Транзистор c945: C945 , , datasheet, , ,

Содержание

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистор C945

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2DC2412R  Si  NPN  0.3 50  0.15 180 180  SOT23
2SC1623RLT1  Si  NPN  0.3 60 50 7  0.15 150 180 3 180  SOT23
2SC1623SLT1  Si  NPN  0.3 60 50 7  0. 15 150 180 3 270  SOT23
2SC2412-R  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 180  SOT23
2SC2412-S  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 270  SOT23
2SC2412KRLT1  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 180  SOT23
2SC2412KSLT1  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 270  SOT23
2SC945LT1  Si  NPN  0.23 60 50 5  0.15 150 150  2.2 200  SOT23
2SD1501  Si  NPN 1 70 1 150 250  SOT23
2STR1160  Si  NPN  0. 5 60 60 5 1 150 250  SOT23
50C02CH-TL-E  Si  NPN  0.7 60 50 5  0.5 150 500  2.8 300  SOT23
BRY61  Si  PNPN  0.25 70 70 70  0.175 150 1000  SOT23
BSP52T1  Si  NPN  1.5 100 80 5  0.5 150 150 5000  SOT23
BSP52T3  Si  NPN  1.5 100 80 5  0.5 150 150 5000  SOT23
C945  Si  NPN  0.2 60 50 5  0.15 150 150 3 130  SOT23
DNLS160  Si  NPN  0. 3 60 1 150 200  SOT23
DTD123  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50  0.5 150 200 250  SOT23
ECG2408  Si  NPN  0.2 60 65  0.3 150 300 300  SOT23
FMMT493A  Si  NPN  0.5 60 1 150 500  SOT23
FMMTL619  Si  NPN  0.5 50  1.25 180 300  SOT23
L2SC1623RLT1G  Si  NPN  0.225 60 50 7  0.15 150 250 3 180  SOT23
L2SC1623SLT1G  Si  NPN  0. 225 60 50 7  0.15 150 250 3 270  SOT23
L2SC2412KRLT1G  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 180  SOT23
L2SC2412KSLT1G  Si  NPN  0.2 60 50 7  0.15 150 180 2 270  SOT23
MMBT945-H  Si  NPN  0.2 60 50 5  0.15 150 150 3 200  SOT23
MMBT945-L  Si  NPN  0.2 60 50 5  0.15 150 150 3 130  SOT23
NSS60201LT1G  Si  NPN  0.54 60 4 150  SOT23
ZXTN19100CFF  Si  NPN  1. 5 100  4.5 150 200  SOT23F
ZXTN25050DFH  Si  NPN  1.25 50 4 200 240  SOT23
ZXTN25100DFH  Si  NPN  1.25 100  2.5 175 300  SOT23

Биполярный транзистор C945 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты

Наименование производителя: C945

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
  • Корпус транзистора: SOT23
  • Аналоги (замена) для C945

Автор: Редакция сайта

С 945 транзистор характеристики

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Когда ты обезопасил очередной район — не забудь об этом сообщить врагу.

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
400 60 50 5 150 150 200000000 3 70/700

Производитель: WEITRON
Сфера применения:
Популярность: 56392
Дополнительные параметры транзистора C945 (С945): Внимание! У разных производителей транзистора с945 — разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc. Проверяйте перед установкой.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора C945 (С945)

Общий вид транзистора C945 (С945). Цоколевка транзистора C945 (С945).

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-10-29 10:34:45; Пользователь: Дмитрий.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора C945 (С945).

Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 WEITRON: 123-ecb
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:30; Пользователь: Дмитрий.

Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 DAYA [Daya Electric Group Co., Ltd.]: 123-ebc
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:39; Пользователь: Дмитрий.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Огонь противника всегда попадает в цель.

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
400 60 50 5 150 150 200000000 3 70/700

Производитель: WEITRON
Сфера применения:
Популярность: 56393
Дополнительные параметры транзистора C945 (С945): Внимание! У разных производителей транзистора с945 — разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc. Проверяйте перед установкой.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора C945 (С945)

Общий вид транзистора C945 (С945). Цоколевка транзистора C945 (С945).

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-10-29 10:34:45; Пользователь: Дмитрий.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора C945 (С945).

Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 WEITRON: 123-ecb
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:30; Пользователь: Дмитрий.

Комментарий к рисунку: Цоколевка транзистора C945 DAYA [Daya Electric Group Co., Ltd.]: 123-ebc
Дата добавления: 2014-10-29 17:06:39; Пользователь: Дмитрий.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

C945 транзистор характеристики и его российские аналоги, dataheet

2SC5253 Datasheet (PDF)

4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba

2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba



 4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba



4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba



 4.5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba



4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba

2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba



4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi

2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector

4.9. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi

2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

4.10. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi

Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet

4.11. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo

4.12. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB

4.13. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

4.14. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

3DG2482S Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管,
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺,
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
构和少

3.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

3.2. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

 3.3. 3dg2482.pdf Size:210K _china

2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(

2SC4744 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4744.pdf Size:378K _hitachi

1.2. 2sc4744.pdf Size:221K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4744
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·Built-in Damper Diode
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE

 4.1. 2sc4742.pdf Size:32K _hitachi

2SC4742
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Character display horizontal deflection output
Feature
High breakdown voltage
VCES = 1500 V
Built-in damper diode type
Outline
TO-3P
2
1
1. Base
ID
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
3
2
3
2SC4742
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to emitter voltage VCES 1500 V
Emitter to base vol

4.2. 2sc4747.pdf Size:32K _hitachi

2SC4747
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Character display horizontal deflection output
Feature
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.3 s
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC4747
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 1500 V
Collector to emitter voltage VCEO 800

 4.3. 2sc4745.pdf Size:299K _hitachi

2SC4745
Silicon NPN Triple Diffused
Character Display Horizontal Deflection Output
Feature
TO-3PFM
High speed switching
tf = 0.2 s typ
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
Isolated package; TO-3PFM
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Rating Unit
1
2
3
1. Base

2. Collector
Collector to base voltage VCBO 1500 V
3. Emitter

4.4. 2sc4742.pdf Size:107K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4742
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·Built-in damper diode
·High breakdown voltage
APPLICATIONS
·Character display horizontal
deflection output
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
Absolute maximum ratings

 4.5. 2sc4747.pdf Size:90K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4747
DESCRIPTION
·With TO-3PFM package
·High speed switching
·High breakdown voltage
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection
output
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PFM) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBOL PARAMETER CONDI

4.6. 2sc4743.pdf Size:187K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4743
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.7. 2sc4746.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4746
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

4.8. 2sc4742.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4742
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CES
·Built-in Damper Diode
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃

4.9. 2sc4747.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4747
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

4.10. 2sc4745.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4745
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V (Min)
CBO
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for character display horizontal deflection
output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)

Биполярный транзистор 2SC4706 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4706

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO3P

2SC4706
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4706.pdf Size:190K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4706
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·High voltage switching transistor
APPLICATIONS
·For switching regulator and general
purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)
SYMBO

1.2. 2sc4706.pdf Size:23K _sanken-ele

2SC4706
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)
Application : Switching Regulator and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4706 Unit Symbol Conditions 2SC4706 Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
VCBO 900 V ICBO VCB=800V 100max A 0.1
9.6 2.0
VCEO 600 V IEBO VEB

 1.3. 2sc4706.pdf Size:218K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4706
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 600V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

2SC4770 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4770.pdf Size:98K _sanyo

Ordering number:EN3666A
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4770
Ultrahigh-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output Applications
Features Package Dimensions
High speed (tf=100ns typ).
unit:mm
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
2039D
High reliability (Adoption of HVP process).

Adoption of MBIT process.
16.0
5.6
3.4
3.1
2.8
2.0 2.0

1.2. 2sc4770.pdf Size:51K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC4770
DESCRIPTION
·With TO-3PML package
·High breakdown voltage, high reliability.
·High speed
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display
·Horizontal deflection output applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol
Maximum absolut

 1.3. 2sc4770.pdf Size:194K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4770
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: V = 1500V(Min)
(BR)CBO
·High Switching Speed
·High Reliability
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display horizontal deflection
output applications
ABSOLUTE MAXI

2SC4139 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc4139.pdf Size:190K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC4139
DESCRIPTION
·With TO-3PN package
·High voltage
·High speed switching
APPLICATIONS
·For switching regulator and general
purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=?)

1.2. 2sc4139.pdf Size:25K _sanken-ele

2SC4139
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose
External Dimensions MT-100(TO3P)
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)
Symbol 2SC4139 Symbol Conditions 2SC4139 Unit
Unit
0.2
4.8
0.4
15.6
0.1
9.6 2.0
VCBO 500 ICBO VCB=500V 100max A
V
VC

 1.3. 2sc4139.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4139
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulator and general purpose
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER

3DG2482H_A1 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

2.1. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

 3.1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管,
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺,
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
构和少

3.2. 3dg2482.pdf Size:210K _china

2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(

2SC6042 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc6042.pdf Size:182K _toshiba

2SC6042
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6042
High-Speed, High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
• High-speed switching: tf = 0.2 ?s (max) (IC = 0.3A)
• High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 375 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Collec

4.1. 2sc6046.pdf Size:138K _update

2SC6046
FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
DESCRIPTION
Unit:mm
OUTLINE DRAWING
2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with
high collector current, low VCE(sat).
2.8
0.65 1.5 0.65
FEATURE

●High collector current
IC(MAX)=600mA


●Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sa

4.2. 2sc6040.pdf Size:182K _toshiba

2SC6040
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6040
High-Speed and High-Voltage Switching Applications
Unit: mm
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
• High-speed switching: tf = 0.2 ?s (max) (IC = 0.3 A)
• High breakdown voltage: VCES = 800 V, VCEO = 410 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Co

 4.3. 2sc6044.pdf Size:36K _sanyo

Ordering number : ENN8251 2SC6044
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SC6044
High-Current Switching Applications
Applications
• Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.
Features
• Adoption of MBIT process.
• Low collector-to-emitter saturation voltage.
• High current capacity.
• High-speed switching.
Specifications
Absolute M

4.4. 2sc6043.pdf Size:248K _sanyo

Ordering number : ENN8326 2SC6043
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SC6043
High-Current Switching Applications
Applications
Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.
Features
Adoption of MBIT process.
High current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
High-speed switching.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=2

Биполярный транзистор 2SC3973B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3973B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220Fa

2SC3973B
Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3973b.pdf Size:117K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3973B

DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ High voltage,high speed Ў¤ Wide area of safe operation APPLICATIONS Ў¤ For high voltage,high speed switching applications
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol DESCRIPTION

Ў

3.1. 2sc3973.pdf Size:60K _panasonic

Power Transistors
2SC3973, 2SC3973A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
Unit: mm
10.0 0.2 4.2 0.2
Features
5.5 0.2 2.7 0.2
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
? 3.1 0.1
Wide area of safe operation (ASO)
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Full-pack package which can be installed to t

3.2. 2sc3973.pdf Size:179K _jmnic

JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC3973 2SC3973A
DESCRIPTION ·
·With TO-220Fa package
·High breakdown voltage
·High speed switching
·Wide area of safe operation
APPLICATIONS
·For high breakdown voltate ,high-speed
switching applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol
3 Emitter
Absol

 3.3. 2sc3973.pdf Size:211K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3973
DESCRIPTION ·
·Collector-Base Breakdown Voltage-
: V = 800V(Min.)
(BR)CBO
·Wide Area of Safe Operation
·High Speed Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

3.4. 2sc3973 2sc3973a.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION Ў¤ With TO-220Fa package Ў¤ High breakdown voltage Ў¤ High speed switching Ў¤ Wide area of safe operation APPLICATIONS Ў¤ For high breakdown voltate ,high-speed switching applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter

2SC3973 2SC3973A
Ў¤

Fig.1 simplified outline (TO-

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 3DG2482S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2482S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO92

3DG2482S
Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2482s.pdf Size:180K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482S
产品概述 特征参数
产品特点
3DG2482S 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
功率开关晶体管,
该产品采
● 高温特性好
IC 0.35 A
用平面工艺,
分压环终端结
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
构和少

3.1. 3dg2482h a1.pdf Size:182K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

3.2. 3dg2482ha1.pdf Size:182K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
R

3DG2482H A1
产品概述 特征参数
产品特点
● 开关损耗低
3DG2482H A1 是 硅 符 号 额定值 单 位
● 反向漏电流小
VCEO 400 V
NPN 型功率开关晶体管,该
● 高温特性好
IC 0.45 A
产品采用平面工艺,
分压环
● 合适的开关速度
Ptot (Ta=25℃) 0.8 W
终端结

 3.3. 3dg2482.pdf Size:210K _china

2SC2482(3DG2482) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于高压开关和放大,彩电行激励及色度信号输出。
Purpose: High voltage switching and amplifier, color TV horiz driver, chroma
output applications.
特点: 耐压高,集电极输出电容小。
Features: High voltage, small collector output capacitance.
极限参数/Absolute maximum ratings(

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Оцените статью:

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные



Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.


Таблицы зарубежных аналогов транзисторов


Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!


Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711


Биполярные транзисторы до 40 В


Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0.03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0.05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0.3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0.1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0.02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0.1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0.05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0.3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0.3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0.5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02
КТ8111В» n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5


Биполярные транзисторы до 60 В


Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А’ n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б’ n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А’ p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5


Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126


Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б’ p-n-p 80 8


Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8


Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2


Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2


Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5


Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126


Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10


Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218


Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10


Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15


Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10


Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30

C945 Лист данных | TGS — Datasheetspdf.com

TIGER ELECTRONIC CO., LTD

TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе

C945 ТРАНЗИСТОР (NPN)

К-92

ОСОБЕННОСТЬ

z Отличная линейность hFE

z Низкий уровень шума

z Дополняет A733

1.EMITTER

2 КОЛЛЕКТОР

3. БАЗА

МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (Ta = 25 ℃, если не указано иное)

Символ

VCBO

VCEO

ВЭБО

IC

ПК

ТДж

Тстг

Параметр

Напряжение коллектор-база

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора

Рассеиваемая мощность коллектора

Температура перехода

Температура хранения

Значение

60

50

5

150

400

125

-55-125

Блок

В

В

В

мА

мВт

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta = 25 ℃, если не указано иное)

Параметр

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отключения коллектора

Ток отключения коллектора

Ток отключения эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Напряжение насыщения база-эмиттер

Частота перехода

Выходная емкость коллектора

Уровень шума

Символ

Условия испытаний

Мин Тип Макс Единица

В (BR) CBO IC = 1 мА, IE = 0

60

В

В (BR) Генеральный директор

В (BR) EBO

ICBO

ICEO

IC = 100 мкА, IB = 0

IE = 100 мкА, IC = 0

VCB = 60 В, IE = 0

VCE = 45 В, IB = 0

50 В

5 В

0.1 мкА

0,1 мкА

IEBO

VEB = 5V, IC = 0

0,1 мкА

hFE (1)

VCE = 6 В, IC = 1 мА

70 700

hFE (2)

VCE = 6 В, IC = 0,1 мА

40

VCE (сб.)

IC = 100 мА, IB = 10 мА

0,3 В

VBE (сб)

IC = 100 мА, IB = 10 мА

1 В

fT VCE = 6 В, IC = 10 мА, f = 30 МГц 200

МГц

Cob VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц

NF VCE = 6 В, IC = 0.1 мА

RG = 10 кОм, f = 1 МГц

3,0 пФ

10 дБ

КЛАССИФИКАЦИЯ hFE (1)

Рейтинг

O

Диапазон

70-140

Я

120–240

ГР

200-400

BL

350-700

A, январь 2011 г.

Распиновка транзистора

C945, эквивалент, применение, особенности и применение

Распиновка транзистора C945, эквивалент, использование, особенности и приложения, подробности о том, как и где использовать этот транзистор, как добиться максимальной долговечности…

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип корпуса: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 150 мА
  • Макс.напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 60 В
  • Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 400 милВт
  • Максимальная частота перехода (fT): 200 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 70-700
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к C945 является A733

Замена и аналог:

2N2222, 2N3904, 2SC1815, 2SC3198 (конфигурация выводов НЕКОТОРЫХ транзисторов отличается от C945, проверьте конфигурацию выводов перед заменой в цепи)

Транзистор C945 объяснение / Описание:

C945 — это NPN-транзистор общего назначения, используемый в большом количестве коммерческих и образовательных электронных схем.Он изготовлен в корпусе TO-93, максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА или 0,15 А, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например светодиодов, реле, микросхем, транзисторов и других частей схемы. Напряжение насыщения транзистора составляет всего 0,3 В, что также является хорошей особенностью этого транзистора. Кроме того, транзистор также является малошумящим устройством и имеет хорошее усиление по постоянному току, которое составляет от 70 до 700.

Где и как использовать:

Как обсуждалось выше, транзистор имеет хорошее усиление по постоянному току и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя звука и усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных схемах.Напряжение насыщения большинства BJT-транзисторов составляет 0,6 В, но C945 имеет только 0,3 В, поэтому он может хорошо работать в цепях низкого напряжения или в любой цепи, где доступно низкое базовое напряжение, а другие транзисторы BJT не насыщаются. Его также можно использовать в радиочастотных цепях с частотой ниже 200 МГц.

Приложения:

Цепи датчика

Предварительные усилители звука

Ступени усилителя звука

Коммутационная нагрузка до 150 мА

Дарлингтонские пары

RF Схемы

Как безопасно долго работать в цепи:

Для безопасной работы этого транзистора в цепи рекомендуется не использовать его при напряжении более 50 В, всегда правильно подсоединять контакты и не обеспечивать его нагрузку более 150 мА, поскольку максимальная нагрузка, которую может выдержать этот транзистор, составляет 150 мА.Для лучшей производительности мы рекомендуем не касаться максимального предела нагрузки, всегда оставайтесь ниже него. Не подвергайте его воздействию температур выше +150 по Цельсию и ниже -55 по Цельсию и всегда используйте подходящий базовый резистор.

2SC945 Распиновка биполярного NPN-транзистора, характеристики, аналог и техническое описание

Описание контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Эмиттер

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

Коллектор

Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

3

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

Характеристики

  • Японский высокочастотный усилитель NPN Транзистор
  • Коэффициент усиления по току (hFE) от 70 до 700 (высокая линейность)
  • Постоянный ток коллектора (IC) составляет 150 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 50 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 60 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE0) составляет 5 В
  • Частота перехода 150 МГц
  • Доступен только в пакете To-92

Дополнительный PNP для 2SC945

A733

Современная замена на ON Semiconductor

2N3904 (Распиновка другая)

Альтернатива для 2SC945

BC546, 2SC1815, KSC945C

Предупреждение: C945 — это японский NPN-транзистор, поэтому выводы будут в порядке эмиттера, коллектора и основания.Но для европейских транзисторов, таких как BC546, порядок будет следующим: эмиттер, база и коллектор. Обычно во время такой замены используются термоусадочные трубки, которые пересекают штифты основания и коллектора без их соприкосновения.

О транзисторах 2SC945

C945 — это старый японский биполярный NPN транзистор звуковой частоты. Он имеет приличное значение усиления (hfe) максимум 700 и очень линейный. Следовательно, он широко использовался в усилителях для целей предварительного усиления в высокочастотных цепях.Он также используется в качестве генераторов с дополнительным транзистором A733 PNP.

При использовании в качестве переключателя им можно легко управлять с помощью MCU / MPU, поскольку его базовое напряжение составляет всего 5 В. Он может переключать нагрузки до 50 В, но имеет очень низкий номинальный ток коллектора, всего 150 мА, поэтому этот транзистор на самом деле не является хорошим выбором для использования в качестве переключателя. Лучшей альтернативой для переключения приложений будет 2N2222.

Однако этот транзистор устарел, и его будет нелегко достать, если вы находитесь в странах Азии или Европы.В этом случае вы можете попробовать транзистор 2N3904 от ON semiconductors, но не забудьте разобраться с распиновкой, как указано в разделе предупреждений выше.

Приложения

  • Слаботочные выключатели
  • Предварительные усилители
  • Н-мостовые схемы для двигателей малой мощности
  • Схемы усилителя звуковой частоты
  • Цепи генератора

2D Модель C945 (TO-92)

Транзистор

C945 — Техническое описание усилителя PDF

C945 Datasheet PDF Подробнее.

Номер детали: C945, 2SC945

Функции: Это своего рода полупроводник, кремниевый транзистор NPN.

Расположение контактов: 1. Эмиттер 2. Коллектор 3. База

Информация о пакете: ТО 92, СОТ-23 Тип

Производитель: Kexin, NEC, UTC

Изображение:

Тексты в файле PDF:

C945 — это кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор NPN, разработанный для усилителя звуковой частоты. Он дополняет PNP типа A733.2SC945 разработан для использования в каскаде усилителя AF и низкоскоростной коммутации.

Характеристики

0,4 3 +0,05 0,1-0,01 +0,1 0,97-0,1 1.База +0,1 0,38-0,1 2. Эмиттер 3.коллектор ■ Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ℃ Параметр Коллектор к напряжению базы Коллектор к напряжению эмиттера Напряжение эмиттера относительно базы Коллекторный ток (Постоянный ток) рассеиваемая мощность Температура перехода Диапазон температур хранения Обозначение VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Рейтинг 60 50 5 150 200 150 от -55 до +150 Единица VVV мА мВт ℃ ℃ ■ Электрические характеристики Ta = 25 ℃ Параметр Напряжение пробоя коллектор-база Коллектор -напряжение пробоя эмиттера Напряжение пробоя эмиттер-база Ток отсечки коллектора Ток отсечки эмиттера Усиление постоянного тока Напряжение насыщения коллектора Напряжение насыщения базы Напряжение насыщения коллектора к базе Коэффициент шума Частота перехода Символ V (BR) CBO V (BR) CEO V (BR) EBO ICBO IEBO hFE VCE (sat) VBE (sat) Cob NF fT Testconditons IC = 100 мкА, IE = 0 IC = 1 мА, IB = 0 IE = 100 мкА, IC = 0 VCB = 60 В, IE = 0 VEB = 5.0 В, IC = 0 VCE = 6,0 В, IC = 1,0 мА VCE = 6,0 В, IC = 0,1 мА IC = 100 мА, IB = 10 мА IC = 100 мА, IB = 10 мА VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц VCE = 6 В, IC = 0,1 мА, Rg = 10 кОм, f = 1 кМГц VCE = 6 В, IC = 10 мА, f = 30 МГц 150 4130 40 0,3 1,0 3,0 10 ВВ пФ дБ МГц Мин. 60 50 5 0,1 0,1 400 Тип Макс. Блок VVV мкА мкА 0-0,1 www.kexin.com.cn / SMD Тип 2SC945 Транзисторы Диоды 2 www.kexin.com.cn […]

Распиновка

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

1. Максимальная температура
(1) Температура хранения: от -55 до + 150 ° C
(2) Температура перехода: + 150 ° C Максимум

2.Максимальное рассеивание мощности (TA = 25 ° C)
(1) Полная рассеиваемая мощность: 250 мВт

3. Максимальные напряжения и токи (TA = 25 ° C)
(1) Напряжение от коллектора к базе: VCBO = 60 В
(2) Напряжение от коллектора к эмиттеру: VCEO = 50 В
(3) Напряжение эмиттер-база: VEBO = 5,0 В
(4) Ток коллектора: IC = 100 мА
(5) Базовый ток: IB = 20 мА

ХАРАКТЕРИСТИКИ
1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *