне по карману, ну может быть немного дороговато обойдется трансформатор на 1 кВт если покупать готовый или делать на заказ, но если у вас есть в наличии хотя бы старое железо (сердечник) и эмаль-провод, то и он ничего не будет стоить для вас, намотайте самостоятельно — делов-то!

Показанные здесь схемы являются усовершенствованным вариантом типичной схемы, а именно усилитель мощности 1кВт реализованный на полевиках.

Общее описание усилителя мощности

Как было написано выше, сегодня мы публикуем четыре схемы, которые являются классическими двухтактными усилителями с выходным трактом собранным на MOSFET. Использование мощных полевиков в оконечном тракте считается существенным аргументом. Обладая колоссальной мощностью на выходе, аппарат наглядно демонстрирует великолепные значения с низким уровнем коэффициента искажений. Правильно изготовленные УМЗЧ имеют КНИ не более 0,24% при мощности на выходе 1 кВт. А вот при 250 Вт на выходе будет вообще 0,007%. Это великолепно! Сама структура усилителя фактически остается одной и тоже, меняется только колличество ключей в выходном тракте. Вместе с тем для использования мощных полевых транзисторов необходимо высокое питающее их напряжение. В частности усилитель мощности 1кВт требует для себя двуполярный блок питания с выходными напряжениями 95v, 70v, 50v.

Усилитель мощности на MOSFET 1 кВт

Пора уже приступать к непосредственному изучению схемы усилителя в порядке от большой мощности к меньшей. Вариант усилителя с выходной мощностью 1000 Вт, как я писал выше не для домашнего использования, а например: для туровых поездок или сценической инсталляции в концертных залах. Данный аппарат рассчитан на работу с акустикой 4 Ом при питающем напряжении +/- 100v, больше подавать нельзя.

Наверное как и у каждой технике, так и в этом аппарате есть свой «минус» связанный как раз с питанием. Для того, чтобы получить выходную мощность 1 кВт необходим трансформатор по крайней мере в пределах 1300 Вт. Вот именно он является самым дорогостоящим элементом во всей конструкции. Есть конечно вариант применения импульсного источника питания, но и с таким трансформатором есть свои специфические заморочки, ну это уже совсем другая история. Так, что смотрите сами, что вам удобнее применить трансформаторный блок питания или импульсного построения.

Здесь показана схема усилителя на 1000 Вт в первоначальном варианте:

Здесь усовершенствованная схема усилителя:

Даже при беглом взгляде на данную принципиальную схему можно увидеть различия входного и выходного тракта. К тому же, как показывает тестирование, из модернизированного варианта можно изъять выпрямительный диод 1N4007. Но эту необходимость следует как следует еще раз проверить в опытном порядке.

В оконечных каскадах усилитель мощности 1кВт имеет мощные ключи MOSFET IRFP240.

Параметры этих силовых ключей впечатляют. Вот посмотрите на их характеристики, хотя эти значения могут существенно изменятся в зависимости от температуры, в связи с этим полевики необходимо устанавливать на радиаторы охлаждения с достаточной площадью рассеивания тепла и дополнительно поставить систему принудительного охлаждения в виде вентилятора.

Присутствует несколько вариантов исполнения печатных плат усилителя, например: одна из них имеет форму прямоугольника в общем стандартная форма, а другая с формой квадрата, у которой входной каскад находится по центру платы. Так что используйте печатку, которая наиболее соответствует вашей конструкции корпуса.

Рисунок печатной платы и места установки электронных компонентов на ней можно скачать по этой ссылке — размер 300х75 мм.

Скачать: 1000Watt.zip

На этом фото показана печатная плата почти законченного усилителя мощности:

Собранный усилитель мощности на 1кВт с радиатором:

На этой фотографии собранный усилитель с использованием выше показанного рисунка печатной платы:

Здесь уже готовый образец на этапе тестирования:

На этом рисунке изображен еще один альтернативный вариант:

По этой ссылке находится файл этой печатки в формате PDF:

Скачать: 1000.zip

Усилитель рассчитанный на 500 Вт

Здесь просто нужно сократить количество полевиков в оконечном тракте, то есть установить всего двенадцать штук по шесть в каждое плечо, ну и естественно нужно снизить мощностные характеристики. Напряжение питания оставляем тоже, что и усилителе 1000 Вт, то есть 95v по плюсу и 95v по минусу, так как выходная мощность аппарата все еще остается достаточно большой, а коэффициент нелинейных искажений снизится до 0,17%.

Данная схема тоже является не такой однозначной. Если как и в предыдущей схеме использовать полевики IRFP240, то на выходе получите 500 Вт.

Транзистор MOSFET IRFP260

Вместе с тем, если вместо ключей IRFP240 применить IRFP260 то без проблем можно и на данной схеме мощника получить те же 1000 Вт.

На этой принципиальной схеме показаны именно MOSFET IRFP260.

Также необходимо предусмотреть конденсатор 220pF выполняющего роль шунта в цепи коллектор-база транзистора MJE15035 и попробовать исключить из схемы диод 1N4007. В первоначальном варианте схемы усилитель расcчитан на работу с нагрузкой 8 Ом, но как показали испытания многими радиолюбителями собравшими этот аппарат, он прекрасно работает и на нагрузке 4 Ом.

Здесь показана печатная плата для этого УМЗЧ:

Скачать плату в формате .PDF 500.zip

В результате должно быть примерно такое:

Усилитель на 250 Вт

250 Вт выходной мощности уже не очень бьет по ушам и возможно для домашнего пользования многие отдадут предпочтения именно этому образцу.

В этом экземпляре использованы восемь ключей IRFP240. Напряжение питания установлено 70v. Рекомендуемая нагрузка 8 Ом. Отличный показывает уровень коэффициента нелинейных искажений в пределах 0,11% при рабочей мощности на выходе 250 Вт. Очень широкий диапазон частот. На этой схеме также нужно попробовать экспериментировать с диодом. Печатная плата для усилителя 250 Вт имеет вот такой вид:

Здесь ее можно скачать в формате .PDF Скачать

По завершению монтажа получается вот такая конструкция:

На этом фото показана печатная плата с теплоотводами предназначенными для транзисторов пред-выходного тракта:

Усилитель мощности 125 Вт

В этом варианте используются только четыре полевых ключа IRFP260. Естественно можно применять транзисторы и IRFP240. Тем более в первоначальной схеме эти полевики и были использованы. Поэтому при возникновении каких либо проблем в работе усилителя на IRFP260, замените их на IRFP240. Эффективной нагрузкой для этого УМЗЧ является динамик 8 Ом. Напряжение питания для данного аппарата делаем в пределах 50v, для домашнего пользования такой мощности вполне хватает, к тому же качество звучания становится еще выше, а именно значение КНИ будет в районе 0,1%.

Принципиальная схема усилителя мощности на 125 Вт:

Эта печатная плата является аналогом предыдущей, только в ней убраны четыре ключа из выходного каскада.

Ниже показана принципиальная схем базового варианта усилителя на полевых транзисторах IRFP240, о чем говорилось выше:

Обращаю ваше внимание на то, что в этой схеме был заменен биполярный транзистор на полевик IRF510, а также есть некоторые отличия в номиналах электронных элементов.

А это вот печатка для этой схемы:

Это усилитель мощности отличается высокой надежностью в работе и простотой в обслуживании, способен работать даже в экстремальных условиях эксплуатации без снижения качества звучания.

И наконец подведем итоги:

Следовательно у нас имеется четыре классные схемы одной и той же модели усилителя выполненного на мощных полевых транзисторах. В их конструктивных решениях принципиальных различий нет, а вот по выходной мощности и, что особенно немаловажно — себестоимости, они имеют разницу приличную. Кстати хотелось бы специально подчеркнуть такой момент: если один раз собрать оконечный каскад и установить на первый случай пару или две MOSFET-транзисторов, то при необходимости изменения мощности на выходе вы без проблем сможете это делать путем увеличения количества транзисторов в оконечном тракте.

Изначальная схема в авторском варианте реализована на MOSFET-ключах IRFP240. Но несмотря на это множество радиолюбителей вносят свои изменения в конструкцию, заменяя некоторые детали более современными и качественными, например используют мощные полевые ключи IRFP250, IRFP260.

Однотактный усилитель Хьюстона класса А на 2SK1058 MOSFET-е. ZCA — усилитель без деталей

Мне захотелось построить усилитель со следующими параметрами:
1. Без ООС, так называемый вариант «0-NFB» (zero negative feed back)
2. Чистый класс А
3. Однотактный
Нельсон Пасс (Nelson Pass) проделал огромную работу в этом направлении при строительстве своего усилителя «Zen», но я решил пойти еще дальше! Я построю «Усилитель Без Деталей» — Zero Component Amplifier (ZCA).

Думаете, я пытался найти «Священный Грааль» в усилительной схемотехнике, этакий прямой кусок серебрянного провода, дающий чистое усиление без искажений?

Содержание / Contents

Несомненно, чтобы усилитель назывался усилителем, он должен содержать активные компоненты, обеспечивающие усиление. Меня всегда восхищали однотактные ламповые усилители. Как такое вообще возможно? Посмотрите, одна лампа, пара резисторов и выходной трансформатор. Поэтому я и решил создать усилитель на полевом транзисторе, придерживаясь такой же простоты дизайна.

Один канальный полевой униполярный МОП-транзистор, пригодный для аудио, парочка резисторов и конденсаторов, и конечно же умощненный хорошо «профильтрованный» блок питанния. Схема такого усилителя представлена на рис. 1.

Рис. 1: Схема однотактного усилителя класса A на MOSFET-е

Применен полевик 2SK1058 от Hitachi. Это N-канальный MOSFET. Внутренняя схема и распиновка для 2SK1058 представлена на рис. 2.

Рис. 2: Hitachi 2SK1058 N-Channel MOSFET

Я использовал конденсаторы Sprague Semiconductor Group во входных цепях и большие электролиты на выходе с «бутербродом» из полиэстерного конденсатора на 10 мф. Все резисторы, если не указано иначе, на 0,5 Ватт. Четыре 10-ти Ваттных проволочных резистора работают в качестве нагрузки. Внимание, эти резисторы рассеивают около 30 Ватт и становятся чрезвычайно горячими даже при простое усилителя.

Да, это класс А, а низкий КПД — расплата. Он съедает 60 Ватт, чтобы выдать ок. 5Вт! Мне пришлось использовать мощный и качественный радиатор с эффективным теплоотведением (0.784 °C/Ватт).

Фото 1: Печатная плата усилителя в сбореБлок питания состоит из трансформатора мощностью 160 Ватт, нагруженного на 25-ти Амперный выпрямительный мост, и обеспечивает напряжени ок. 24 Вольт. Используется П-образный фильтр (конденсатор — дроссель — конденсатор) состоящий из электролитов на 10.000 Мф и 5-ти Амперных дросселей индуктивностью 10 мГн.

Рис. 3: Схема блока питания
Фото 2: Усилитель в сборе
Фото 3: Усилитель в сборе, вид сзадиСмещение задаётся резистором на 1 мОм и потенциометром на 100 кОм. Просто установите потенциометром половину напряжения питания в точке соединения MOSFET-а и нагрузочного резистора.Я прослушивал мой усилитель с ламповым предусилителем на 12AU7, т. к. он обеспечивает наиболее чистый звук. Я понятия не имею об коэффициентах искажений этого усилителя и т. п. цифрах, лишь скажу, что у него точная звукопередача и деликатно текстурированный тембральный окрас.

Для работы с усилителем требуется высокочувствительная, эффективная аккустика, т. к. он выдаёт ок. 5 Ватт RMS (и до 15 Ватт на пиках, что я ясно наблюдал на экране осциллографа). Передача басса оказалась значительно лучшей, чем можно было ожидать от такого решения.
Усилитель с легкостью раскачивает мои 12-ти дюймовые трех-полосные колонки.

Усилитель удался. Конечно, не совсем «без деталей», но очень близко! Один 18-ти баксовый полевик надрывает задницу, чтобы подарить Вам офигенное впечатление от прослушивания. Не просите от него больше, чем ожидали.

Усилитель воспроизводит все аккустические инструменты с несравненным натуралистичным качеством.
Простое джазовое трио, классический квартет или нежный мужской/женский вокал показывают то, для чего этот усилитель и был сделан — красоту!

• Чувствительность усилителя по входу низкая, около 2 Вольт. Если такого источника у вас нет, то предусилитель НЕОБХОДИМ. Любой, с выходом 1-2 Вольта.

• Используйте чувствительные АС 5-10 Вт с легкими (бумага, волокна и пр.) диффузорами, как для ламповых усилителей небольшой мощности.

• Оригинальный транзистор 2SK1058 найти нынче практически невозможно. У китайцев сейчас есть предложения по 2SK1058, вот только гарантий, как обычно, нет. Можно получить битые, перемаркированные, отбракованные или вполне здоровые.
Можно и нужно пробовать, но на свой риск.
Обратие внимание на корпус 2SK1058 (см. выше в статье), он очень своеобразный, часть объявлений по фоткам сразу можно исключить.

Пробуйте разные варианты, сравнивая параметры в датащитах, ищите доступный транзистор с подобными параметрами. И даже пробуйте просто на слух.
За неимением 2SK1058, по при большом желании, люди собирают на неподходящих IRF530, IRF540, IRF610 и пр.

Всем Доброй Удачи!
Игорь

Камрад, здесь железо для этого проекта

Игорь Котов (Datagor)

Россия, Сибирь, г.Новокузнецк

Основатель, владелец и главный редактор Журнала практической электроники datagor.ru.
Founder, owner and chief editor of datagor.ru.

 

Примочка с эмуляцией лампового звука на полевых транзисторах

Однажды утром меня посетила мысль собрать что-нибудь гитарное. Только не ламповое, как обычно, а на транзисторах.
Пусть будет примочка с эмуляцией лампового звука на полевых транзисторах.

А ведь я никогда с ними дело не имел. Нужно пробовать!

Содержание / Contents

Пару недель было потрачено на штудирование теории. А потом товарищ с ником TrueVAL с форума gtlab подкинул несложную схемку овердрайва на полевых транзисторах

А я что-то мялся-мялся, да и отмакетил. Заработала сразу! :guitar-man:
Вот такой у нее получился звук:
▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.
Я обрадовался и решил уже приобщиться к любителям классического рока, но мне подкинули еще идей.
К уже существующей схеме был добален еще один транзистор КПС104А, по схеме второго и третьего каскадов из данной схемы. Вот, опять дисторшн.
Звук стал потяжелей, но был каким-то «гундосным». Пришлось уменьшить емкость первого проходного конденсатора до 10 нанофорад.
▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.
А потом взял и опять перелопатил схему несколько раз. Окончательный вариант вот.
Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.
Это, что-то вроде Кранка только на транзисторах. У меня стоят переключаемые два первых конденсатора. Один на 100 нанофорад, а другой на 10 нанофарад. Тумблером их можно переключать и менять характер звука.
▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.
Сначало все было собрано на макетке. Красота.

Кроме темброблока: трехручечный темброблок я выкинул и спаял одноручечный, как в примочке Big Muff.
Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.
Конденсатор С9 распаивается непосредственно на потенциометре регулятора громкости.

Затем всё это переехало на печатку, чертеж котрой дан в рахделе Файлов:

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Подготовил корпус:

Собрал (не без мата!):

Первый полевой транзистор нужно брать с напряжением отсечки около 1,5 Вольта, например отобранные КП303И. Остальные — с напряжением отсечки не больше 0,4-0,6 Вольта. Из отечественных это например сборка КПС104А/Б. Резисторами R8, R12, R15 нужно подобрать напряжение на стоках тразисторах, равное примерно половине напряжения питания (работать будет и без настройки, но чтобы было совсем «THRUE» нужно настроить). Конденсаторы желательно пленочные, на напряжение 63 Вольт — они миниатюрнее. Я поставил «взрослые» на 400 Вольт потому что они у меня были.Чертеж ПП в Спринт Лэйаут 6
▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.
Берегите ушки!
▼ Файловый сервис недоступен. Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте.

⚡️Усилитель звука на полевых транзисторах


На чтение 3 мин. Опубликовано
Обновлено

Если громкость звука не самое важное, а предпочтение отдается качеству звучания, то этот УМЗЧ будет как раз кстати. Выходной каскад, выполненный по двухтактной схеме на комплементарной паре мощных полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечивает качество звучания субъективно сродни «ламповому».

Да объективные характеристики весьма не плохи:

Предварительная часть усилителя мощности низкой частоты выполнена на операционном усилителе А1. Сигнал с его выхода поступает на выходной двухтактный каскад на противоположных полевых транзисторах с изолированным затвором – 2SK1530 (n-канал) и 2SJ201 (р-канал). На затворах транзисторов создается необходимое напряжение смещения с помощью резисторов R8, R9 и диодов VD3 и VD4.

Диоды устраняют искажения «ступенька», создавая исходную разность потенциалов между затворами полевых транзисторов. Стабилизирующее напряжение ООС снимается с выхода выходного каскада и через цепь R4-C6 поступает на инверсный вход операционного усилителя А1, который является так же и входом УМЗЧ.

Коэффициент усиления по напряжению зависит от соотношения сопротивлений резисторов R1 и R4. Изменяя сопротивление R1 можно в достаточно широких пределах регулировать чувствительность этого УМЗЧ, приспособляя его под выходные параметры имеющегося предварительного УЗЧ. При этом следует знать, что, как обычно, увеличение чувствительности ведет в увеличению искажений. Так что здесь должен быть разумный компромисс.

Напряжение питания ±25В, можно использовать нестабилизированный источник, но обязательно хорошо отфильтрованный от пульсаций фона переменного тока.Операционный усилительпитается двуполярным напряжением ±18V от двух параметрических стабилизаторов на основе стабилитронов VD1 и VD2. Вместо транзистора 2SK1530 можно использовать более старые 2SK135, 2SK134, Вместо транзистора 2SJ201 можно использовать 2SJ49, 2SJ50.

Транзисторы должны быть установлены на теплоотвод. Транзисторы 2SK1530 и 2SJ201 имеют такую конструкцию корпуса, что радиаторной пластины, контактирующей с кристаллом у них нет, их корпус выполнен из керамо-пластика, хорошо проводящего тепло, но не проводящего электричества. Поэтому транзисторы можно установить на общий радиатор. Если же будут использованы транзисторы с радиаторными пластинами, имеющими электрический контакт с кристаллом, то необходимо их установить на разные радиаторы, изолированные друг от друга или использовать тщательное изолирование с помощью слюдяных прокладок.

В любом случае, между теплоотводящей поверхностью корпуса транзистора и радиатором должна быть теплопроводная паста, она закрывает неровности в соприкосновении корпуса транзистора и радиатора и так образом увеличивает реальную площадь соприкосновения, что способствует лучшему теплоотводу. Операционный усилитель звука NE5534 можно заменить практически любым ОУ, например, КР140УД608 или каким-то другим вариантом. Диоды 1N4148 можно заменить на КД522 или КД521.

Стабилитроны 1N4705 можно заменить любыми другими стабилитронами, рассчитанными на напряжение стабилизации 18В, либо каждый из них заменить двумя последовательно включенными стабилитронами, дающими в сумму 18В (например, 9В и 9В). Конденсаторы С1 и С4 должны быть на напряжение не ниже 35В, конденсаторы С7 и С8 на напряжение не ниже 50В. Несмотря на наличие электролитических конденсаторов С7 и С8 по питанию, на выходе источника питания должны быть конденсаторы значительно большей емкости чтобы обеспечить качественное подавление пульсаций переменного тока на выходе источника питания.

Монтаж выполнен на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита с односторонним расположением печатных дорожек (рис.2). Способ изготовления печатной платы может быть любым доступным. Печатные дорожки не обязательно должны точно повторять форму показанных на рисунке, – важно чтобы обеспечивались необходимые соединения.

Автор

 

⚡️Усилитель своими руками на транзисторах


На чтение 4 мин. Опубликовано
Обновлено

Использование качественного усилителя позволит повысить детализацию и реалистичность любимых музыкальных воспроизведений.

На вход первого транзистора ставится регулятор громкости переменный резистор 47 кОм, он же снижает уровень шума усилителя.

При минимальной громкости шум не прослушивается, а при максимальной маскируется полезным сигналом.

Параметры изделия: 150Вт на нагрузку 4 Ом и 100Вт на нагрузку 8 Ом.

Второй усилитель звука лишен недостатков первого, что касается шума. Усилитель работает в классе В, диоды D2-D3-D4 задают данный режим работы выходным транзисторам VT4-VT5.

Транзисторы VT3-VT5 устанавливаются на теплоотвод, через изолирующие прокладки применяя при этом термопасту.

Сделанный УНЧ своими руками можно применить в активной колонке, сабвуфере воспроизведения низких частот превосходны.

В этой статье на нашем сайте www.radiochipi.ru мы расскажем вам как самостоятельно собрать усилители звука, что и позволит сэкономить на покупке уже готовых моделей.

Какой усилитель мощности будет лучшим?

Единого мнения о том какой тип усилителя лучший не существует. В настоящее время имеется возможность самостоятельной сборки двух типов усилителей звука:

Ламповые модели пользовались популярностью в недалёком прошлом. Они отличаются увеличенными размерами и повышенным потреблением электроэнергии.

Но при этом подобные ламповые усилители превосходят своих конкурентов по качеству звучания.

Транзисторные усилители имеют компактный размер и малое потребление электроэнергии. При этом они обеспечивают отличное качество звука.

С чего начать работу?

Для начала вам надлежит определиться с мощностью будущего усилителя. Стандартным параметром мощности для использования усилителя в домашних условиях является уровень в 30 – 50 Вт. Если же вам нужно изготовить простой усилитель звука, который будет использоваться для масштабных мероприятий, мощность может составлять 200-300 ватт.

Для работы нам потребуются следующие инструменты:

  • Набор отверток.
  • Мультиметр.
  • Паяльник.
  • Материал для изготовления корпуса.
  • Электродетали.
  • Текстолит для печатной платы.

По сути, печатные платы являются основой для будущего усилителя. Собрать её в домашних условиях не составит сложности.

Для выполнения печатной платы своими руками вам потребуется:

  • Текстолит, имеющий медную фольгу.
  • Моющее средство.
  • Бытовой утюг.
  • Самоклеящаяся китайская плёнка.
  • Лазерный принтер.
  • Сверло для работы с платой.

Кусок хлопчатобумажной ткани или марлевый тампон. Вырезаем из текстолита заготовку будущей платы. Оставьте с каждой из сторон сантиметровый запас. При помощи моющего средства необходимо обработать кусок текстолита, чтобы медная фольга получила розовый цвет. Промываем сделанную нами заготовку и тщательно её выслушиваем.

Приклеиваем самоклеящуюся плёнку к листу формата А4. Распечатываем на принтере заготовку будущей платы. Рекомендуется установить на максимум подачу тонера в принтер. На рабочую поверхность следует уложить фанеру, старую книгу и сверху плату фольгой вверх. Все накрываем офисной бумагой и тщательно прогреваем горячим утюгом. Прогревать нужно около 1 минуты.

Наносим распечатанную схему с листа бумаги на разогретую плату. Накрываем сверху плату листом бумаги и в течение 30 секунд прогреваем утюгом. Разглаживает рисунок при помощи тампона поперечными и продольными движениями. Дождитесь остывания заготовки, после чего можно снять с неё подложку.

Как правильно травить плату?

Для изготовления усилителя своими руками необходимо нанести на плату все используемые дорожки под радиодетали. Выполнить эту работу можно при помощи маркера CD, а после травить плату хлорным железом. К сожалению, хлорное железо имеет высокую стоимость, поэтому многие заменяют его приготовленным самостоятельно раствором из поваренной соли и медного купороса.

Пропорции приготавливаемой смеси:

  1. Кухонная соль – 200 грамм.
  2. Медный купорос – 100 грамм.
  3. 1 литр тёплой воды.

Размешав все компоненты опустите в ёмкость обезжиренные и чистые гвозди или металлические изделия.

[info]Компания Металлист специализируется на изготовлении различных видов металлоконструкций. Клиентам компании предлагаются как типовые металлоконструкции, так и возможность их производства по индивидуальным заказам. Детали и изделия из металла на заказ предлагаются по доступным ценам, а их изготовление осуществляется в кратчайшие сроки. [/info]

Далее вам понадобится компрессор от аквариума, который активизирует реакцию. Кладём в ёмкость плату и выдерживаем около 20 – 30 минут.

Собираем усилитель

На первоначальном этапе выполняется установка используемых радиодеталей на печатной плате. Учитывайте полярность и мощность всех используемых компонентов. Данную работу выполняйте в полном соответствии с имеющейся схемой, что позволит избежать опасности появления короткого замыкания.

Завершив сборку платы можно переходить к изготовлению корпуса. Размеры будущего усилителя зависят от габаритов платы и используемого блока питания. Вы также можете использовать уже готовые заводские корпуса от старых усилителей.

Можем порекомендовать вам изготовить корпус вручную из ДСП. В последующем вы можете с лёгкостью отделать изготовленный корпус шпоном или же самоклеящейся плёнкой.

Перед окончательной сборкой необходимо произвести тестовый запуск усилителя. Производится установка блока питания, платы и всех используемых составляющих. На этом работа по изготовлению усилителя своими руками полностью завершена, и вы можете наслаждаться качественным звуком.

вопросов и ответов с несколькими вариантами ответов на FET

Вопросы и ответы с несколькими вариантами ответов по полевым транзисторам (полевым транзисторам)

В дополнение к чтению вопросов и ответов на моем сайте я бы посоветовал вам также проверить следующее на Amazon:

1 кв. JFET имеет три терминала, а именно …………

  1. катод, анод, сетка
  2. эмиттер, база, коллектор
  3. исток, затвор, сток
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

2 кв.JFET аналогичен по работе …………. клапан

  1. диод
  2. пентод
  3. триод
  4. тетрод

Ответ: 2

3 кв. JFET также называется …………… транзистор

  1. униполярный
  2. биполярный
  3. однопереходный
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

4 кв. JFET — это ………… управляемое устройство

  1. текущий
  2. напряжение
  3. и ток, и напряжение
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

5 квартал.Затвор JFET ………… смещен

  1. реверс
  2. вперед
  3. назад и вперед
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q6. Входное сопротивление полевого транзистора JFET составляет …………. что у обычного транзистора

  1. равно
  2. менее
  3. более
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q7. В p-канальном JFET носителями заряда являются …………..

  1. электронов
  2. отверстий
  3. и электроны, и дырки
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

8 кв. Когда напряжение стока равно напряжению отсечки, ток стока …………. с увеличением напряжения стока

  1. убавки
  2. увеличивается
  3. остается неизменным
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

9 кв.Если обратное смещение на затворе JFET увеличивается, то ширина проводящего канала ………… ..

  1. уменьшено
  2. увеличен
  3. осталось прежним
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q10. MOSFET имеет …………… клеммы

  1. два
  2. пять
  3. четыре
  4. три

Ответ: 4

Q11. MOSFET может работать с ……………..

  1. только отрицательное напряжение затвора
  2. только положительное напряжение затвора
  3. положительное и отрицательное напряжение затвора
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q12. JFET имеет ……… .. усиление мощности

  1. малый
  2. очень высокий
  3. очень маленький
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q13. Входной управляющий параметр JFET ……………

  1. напряжение затвора
  2. источник напряжения
  3. напряжение стока
  4. ток затвора

Ответ: 1

Q14.Общая базовая конфигурация pnp-транзистора аналогична ………… JFET

  1. Конфигурация с общим источником
  2. Общая конфигурация слива
  3. общая конфигурация ворот
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q15. JFET имеет высокое входное сопротивление, потому что …………

  1. изготовлен из полупроводникового материала
  2. вход имеет обратное смещение
  3. примесных атомов
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q16.В JFET, когда напряжение стока равно напряжению отсечки, обедненные слои ………

  1. почти касаются друг друга
  2. имеют большой зазор
  3. имеют умеренный зазор
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q17. В JFET I DSS известен как ………… ..

  1. сток в исток
  2. сток в исток при закороченном затворе
  3. сток в исток при открытом затворе
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q18.Двумя важными преимуществами JFET являются ………… ..

  1. Высокое входное сопротивление и квадратичность
  2. недорогой и высокий выходной импеданс
  3. низкий входной импеданс и высокий выходной импеданс
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q19. …………. имеет самый низкий уровень шума

  1. триод
  2. рядовой транзистор
  3. тетрод
  4. JFET

Ответ: 4

Q20.MOSFET иногда называют ………. JFET

  1. много ворот
  2. открытые ворота
  3. ворота утепленные
  4. закороченные ворота

Ответ: 3

Q21. Какое из следующих устройств имеет самый высокий входной импеданс?

  1. JFET
  2. МОП-транзистор
  3. Кристаллический диод
  4. транзистор обыкновенный

Ответ: 2

Q22. MOSFET использует электрическое поле ……….для управления током канала

  1. конденсатор
  2. аккумулятор
  3. генератор
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q23. Напряжение отсечки в полевом транзисторе JFET аналогично ………. напряжение в вакуумной лампе

  1. анод
  2. катод
  3. сетка обрезная
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q24. Этот вопрос скоро будет доступен

Q25.В работе класса A входная цепь JFET ………. смещенный

  1. вперед
  2. реверс
  3. не
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q26. Если затвор полевого транзистора сделать менее отрицательным, ширина проводящего канала ……….

  1. осталось прежним
  2. уменьшено
  3. увеличен
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q27.Напряжение отсечки JFET составляет около ……….

  1. 5 В
  2. 0,6 В
  3. 15 В
  4. 25 В

Ответ: 1

Q28. Входное сопротивление полевого МОП-транзистора порядка ……… ..

  1. Ом
  2. несколько сотен Ом
  3. кОм
  4. несколько МОм

Ответ: 4

Q29. Напряжение затвора полевого транзистора, при котором ток стока становится равным нулю, называется ……….. напряжение

  1. насыщенность
  2. отсечка
  3. активный
  4. отрезной

Ответ: 2

Q30. Этот вопрос скоро будет доступен

Q31. В полевом транзисторе имеется ……… .. pn переходов по бокам

  1. три
  2. четыре
  3. пять
  4. два

Ответ: 4

Q32. Крутизна JFET находится в диапазоне ……………..

  1. от 100 до 500 мА / В
  2. от 500 до 1000 мА / В
  3. от 0,5 до 30 мА / В
  4. более 1000 мА / В

Ответ: 3

Q33. Клемма источника JEFT соответствует ………… .. вакуумной лампы

  1. плита
  2. катод
  3. сетка
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q34. Выходные характеристики JFET очень напоминают выходные характеристики ……….клапан

  1. пентод
  2. тетрод
  3. триод
  4. диод

Ответ: 1

Q35. Если площадь поперечного сечения канала в n-канальном JEFT увеличивается, ток стока ……….

  1. увеличено
  2. уменьшено
  3. осталось прежним
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q36. Канал JFET находится между …………….

  1. вентиль и слив
  2. сток и исток
  3. вентиль и источник
  4. вход и выход

Ответ: 2

Q37. Для V GS = 0 В ток стока становится постоянным, когда V DS превышает ………

  1. отрезанный
  2. В DD
  3. В П
  4. o V

Ответ: 3

Q38. В некоторых технических данных JFET указано V GS (выключено) = -4 В.Напряжение отсечки В p составляет …… ..

  1. +4 В
  2. -4 В
  3. в зависимости от V GS
  4. недостаточно данных

Ответ: 1

Q39. Область постоянного тока JFET находится между

  1. отсечка и насыщение
  2. отрезанные и отколотые
  3. o и I DSS
  4. отщипывание и поломка

Ответ: 4

Q40.В момент отсечки канал JFET ……….

  1. в самом широком месте
  2. полностью закрыта областью истощения
  3. очень узкая
  4. с обратной стороной

Ответ: 2

Q41. MOSFET отличается от JFET главным образом тем, что ………………

  1. номинальной мощности
  2. MOSFET имеет два затвора
  3. JFET имеет pn переход
  4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q42. Определенный D-MOSFET смещен на V GS = 0 В. В его технических данных указано, что I DSS = 20 мА и V GS (выключено) = -5 В. Значение тока стока составляет …………

  1. 20 мА
  2. 0 мА
  3. 40 мА
  4. 10 мА

Ответ: 1

Q43. N-канальный D-MOSFET с положительным V GS работает в …………

  1. режим истощения
  2. режим улучшения
  3. отрезанный
  4. насыщенность

Ответ: 2

Q44.Определенный p-канальный E-MOSFET имеет V GS (th) = -2 В. Если V GS = 0 В, ток стока составляет ……….

  1. 0 мА
  2. I D (по)
  3. максимум
  4. I DSS

Ответ: 1

Q45. В усилителе на полевом транзисторе с общим истоком выходное напряжение составляет …………………

  1. 180 o не совпадают по фазе с входом
  2. в фазе с входом
  3. 90 o не совпадает по фазе с входом
  4. взято у истоков

Ответ: 1

Q46. В некотором усилителе D-MOSFET с общим истоком V ds = 3,2 В среднеквадратичное значение. и V gs = 280 мВ среднеквадратичное значение. Коэффициент усиления по напряжению …………

  1. 1
  2. 11,4
  3. 8,75
  4. 3,2

Ответ: 2

Q47. В определенном усилителе CS JFET R D = 1 кОм, R S = 560 Ом, V DD = 10 В и g м = 4500 мкс. Если резистор истока полностью отключен, коэффициент усиления по напряжению составляет …………

  1. 450
  2. 45
  3. 2.52
  4. 4,5

Ответ: 4

Q48. Определенный полевой транзистор с общим истоком имеет коэффициент усиления по напряжению 10. Если убрать шунтирующий конденсатор источника, ……………….

  1. прирост напряжения увеличится
  2. крутизна увеличится
  3. усиление напряжения уменьшится
  4. точка Q сместится

Ответ: 3

Q49. Усилитель CS JFET имеет сопротивление нагрузки 10 кОм, R D = 820 Ом.Если g m = 5 мс и V в = 500 мВ, напряжение выходного сигнала будет ……… ..

  1. 2,05 В
  2. 25 В
  3. 0,5 В
  4. 1,89 В

Ответ: 4

Q50. Если сопротивление нагрузки в приведенном выше вопросе (Q.49) убрать, выходное напряжение будет …………

  1. прибавка
  2. уменьшение
  3. оставайся прежним
  4. быть нулевым

Ответ: 1

Q.51. Когда штыри MOSFET не используются, имеют одинаковый потенциал за счет использования …………

  1. транспортировочная пленка
  2. непроводящая пена
  3. проводящая пена
  4. ремешок на руку

Ответ: 3

Q.52. D-MOSFET иногда используются последовательно для создания каскодного высокочастотного усилителя, чтобы преодолеть потери ………… . .

  1. низкое выходное сопротивление
  2. емкостное сопротивление
  3. высокий входной импеданс
  4. индуктивное сопротивление

Ответ: 3

Q.53. U-образный материал противоположной полярности, построенный около центра JFET-канала, называется ……….

  1. ворота
  2. блок
  3. сток
  4. радиатор

Ответ: 1

Вопрос 54. При тестировании n-канального D-MOSFET сопротивление G к D =, сопротивление G к S =, сопротивление D к SS = и 500, в зависимости от полярности омметра, и сопротивление D к S = 500. Что не так?

  1. короткие D до S
  2. открыть G до D
  3. открытый D по SS
  4. ничего

Ответ: 4

Q.55. В области постоянного тока, как I DS изменится в n-канальном JFET?

  1. По мере уменьшения V GS I D уменьшается.
  2. Как V GS увеличивается I D увеличивается
  3. По мере уменьшения V GS I D остается постоянным.
  4. По мере увеличения V GS I D остается постоянным.

Ответ: 1

Q.56. I DSS можно определить как ………

  1. минимально возможный ток стока
  2. максимально возможный ток при V GS , удерживаемом на уровне –4 В
  3. максимально возможный ток при V GS , удерживаемом при 0 В
  4. максимальный ток стока при закороченном истоке

Ответ: 3

Q.57. Входное сопротивление полевого транзистора с общим затвором составляет …………

  1. очень низкий
  2. низкий
  3. высокая
  4. очень высокий

Ответ: 1

Q.58. Очень простое смещение для D-MOSFET называется …… . .

  1. самосмещение
  2. смещение затвора
  3. смещение нуля
  4. делитель напряжения смещения

Ответ: 3

Q.59. С E-MOSFET, когда входное напряжение затвора равно нулю, ток стока равен…..

  1. при насыщении
  2. ноль
  3. I DSS
  4. расширение русла

Ответ: 2

Q.60. Каково напряжение точки Q E-MOSFET с 30-вольтовым V DD и резистором стока 8 кОм, если I D = 3 мА?

  1. 6 В
  2. 10 В
  3. 24 В
  4. 30 В

Ответ: 1

Q.61. Когда входной сигнал уменьшает размер канала, процесс называется …….

  1. улучшение
  2. Соединительная подложка
  3. плата за ворота
  4. истощение

Ответ: 4

Q. 62. Какая конфигурация JFET будет подключать источник сигнала с высоким сопротивлением к нагрузке с низким сопротивлением?

  1. последователь источника
  2. общий источник
  3. общий слив
  4. общий вентиль

Ответ: 1

Q.63. Когда V GS = 0 В, JFET ……….

  1. насыщенный
  2. аналоговый прибор
  3. выключатель разомкнут
  4. выключатель разомкнут

Ответ: 1

Q.64. Электроны проходят через полевой транзистор с p-каналом из ……… .. в ………… ..

  1. от истока до стока
  2. от истока до выхода
  3. от слива до затвора
  4. от стока к истоку

Ответ: 4

Q.65. Когда приложенное входное напряжение изменяет сопротивление канала, результат называется …………..

  1. насыщение
  2. поляризация
  3. отрезной
  4. полевой эффект

Ответ: 4

Q. 66. Когда используется E-MOSFET с вертикальным каналом?

  1. для высоких частот
  2. для высокого напряжения
  3. для высоких токов
  4. для высоких сопротивлений

Ответ: 3

Q.67. Когда JFET больше не может управлять током, эта точка называется …………

  1. область разбивки
  2. область истощения
  3. точка насыщения
  4. область отсечки

Ответ: 1

Q.68. В JFET отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения называется ……… ..

  1. крутизна
  2. siemens
  3. удельное сопротивление
  4. усиление

Ответ: 1

Q.69. Какой тип смещения JFET требует отрицательного напряжения питания?

  1. обратная связь
  2. источник
  3. ворота
  4. делитель напряжения

Ответ: 3

Q. 70. Как будет изменяться входной импеданс D-MOSFET в зависимости от частоты сигнала?

  1. С увеличением частоты увеличивается входное сопротивление.
  2. При увеличении частоты входное сопротивление остается постоянным. ‘
  3. При уменьшении частоты входное сопротивление увеличивается.
  4. При уменьшении частоты входное сопротивление остается постоянным.

Ответ: 3

Вопрос.71. Тип смещения, наиболее часто используемый в схемах E-MOSFET, — это ………….

  1. постоянный ток
  2. сток-обратная связь
  3. делитель напряжения
  4. смещение нуля

Ответ: 2

Q.72. Кривая крутизны JFET представляет собой график …………… против ……….

  1. I S по сравнению с V DS
  2. I C по сравнению с V CE
  3. I D по сравнению с V GS
  4. I D × R DS

Ответ: 3

Q. 73. Усилитель на полевом транзисторе с общим истоком имеет ……… ..

  1. очень высокий входной импеданс и относительно низкий коэффициент усиления по напряжению
  2. высокий входной импеданс и очень высокий коэффициент усиления по напряжению
  3. с высоким входным сопротивлением и коэффициентом усиления менее 1
  4. без усиления по напряжению

Ответ: 1

Q.74. Общая входная емкость двухзатворного D-MOSFET ниже, поскольку устройства обычно подключаются ……… ..

  1. параллельно
  2. с раздельной изоляцией
  3. с отдельными входами
  4. последовательно

Ответ: 4

Вопрос 75. Какой компонент считается отключенным.

  1. транзистор
  2. JFET
  3. D-МОП-транзистор
  4. E-MOSFET

Ответ: 4

Q.76. Что произойдет в n-канальном JFET при напряжении отсечки?

  1. значение V DS , при котором дальнейшее увеличение V DS не вызовет дальнейшего увеличения I D
  2. значение V GS , при котором дальнейшее уменьшение V GS не вызовет дальнейшего увеличения I D
  3. значение V DG , при котором дальнейшее уменьшение V DG не вызовет дальнейшего увеличения I D
  4. значение V DS , при котором дальнейшее увеличение V GS не вызовет дальнейшего увеличения I D

Ответ: 1

Ознакомьтесь с полным ресурсом по Основные вопросы и ответы по электронике. С сотнями вопросов и ответов по главам, посвященным базовой электронике, это самый полный банк вопросов во всем Интернете.

В дополнение к чтению вопросов и ответов на моем сайте я бы посоветовал вам также проверить следующее на Amazon:

Материал для исследования транзистора с полевым эффектом

Учебные материалы по транзистору с полевым эффектом

Для Все учебные материалы по предмету Щелкните здесь

В предыдущих главах мы обсуждали биполярный переходный транзистор (BJT).Они управляются как электронами, так и дырками и называются устройствами, управляемыми током. BJT имеет два основных недостатка; Во-первых, он имеет низкий входной импеданс из-за прямого смещения эмиттерного перехода. Во-вторых, у него значительный уровень шума.

Для преодоления вышеуказанных проблем может быть разработан полевой транзистор, который станет важным электронным устройством в технологии интегральных схем (ИС).

Полевой транзистор — это устройство, в котором ток через проводящую область регулируется электрическим полем (напряжением).

Есть два типа полевых транзисторов,

  1. Соединительный полевой транзистор (JFET)
  2. Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET)

Соединительный полевой транзистор (JFET)

JFET — это трехконтактный полупроводниковый прибор, в котором токопроводимость осуществляется одним типом носителей (т.е.) электронов или дырок. Это униполярное устройство. Он имеет высокое входное сопротивление и низкий уровень шума.

Есть два типа JFET.

Они есть,

  1. N-канальный JFET
  2. P-канал JFET

Преимущества

  1. JFET имеет более высокое входное сопротивление.
  2. Это устройство с низким энергопотреблением.
  3. Может изготавливаться на небольшой площади.
  4. Имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления, поэтому обладают более высокой температурной стабильностью.
  5. Меньше шума.

Недостатки

  1. JFET — это продукт с относительно низким коэффициентом усиления.
  2. Его коэффициент усиления по напряжению низкий.
  3. При установке требует особого обращения.

Приложение для JFET

  1. JFET используется как источник постоянного тока.
  2. Используется как буферный усилитель.
  3. Используется как электронный переключатель.
  4. Используется как генератор сдвига фазы.
  5. JFET используется в качестве резистора переменного напряжения (VVR).
  6. Используется как широкополосный усилитель с высоким сопротивлением.

МОП-транзистор

MOSFET — это аббревиатура от Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. В MOSFET затвор изолирован от канала с помощью слоя SiO 2 . Входной импеданс полевого МОП-транзистора высокий, потому что ток затвора чрезвычайно мал. Его также называют полевым транзистором с изолированным затвором (IGFET).

Существует два типа полевых МОП-транзисторов.

Они есть,

1.Расширение MOSFET (E-MOSFET).

  1. Истощающий МОП-транзистор (DE-MOSFET).

Расширенный полевой МОП-транзистор (E-MOSFET)

Полевой МОП-транзистор с расширением работает только в режиме улучшения. Он не проводит, когда напряжение затвор-исток (VGS) равно нулю, поэтому его называют «нормально выключенным полевым МОП-транзистором». Он широко используется в цифровых схемах. Существует два типа полевых МОП-транзисторов. Их

  1. N-канальный E-MOSFET
  2. P-канальный E-MOSFET

Истощающий МОП-транзистор (DE-MOSFET)

MOSFET с истощением может работать как в режиме истощения, так и в режиме улучшения.Поэтому он называется DE-MOSFET. Существует два типа MOSFET с истощением. Их,

  1. MOSFET истощения канала N
  2. MOSFET истощения с P-каналом

Приложение для MOSFET

  1. MOSFET широко используется для переключения и усиления сигналов.
  2. Используется в FM-радио и ТВ-приемниках (для управления микшером).
  3. Используется в компьютерной памяти.
  4. Используется как автоматический регулятор интенсивности уличного освещения.

PDF Форма

ПОЛНЫЕ ЗАПИСИ EDC

PPT — Полевые транзисторы (FET) PowerPoint Presentation, скачать бесплатно

  • Полевые транзисторы (FET) EBB424E Школа инженерии материалов и минеральных ресурсов доктора Сабара Д. Хутагалунга, Университет Сайнс Малайзия

  • Полевой транзистор (FET) • В 1945 году у Шокли возникла идея сделать твердотельное устройство из полупроводников.• Он рассуждал, что сильное электрическое поле может вызвать ток электричества в соседнем полупроводнике. • Он пытался построить один, но это не сработало. • Три года спустя компания Brattain & Bardeen построила первый рабочий транзистор, германиевый точечный транзистор, который был разработан как переходной (сэндвич) транзистор. • В 1960 году ученый из Белла Джон Аталла разработал новый дизайн, основанный на оригинальных теориях Шокли о полевом эффекте. • К концу 1960-х производители перешли с интегральных схем переходного типа на полевые устройства.

  • Полевой транзистор (FET) • Устройства с полевым эффектом — это устройства, в которых ток регулируется действием электронного поля, а не инжекцией носителей. • Полевые транзисторы названы так потому, что слабый электрический сигнал, проходящий через один электрод, создает электрическое поле через остальную часть транзистора. • Полевой транзистор был известен как «униполярный» транзистор. • Термин относится к тому факту, что ток переносится носителями одной полярности (большинства), тогда как в обычных биполярных транзисторах используются носители обеих полярностей (большинства и меньшинства).

  • Полевой транзистор (FET) Семейство полевых транзисторов можно разделить на: • Соединительный полевой транзистор • MOSFET в режиме истощения • MOSFET в режиме расширения

  • Соединительные полевые транзисторы (JFET) • JFET-транзисторы состоят из кусок полупроводникового материала с высоким удельным сопротивлением (обычно Si), который составляет канал для основного потока носителей. • Проводящий полупроводниковый канал между двумя омическими контактами — исток и сток

  • JFETs (JFETs) • Величина этого тока контролируется напряжением, приложенным к затвору, который имеет обратное смещение.• Принципиальное различие между устройствами JFET и BJT: когда переход JFET смещен в обратном направлении, ток затвора практически равен нулю, тогда как базовый ток BJT всегда имеет некоторое значение больше нуля.

  • Junction FETs • JFET — это устройство с высоким входным сопротивлением, а BJT — сравнительно низким. • Если канал легирован донорной примесью, образуется материал n-типа, и ток в канале будет состоять из электронов. • Если канал легирован акцепторной примесью, образуется материал p-типа, и ток в канале будет состоять из дырок.• Устройства с N-каналом имеют большую проводимость, чем типы с p-каналом, поскольку электроны имеют более высокую подвижность, чем дырки; Таким образом, полевые транзисторы с n-каналом примерно в два раза эффективнее проводников по сравнению с их аналогами с p-каналом.

  • Базовая структура JFET • Помимо канала, JFET содержит два омических контакта: исток и сток. • JFET будет одинаково хорошо проводить ток в любом направлении, а выводы истока и стока обычно взаимозаменяемы.

  • N-channel JFET • Этот транзистор изготовлен путем формирования канала из материала N-типа в подложке P-типа. • Затем к устройству подключаются три провода. • По одному на каждом конце канала. • Один подключен к субстрату. • В некотором смысле устройство немного похоже на диод с PN-переходом, за исключением того, что к стороне N-типа подключены два провода.

  • Как работает JFET • Затвор подключен к источнику. • Поскольку pn переход имеет обратное смещение, через затвор будет течь небольшой ток.• Установленный градиент потенциала сформирует слой обеднения, в котором почти все электроны, присутствующие в канале n-типа, будут унесены. • Наиболее истощенная часть находится в высоком поле между G и D, а наименее истощенная область — между G и S.

  • Как функция JFET • Поскольку поток тока по каналу от (+ ve) сток к (-ve) источнику на самом деле является потоком свободных электронов от S к D в Si n-типа, величина этого тока будет падать по мере того, как большее количество Si истощается от свободных электронов.• Существует ограничение на ток стока (ID), который увеличенный VDS может пропускать через канал. • Этот ограничивающий ток известен как IDSS (ток стока в источник, при котором затвор замкнут на источник).

  • Выходные характеристики n-канального полевого транзистора с затвором , замкнутым накоротко на исток. • Первоначальный рост ID связан с наращиванием слоя истощения по мере увеличения VDS. • Кривая приближается к уровню предельного тока IDSS, когда ID начинает обрываться.• Физический смысл этого термина приводит к одному определению напряжения отсечки, VP, которое представляет собой значение VDS, при котором протекает максимальный поток IDSS.

  • При постоянном напряжении затвор-исток 1 В всегда присутствует 1 В на стенке канала на стороне истока. • Напряжение сток-исток 1 В означает, что на стене на конце стока будет 2 В. (Сток составляет «вверх» 1 В от потенциала истока, а затвор — на 1 В «вниз», следовательно, общая разница составляет 2 В.) • Высшее vo

  • Исследователи ускоряют работу транзисторов за счет внедрения туннельного полевого транзистора

    .

    Схематическое изображение ячейки памяти SFG. Диод с pn переходом между FG и D делает FG полуплавающим. Также показано символическое изображение устройства. Кредит: Science 9 августа 2013 г .: Vol. 341 нет. 6146 с. 640-643 DOI: 10.1126 / science.1240961

    (Phys.org). Исследователи из Университета Фудань в Китае открыли способ ускорить работу традиционных компьютерных транзисторов, встраивая в них туннельные полевые транзисторы (TFET).В своей статье, опубликованной в журнале Science , команда описывает, как встраивание TFET в такие транзисторы позволяет им работать с меньшей мощностью, что, в свою очередь, заставляет их работать быстрее.

    Большинство современных компьютеров работают с полевыми транзисторами металл-оксид-полупроводник (MOSFET) или их разновидностями, называемыми MOSFET с плавающим затвором (FG). Такие транзисторы сейчас достигают своего физического предела, насколько они могут быть тонкими — всего в несколько атомов.По этой причине исследователи искали другие способы получить больше прибыли за свои деньги. В этой новой работе исследователи обратились к TFET, которые используют квантовое туннелирование для перемещения электронов через очень тонкий материал.

    TFET традиционно использовались в устройствах с очень низким энергопотреблением. В этом стремлении исследователи создали TFET, который можно использовать для управления электродами, контролирующими поток электричества в MOSFET — в данном случае разновидность с плавающим затвором (он имеет дополнительный электродный затвор, который позволяет удерживать заряд. ).Идея состоит в том, что если бы затвор можно было заставить открываться и закрываться быстрее, транзистор в целом работал бы быстрее. Современные чипы требуют накопления заряда, прежде чем ворота можно будет открыть или закрыть, а это требует времени. TFET, поскольку они требуют меньшего количества энергии, не занимают так много времени, чтобы выполнять свою работу, поэтому встраивание одного в полевой МОП-транзистор с плавающим затвором снизит необходимость увеличения мощности до изменения затвора, что позволит быстрее открывать и закрывать. Именно это и сделала команда в Китае.К настоящему времени испытания показали, что полевые МОП-транзисторы со встроенными транзисторами TFET имеют повышенную скорость транзисторов, а также снижают требования к мощности.

    Команда сообщает, что из-за того, как построены их TFET, встраивание их в полевые МОП-транзисторы текущей модели не должно требовать перенастройки или использования каких-либо новых материалов. Это означает, что новую технологию TFET можно использовать практически сразу, увеличивая скорость компьютеров и портативных устройств, одновременно уменьшая количество потребляемой энергии, что приводит к увеличению срока службы батареи.


    Новая конструкция уменьшает площадь, занимаемую нанопроволочными транзисторами, в два раза.


    Дополнительная информация:
    Транзистор с полуплавающим затвором для низковольтной сверхбыстрой памяти и считывания, Science 9 августа 2013 г .: Vol.341 нет. 6146 с. 640-643 DOI: 10.1126 / science.1240961

    РЕФЕРАТ

    Поскольку полупроводниковые устройства интегральных схем приближаются к физическим ограничениям масштабирования, необходимы альтернативные конструкции транзисторов и памяти для достижения улучшений в скорости, плотности и потребляемой мощности. Мы сообщаем о транзисторе, который использует встроенный туннельный полевой транзистор для зарядки и разрядки полуплавающего затвора. Этот транзистор работает при низких напряжениях (≥2,0 В) с большим пороговым напряжением, равным 3.1 вольт, и может достигать сверхвысокой скорости операций записи (в масштабе времени ~ 1 наносекунда). Когда транзистор подвергался воздействию света, наблюдалась линейная зависимость тока стока от интенсивности света, поэтому возможные применения включают считывание изображения с высокой плотностью и производительностью.

    © 2013 Phys.орг

    Ссылка :
    Исследователи ускоряют транзисторы, встраивая туннельный полевой транзистор (2013, 9 августа)
    получено 9 ноября 2020
    с https: // физ.org / news / 2013-08-transistors-embedding-tunneling-field-effect-transistor.html

    Этот документ защищен авторским правом. За исключением честных сделок с целью частного изучения или исследования, никакие
    часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в информационных целях.

    Как работают транзисторы | HowStuffWorks

    Если клетки — строительные блоки жизни, то транзисторы — строительные блоки цифровой революции.Без транзисторов чудеса техники, которыми вы пользуетесь каждый день — сотовые телефоны, компьютеры, автомобили — были бы совершенно другими, если бы они вообще существовали.

    До появления транзисторов инженеры-разработчики использовали электронные лампы и электромеханические переключатели для завершения электрических цепей. Трубки были далеки от идеала. Перед работой им приходилось разогреваться (а иногда и перегреваться), они были ненадежными, громоздкими и потребляли слишком много энергии. Все, от телевизоров до телефонных систем и первых компьютеров, использовало эти компоненты, но в годы после Второй мировой войны ученые искали альтернативы электронным лампам.Вскоре они найдут ответ в работе, проделанной десятилетиями ранее.

    В конце 1920-х годов польско-американский физик Юлиус Лилиенфельд подал патент на трехэлектродное устройство из сульфида меди. Нет никаких доказательств того, что он действительно создал компонент, но его исследования помогли разработать то, что сегодня является полевым транзистором, строительным блоком кремниевых чипов.

    Через двадцать лет после того, как Лилиенфельд подал свои патенты, ученые пытались применить его идеи на практике.Телефонной системе Bell, в частности, требовалось нечто лучшее, чем электронные лампы, для поддержания работоспособности систем связи. Компания собрала звездную команду ученых умов, в том числе Джона Бардина, Уолтера Браттейна и Уильяма Шокли, и заставила их работать над исследованиями заменителей электронных ламп.

    В 1947 году Шокли был директором по исследованиям транзисторов в Bell Telephone Labs. Браттейн был авторитетом в области физики твердого тела, а также экспертом по природе атомной структуры твердых тел, а Бардин был инженером-электриком и физиком.В течение года Бардин и Бриттен использовали элемент германий для создания схемы усиления, также называемой точечным транзистором. Вскоре после этого Шокли усовершенствовал свою идею, разработав переходной транзистор.

    В следующем году Bell Labs объявила миру, что изобрела рабочие транзисторы. Первоначальное патентное название первого транзистора проходило следующим образом: Полупроводниковый усилитель; трехэлектродный элемент схемы из полупроводниковых материалов.Фраза звучала безобидно. Но это изобретение принесло команде Белла Нобелевскую премию по физике 1956 года и позволило ученым и инженерам гораздо больше контролировать потоки электричества.

    Не будет преувеличением, что транзисторы сделали возможным крупнейший технологический скачок человечества. Продолжайте читать, чтобы узнать, как именно работают транзисторы, как они повлияли на развитие технологий и, соответственно, на историю человечества.

    Полевой транзистор

    — перевод на японский — примеры английский


    Эти примеры могут содержать грубые слова на основании вашего поиска.


    Эти примеры могут содержать разговорные слова, основанные на вашем поиске.

    Продольный полевой транзистор на основе GaN отличается превосходными характеристиками отсечки.

    Полевой транзистор , содержащий полупроводниковый слой (14), содержащий часть, функционирующую как область канала.

    Затем на нанопроволоку подавали напряжение, что позволяло ей работать как полевой транзистор (FET) и обнаруживать электрические сигналы внутри ячейки.

    ナ ノ ワ イ ヤ ー に 電 圧 加 る と 、 ナ ノ ワ イ 電 界 効果 ト ラ ン ジ タ ー (FET) と し て 動作

    Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковом корпусе устройства.

    Видеомагнитофон — один из многочисленных интересных схемных элементов, которые могут быть изготовлены с использованием полевого транзистора JFET (переход , полевой транзистор ) с простым смещением.

    Видеомагнитофон は 興味 深 い 回路 要素 の 1 つ で あ 、 JFET (接合 型 電 界 効果 ラ ン ジ ス タ ) に 単 純 に バ イ ア ス け る こ と

    Состояние переключения полевого транзистора контролируется напряжением на управляющем затворе транзистора.

    電 界 効果 ト ラ ン ジ ス タ の ス イ ッ チ ン グ 状態 ト ラ ン ジ ス タ の コ ロ ー ル ゲ ー ト の 圧 に よ っ

    На слое электронного барьера (40) расположен канальный слой (15), который формирует область канала секции полевого транзистора с шириной запрещенной зоны, более узкой, чем ширина запрещенной зоны слоя (40) электронного барьера.

    電子 バ リ ア 層 (40) の 上 に 電子 バ リ ア 層 (40) よ り 狭 い バ ン ド ギ ャ ッ プ で 電 界 効果 ト ラ ン

    Предусмотрено нитридное полупроводниковое устройство и нитридная полупроводниковая подложка, которые имеют улучшенную кристалличность нитридного полупроводникового слоя, сформированного на кремниевой подложке, и которые способны обеспечить снижение сопротивления в открытом состоянии полевого транзистора .

    シ リ コ ン 基板 上 に 物 半導体 層 の 結晶 性 の.

    [Проблема] Предоставить графеновый полевой транзистор и графеновый полупроводниковый элемент, который может увеличить плотность носителей и мобильность без прямого повреждения графенового канала для повышения скорости работы, может снизить сопротивление доступа и может обеспечить операцию цифрового переключения.

    【課題】 グ ラ フ ェ ン チ ャ ネ ル を 直接 傷 つ け る こ と な く キ ャ ​​リ ア 密度 お よ び キ ャ リ ア 移動 度 を 高 め, 動作 速度 の 向上 を 図 る こ と が で き, さ ら に ア ク セ ス 抵抗 を 低 減 可能 で, デ ジ タ ル ス イ ッ チ ン グ 動作 を 実 現 す る こ と が で き る グ ラ フ ェ ン + 電 界 効果ト ラ ン ジ ス タ お よ び グ ラ フ ェ ン 半導体 部 材 を 提供 す る。

    Цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы предоставить практическое органическое электрическое устройство, проявляющее высокую эффективность излучения света и подвижность заряда, примерами органического электронного устройства являются органический полевой транзистор и органический светоизлучающий транзистор.

    本 発 明 は 、 発 光 効率 や 移動 度 が 高 く 、 実 用 的 な エ ク ロ ニ ク ス デ 特 に 有機 に 有機 ト 14 88

    Кроме того, предоставляется полевой транзистор , содержащий изолирующую пленку затвора, состоящую из пленки с высокой диэлектрической проницаемостью, содержащей гафний, при этом любая плотность уровня границы раздела на границе между изолирующей пленкой затвора и кремниевой подложкой снижена, чтобы увеличить подвижность носителя в изоляционной пленке затвора.

    ハ フ ニ ウ ム を 含 む 高 誘 電 体 膜 か ら な る ゲ ー ト 絶 縁 膜 を 備 え た + 電 界 効果 ト ラ ン ジ ス タ に お い て, シ リ コ ン 基板 と ゲ ー ト 絶 縁 膜 と の 界面 に お け る 界面 準 位 密度 を 低 減 し, ゲ ー ト 絶 縁 膜 に お け る キ ャ リ ア の 移動 度 を 高 め る。

    ТРАНЗИСТОР С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ С ЗАВИСИМОЙ ОТ СПИНОМ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕДАЧИ И НЕЛЕТАЮЩЕЙ ПАМЯТЬЮ ИСПОЛЬЗУЯ ОДИН

    MIS ПОЛЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР С НАПРЯЖЕННЫМ КРЕМНИЕВЫМ КАНАЛЬНЫМ СЛОЕМ

    СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПОРОГОВЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ОРГАНИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА ПОЛЕВЫЙ ЭФФЕКТ

    ДИАЗАБОРОЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ И ТРАНЗИСТОР С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ , СОДЕРЖАЩИЙ УКАЗАННОЕ СОЕДИНЕНИЕ

    ПОЛЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР И ИНТЕГРИРОВАННАЯ ЦЕПЬ, ВКЛЮЧАЮЩАЯ ТАКЖЕ

    ФЕРРОМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ПРОВОДНИКА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИГО, ЭЛЕМЕНТ МАГНИТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОГО ЭФФЕКТА

    ПОЛУПРОВОДНИК, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОГО ЖЕ, БАРЬЕРНОГО ДИОДА ШОТТКИ И ТРАНЗИСТОРА ПОЛЕВОГО ЭФФЕКТА

    ПОЛУПРОВОДНИК, ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВЫЙ ЭФФЕКТ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

    ТРАНЗИСТОР С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ , ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОДНОГО И ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА, ИСПОЛЬЗУЯ ОДИН

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *