П416 характеристики: Транзистор П416 — DataSheet

Содержание

Транзистор П416 — DataSheet

Цоколевка транзистора П416

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог П416 2N602
П416А 2N604
П416Б 2SA279
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max П416 100(360*)
П416А 100(360*)
П416Б 100(360*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max П416 ≥40 МГц
П416А ≥60
П416Б ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. П416 12 В
П416А 12
П416Б 12
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  П416 3 В
П416А 3
П416Б 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max П416 25(120*) мА
П416А 25(120*)
П416Б 25(120*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO П416 10 В ≤3 мкА
П416А 10 В ≤3
П416Б 10 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э П416 5 В; 5 мА 20…80
П416А 5 В; 5 мА 60…120
П416Б 5 В; 5 мА 90…250
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э П416 5 В ≤8 пФ
П416А 5 В ≤8
П416Б 5 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас П416 ≤40 Ом
П416А ≤40
П416Б ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых П416 Дб, Ом, Вт
П416А
П416Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) П416 ≤500; ≤1000* пс
П416А ≤500; ≤1000*
П416Б ≤500; ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

3.13. У транзистора П416 в схеме с общей базой коэффициент передачи тока -0,99, выходная проводимость 0,8 мкСм. Определить собственные параметры транзистора

ВАРИАНТ 3
1.33. Используя анодные характеристики триода 6С1П, изображенные на рис. 1.6, построить рабочие анодно-сеточные характеристики для сопротивлений нагрузки 13 EMBED Equation.3 1415, равных 0, 10, 15, 25 кОм, и напряжения источника питания анодной цепи 13 EMBED Equation.3 1415= 250 В.

13 EMBED Word.Picture.8 1415

Рис. 1.6

2.3. Ток, текущий в идеальном р-n-переходе при большом обратном напряжении и T= 300 К, равен 2(10-7 А. Найти ток, текущий при прямом напряжении, равном 0,1 В.

3.13. У транзистора П416 в схеме с общей базой коэффициент передачи тока 13 EMBED Equation.3 1415= -0,99, выходная проводимость 13 EMBED Equation.3 1415= =0,8 мкСм. Определить собственные параметры транзистора: сопротивление коллектора 13 EMBED Equation. 3 1415 и коэффициент передачи тока эмиттера 13 EMBED Equation.3 1415.
4.3. Переходные процессы включения тиристора по цепи управления.
ПРИЛОЖЕНИЕ

Некоторые физические постоянные

Постоянная Больцмана 13 EMBED Equation.3 1415 Дж/К.
Заряд электрона 13 EMBED Equation.3 1415 Кл.
Диэлектрическая проницаемость свободного пространства 13 EMBED Equation.3 1415 Ф/м.

Параметры германия и кремния

Параметр
Ge
Si

Относительная диэлектрическая проницаемость 13 EMBED Equation.3 1415
16
12

Ширина запрещенной зоны, эВ
при Т= 0 К
при Т= 300 К

0,785
0,72

1,21
1,12

Подвижность электронов, см2/(В(с)
3900
1400

Подвижность дырок, см2/(В(с)
1900
500

Собственная концентрация носителей при 0(С, см-3
13 EMBED Equation.3 1415
13 EMBED Equation.3 1415

Собственное удельное сопротивление, Ом(см (Т= 293 К)
68
13 EMBED Equation.3 1415

Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/с
99
34

Коэффициент диффузии дырок Dp, см2/с
47
13

Root Entry

Приложенные файлы

  • 82275538
    Размер файла: 98 kB Загрузок: 0

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

ПРИЛОЖЕНИЯ

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

Приводим транзисторы каждой группы в такой последовательности, что все последующие заменяют все предыдущие. Возможна также обратная замена, но при этом качественные характеристики устройства могут ухудшаться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.

Высокочастотные германиевые р-п-р транзисторы мжпой мощности: П401, П402, П416, П422, П423, П403, П403А, П423А, ГТ309А-ГТ309Г, ГТ322В-ГТ322Е, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ308А, ГТ308В, ГТ313А, ГТ313Б.

Высокочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: 1$Т301, КТ301А-КТ301В, КТ301Г-КТ301Е, (П501), (П502), (П503), КТ315А-КТ315Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П13), МП39, (П13А), МП39А, (П13Б), МП39Б, (П14), МП40, (П15), МП41, МП41А, (П16), МП42, (П16А), МП42А, (П16Б), МП42Б.

Низкочастотные германиевые п-р-п транз’шггоры малой мощности: (П8), МП35, (П9), МП36, (П10), МП37, (П11), МП38, (П11А), МП38А.

Низкочастотные кремниевые р-л-р транзисторы малой мощности: (П104), МП114, (П105), МП115, (П106), МП116.

Низкочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П101), МП111, (П102), МП112, (П103), МП113.

Низкочастотные германиевые р-п-р транзисторы средней и большой мощное-, ти: ГТ402А, ГТ402Б, (П201), (П201А), (П203), П213А, П213Б, П214В, П214Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы средней мощности: ГТ404А, ГТ404Б.

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков на новые

Слева в столбцах даны старые марки транзисторов, справа — новые, которыми

их можно заменить.

П4А

_

П216А

П6Д

МП39Б

П4Б

П216Г

П8

МП35

П4В

П216Б

П9

МП36

П4Г

П216Г

П9А

МП36А

П4Д

П216Д

П10

МП37

П5А

ГТ108А

П10А

МП37А

П5Б

ГТ108Б

П10Б

_

МП37Б

П5В

ГТ108В

П11

_

МП38

П5Г

ГТ108Г

П11А

_

МП38А

П5Д

ГТ108Д

ШЗ

_

МП39

П5Е

ГТ108Г

П13А

_

МП39А

П6А

МП39

П14

_

МП40

П6Б

МП39А

П14А

_

МП40А

П6В

МП40

П14Б

_

МП40Б

П6Г

МП41

П15

МП41

П15А

— МП41А

П16

— МП42

П16А

— МП 42 А

П16Б

— МП42Б

П101

— МП111

П101А

— МП111А

Ш02

— МП112

П103

— МП113

П103А

— МП113А

П104

— МП114

П105

— МП115

П106

— мппв

П201

— П213А

П201А

— П213Б

П202

— П214Б

 

 

 

«ЛИСА», КОТОРУЮ ИЩУТ | МОДЕЛИСТ-КОНСТРУКТОР

Радиопередатчик, мощный или маломощный, — та самая «лиса», которую так усердно ищут «охотники» на соревнованиях. Маломощные передатчики выполнены на одном высокочастотном транзисторе типа ГТ308, П416. Их используют для тренировок, показательных выступлений, а также для настройки приемников. Схема такого передатчика, работающего в диапазоне 3,5— 3,65 МГц, — на рисунке 1.

Автогенератор собран на транзисторе V3. Автоматическое манипулирование (включение и выключение) осуществляет мультивибратор на транзисторах V1, V2. Катушка L1 намотана на полистироловом каркасе Ø 14 мм и содержит 55 витков провода ПЭЛ 0,35—0,41 с отводом от середины. Поверх нее намотана катушка L2 — 5 витков того же провода.

Постоянные резисторы — МЛТ-0,125. Конденсаторы C5, C6—KT; C1—C3 — К50-6; C4, C7 — сегнетокерамические.

Питание — аккумулятор 7Д-0,1. Антенна — медный провод длиной 1—5 м.

Налаживание схемы начинают с автогенератора. Его собирают на вспомогательной плате и подключают к резистору R5 «минус» источника питания.

Рис. 1. Принципиальная схема маломощного передатчика.

Работу генератора проверяют с помощью S-метра (рис. 2). Индикаторную катушку L1 прибора, состоящую из 8—10 витков провода ПЭВ 0,51, надевают на контур передатчика. Если генерации нет, выключают питание, проверяют правильность подключения транзистора, а затем конденсатор C7 заменяют на переменный с максимальной емкостью 1000 пФ. Изменяя величину C6 в пределах 180—510 пФ и вращая ручку переменного конденсатора, добиваются устойчивой генерации с максимальной амплитудой колебаний (узнают по отклонению стрелки 8-метра).

Рис. 2. Схема S-метра.

Частота генерации зависит от емкости конденсаторов C5—С7 и индуктивности катушки L1 (40 мкГн). Точное значение ее можно определить несколькими способами: с помощью контрольного калиброванного приемника, гетеродинного индикатора резонанса (ГИРа) или генератора стандартных сигналов, осциллографа и балансного смесителя.

Подстройку мультивибратора производят резистором R3.

Детали настроенного передатчика переносят на две печатные платы (рис. 3), следя при этом, чтобы выводы элементов были тщательно залужены.

Рис. 3. Печатные платы маломощного передатчика (М 1 : 1).

Платы размещены в алюминиевом корпусе размером 120X90X40 мм. В верхней части установлены антенный вывод и тумблер питания.

На рисунке 4 представлена схема маломощного передатчика с кварцевым резонатором B1 для стабилизации частоты. Автогенератор работает в момент, когда транзистор V2 мультивибратора закрыт. Причем время его работы в 8—10 раз превышает длительность паузы. Это облегчает пеленгование.

Рис. 4. Принципиальная схема маломощного передатчика с кварцевым резонатором.

Дроссель L1 намотан на полистироловом каркасе Ø 6 мм, длиной 25 мм с карбонильным сердечником и содержит 60 витков провода ПЭВ-1 0,12.

Настройка этого передатчика сводится к подбору емкости конденсатора C4.

На рисунке 5 схема передатчика повышенной мощности. Задающий генератор на транзисторе V1 стабилизирован кварцевым резонатором B1. V2 — выходной каскад ВЧ. Устройство, собранное на транзисторе V3, предназначено для индикации настройки антенны.

Рис. 5. Принципиальная схема передатчика повышенной мощности.

Колебания высокой частоты через трансформатор тока L1, L2 поступают на базу мощного транзистора V2. В цепи его коллектора включен контур L4 с положительной обратной связью.

Индикатор настройки представляет собой усилитель высокой частоты. С коллекторной нагрузки R6 ВЧ напряжение поступает на милпиамперметр PA1. Включенный параллельно ему диод V4 выпрямляет это напряжение.

В схеме передатчика использованы мощные транзисторы прямой проводимости. Однако можно применить и транзисторы n-p-n типа, изменив полярность включения питания на обратное. В задающем генераторе применимы транзисторы П601—П609, КТ315, КТ603, КТ603, в выходном каскаде — П601—П609 и ГТ910, КТ803, КТ903. (Рекомендуемые транзисторы — обоих типов проводимости.) Катушки L1 и L2 размещены в броневом карбонильном сердечнике СБ-За (внешний Ø 23 мм), который, в свою очередь, установлен в электростатический экран. L1 содержит 55 витков провода ПЭВ 0,35 (индуктивность 44 мкГн), L2 расположена поверх L1 и содержит 1 виток провода ПЭВ 0,51. Дроссель L3 намотан на каркасе с внутренним Ø 8 мм, высотой 20 мм, содержащем карбонильный сердечник, и имеет около 300 витков провода ПЭВ 0,35 (индуктивность 500 мкГн). Катушка L4 намотана на каркасе от регулятора размера строк (РРС) телевизоров старых выпусков. Эта катушка содержит ферромагнитный сердечник, смещающийся с помощью ручки вдоль каркаса. Ка нем намотано 68 витков провода ПЭВ 0,35—0,41 с отводом от 3-го витка.

Контур C2, L1 задающего генератора настраивают в резонанс. Причем операцию эту производят с отключенным выходным каскадом при пониженном напряжении питания. Индикацию осуществляет S-метр.

После того как генератор настроен, подключают выходной каскад и, подсоединив антенну — провод длиной

2—3 м, регулируют контур L4 (при пониженном напряжении питания). Сердечник выходного контура при максимальных показаниях индикатора настройки (2—3 мА) должен находиться в среднем положении.

Если в процессе регулировки стрелка индикатора отклоняется недостаточно, а S-метр при приближении «зашкаливает», нужно увеличить емкость конденсатора C8. Ток полного отклонения стрелки S-метра — 100 мкА. Хорошо настроенный и правильно согласованный с антенной передатчик потребляет ток 300—350 мА. Эта величина зависит от связи задающего генератора с выходным каскадом (количество витков L2), а также от согласования с антенной.

Передатчик смонтирован на печатной плате (рис. 6), выполненной из фольгированного гетинакса. Транзистор V2 установлен на радиаторе.

Рис. 6. Печатные платы мощного передатчика и индикатора настройки (М 1:1).

Манипуляция передатчика осуществляется вручную ключом либо электромеханическим прерывателем (рис. 7). Последний представляет собой кодовый диск с профильным контактным полем, изготовленным из фольгированного стеклотекстолита. Диск вращается электродвигателем е редуктором от детского конструктора. Скорость вращения устанавливается электронным регулятором. Схема коммутации передатчика и манипуляторов — на рисунке 8.

Рис. 7. Размещение элементов передатчика в корпусе:

1 — редуктор, 2 — кодовый диск, 3 — регулятор напряжения, 4 — переменный резистор, 5 — электродвигатель, 6 — плата индикатора настройки, 7 — токосъемник.

Рис. 8. Схема коммутации передатчика и манипуляторов.

Рис. 9. Схема задающего генератора.

Рис. 10. Принципиальная схема мощного передатчика.

Вместо задающего генератора с кварцевым резонатором можно использовать автогенератор с буферным каскадом (рис. 9). Катушка L1 содержит 36 витков провода ПЭВ 0,35 с отводом от середины. Поверх нее намотана катушка L2. Она содержит 12 витков того же провода. L1 и L2 помещены в броневой карбонильным сердечник СБ-1а, который, в свою очередь, установлен в электростатический экран — алюминиевый кожух.

Катушки L3 и L4 помещены в броневой карбонильный сердечник СБ-За. Первая содержит 36 витков провода ПЭВ 0,35. Поверх нее намотаны 3 витка L4 того же провода. Сердечник установлен в электростатический экран.

На рисунке 10 представлена схема мощного передатчика для «охоты на лис» с кварцевым резонатором. Катушки L1, L4 намотаны на каркасе с внутренним Ø 8 мм, высотой 20 мм с карбонильным сердечником и содержат по 300 витков провода ПЭВ 0,35 (индуктивность 500 мкГн). Катушки L2 и L3 расположены в броневом сердечнике СБ-За, помещенном в электростатический экран. L2 содержит 55 витков ПЭВ-1 0,35. Поверх нее намотан 1 виток провода МГШВ 0,35.

Катушка L5 содержит 55 витков провода ПЭВ-1 0,35—0,41 с отводом от 3-го витка и намотана на каркасе от РРС старых телевизоров.

А. ПАРТИН, мастер спорта СССР, г. Свердловой

Рекомендуем почитать

  • ХВОСТОВАЯ БАЛКА
    моделей планеров классов А1 и А2 должна удовлетворять трем требованиям — жесткости, прочности и малому весу. Лучшие результаты дает использование конусных тонкостенных стеклопластиковых…
  • ДОЗАТОР ДЛЯ ЭПОКСИДНОЙ СМОЛЫ
    Как известно, эпоксидный клей состоит из смолы и её отвердителя. Перед применением их смешивают в соотношении 8:1 по объёму — и эта масса через три-четыре часа превращается в твёрдый…

Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А — коэффициент усиления с общей базой.
Fmax — максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp — коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы — все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1. 2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 — 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 — 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 — 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 — 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 — цилиндрический «патрончик», соединенный с базой и два коротких
вывода — коллектор и эмиттер.
С3, С4 — корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная — вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная — пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная — в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная — близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная — в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B — коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 — 10 100 250
П2А 5 50 >9 — 10 100 250
П2Б 10 25 >9 — 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 — 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 — 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 — 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ — П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 — транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 — замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 — в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А — для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А — шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном — со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А — для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А — ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба — МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 — см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б — спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 — — >5 1 1000(имп) 40 100
П23 — — >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 — малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 — импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 — — >25 4,5 100 10 30
П31А — — >45 4,5 100 10 30
П32 — — >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 — симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа «замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 — там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т. е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп — макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 — pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 — — >20 1 20 10 150
П108А — — 13-25 1 20 10 150
П109 — — 13-25 2 20 10 150
П109 — — >15 3 20 10 150
П108-П110 — недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 — 25 40 100
П207А 10 2 >15 — 25 40 100
П208 10 2 >15 — 25 60 100
П208А 10 2 >15 — 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 — 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А — малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 — 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 — результат совершенствования и замена П201-П203.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 — 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г — результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 — то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И — П601И-П602АИ)
П604 — — >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А — — 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б — — 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 — выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 — 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 — 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение — усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее — тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая — введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце — буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент — буква П.
Втоpой элемент — цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 — маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 — маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 — мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 — мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 — маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 — маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 — мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 — мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

P416 | Far Cry Вики

P416

Цена

P416: 1980 $
Bushman: 3800 $

Боеприпасы

патронов для штурмовой винтовки

Поддерживаемое навесное оборудование

Extended Magazine
Прицел Marksman
Оптический прицел
Red Dot Sight
Reflex Sight

«P416 — это современный взгляд на классическое оружие. У него потрясающая скорострельность и высокая точность ».
P416 описание

«Иногда производители оружия делают все правильно с первого раза, а иногда они сносят своих кенгуру, простите за мой французский. На этот раз они все поняли правильно. Штурмовая винтовка P416 — это улучшенная версия известного, но несовершенного оружия. Это недешево. Это смертельно опасно, надежно и стоит каждого пенни ».
Руководство по выживанию

P416 — штурмовая винтовка из Far Cry 3 и Far Cry 4 .

В FC3 это оружие станет бесплатным после деактивации 15 радиовышек. В FC4 ​​он открывается по мере развития сюжета.

Far Cry 3

В игре Far Cry 3 , это основное оружие, которое выбирают каперские штурмовики, каперские защитники и каперские рекруты. Изначально он доступен в основной сюжетной миссии Warrior Rescue Service, где в игре появляются каперы, владеющие этим оружием. Если его подобрать, он не будет потерян после смерти или сохранений, но не будет доступен в магазинах до второго острова. У него очень короткий ствол, но такая же дальность стрельбы, как и у других штурмовых винтовок, высокая скорострельность, низкая отдача и средний урон. Его высокая скорострельность требует высокой меткости и дисциплины, чтобы не кончились боеприпасы. Поэтому рекомендуется стрелять короткими очередями.

Подпись Версия

«Настроенный P416 с оптическим прицелом, расширенным магазином, глушителем и специальной краской. Повышена точность и урон ».
Описание Bushman

Фирменная версия под названием Bushman с расширенным магазином, глушителем и прицелом для стрелка может быть разблокирована, отключив все 18 радиовышек на протяжении всей игры.Стоит 3800 долларов. Bushman — одна из трех штурмовых винтовок в игре, которые доступны с глушителем, и единственная полностью автоматическая из этих трех (стандартный P416 не может быть оснащен глушителем). Он также имеет самую большую дальность и третье место по урону среди всех штурмовых винтовок в игре, уступая только ACE и MS16 в категории повреждений. В описании оружия ошибочно указано, что оно использует оптический прицел, и хотя увеличение в игре такое же, как и у оптического прицела, оно использует модель прицела стрелка (ACOG) и сетку.

Галерея

Far Cry 4

«Шаг вперед по сравнению с AK47 с точки зрения точности и скорострельности, это оружие дорогое и смертельно опасное в руках стрелков».
Описание P416

P416 возвращается в Far Cry 4 . Он становится доступным, когда игрок завершает миссию «Истина и справедливость», хотя его также можно получить в начале первой миссии в DLC Hurk’s Redemption; его также можно получить бесплатно в начале миссий Нагорная проповедь, Убить или быть убитым, Смерть сверху и Не смотри вниз.Солдаты Королевской гвардии, стоящие на колокольне, ближайшей к Королевскому мосту, также вооружены этим оружием, что дает еще одну возможность разблокировать оружие раньше.

P416 в Far Cry 4 остается полностью автоматическим, а по характеристикам он имеет лучшую дальность и точность, чем его предыдущее воплощение. Это означает, что даже без прицела он остается жизнеспособным вариантом в качестве оружия прямой наводки на средней дистанции.

Подпись Версия

«Одна из редких штурмовых винтовок с идеальной сборкой для сбалансированной работы в штурмовом бою.»
Описание Bushman

Фирменное оружие Bushman возвращается из Far Cry 3 . Он имеет тот же прицел Marksman, глушитель и расширенный магазин, что и его предыдущая версия. Он открывается после достижения 10 уровня на Shanath Arena (что может быть сделано в Южном Кирате даже до разблокировки стандартного P416, если игрок готов приложить усилия так скоро).

Bushman сохраняет большинство качеств своего предыдущего воплощения, и теперь это одна из двух полностью автоматических штурмовых винтовок с глушителем (вторая — версия Signature от AK47, Warrior ).Он предлагает бонус ко всем статусам, кроме скорострельности, по сравнению с обычным P416. По сравнению со своим предыдущим воплощением Signature, по статистике, Bushman в Far Cry 4 имеет даже лучшую дальность, точность и подвижность, что делает его настоящим победителем в категории штурмовых винтовок.

Галерея

Общая информация

  • P416 основан на реальной штурмовой винтовке POF (Patriot Ordnance Factory) P416 под патрон 5.56x45mm NATO.
  • Похоже, что на P416 установлен патрон 10.Ствол длиной 4 дюйма с расширенным пламегасителем и магазином Magpul PMAG.
  • Спуск затвора можно увидеть на левой стороне оружия, но Джейсон и Аджай не используют его, просто потянув за рукоятку затвора после пустой перезарядки. Вероятно, это было сделано для того, чтобы анимации перезарядки менялись, поскольку они действительно приводят в действие спусковой затвор на STG-90.
  • Это оружие предпочитают Каперы в Far Cry 3 и Королевская гвардия в Far Cry 4 , так как они считают его более точным и быстрым, чем обычный AK47.
  • Некоторые каперы не могут позволить себе P416, как это видно в вербовочном центре, в Терстон-Тауне и в Комплексе.
  • «Известное, но несовершенное оружие», упомянутое в «Руководстве по выживанию Far Cry 3» s, — это M4A1, винтовка, на которой основана P416. P416 был создан POF (Patriot Ordnance Factory) и должен был стать обновлением существующей модели M4A1 Colt.
  • Часто думают, что это ружье основано на Heckler & Koch HK416, но его название было изменено для защиты авторских прав (они выглядят одинаково и имеют очень похожие названия).Это НЕ правда, это просто внешне похожие на газовые поршни винтовки AR-15.
  • В Far Cry 3 на P416 используются прицелы Troy. В Far Cry 4 вместо этого используются железные прицелы Magpul. Прицелы Far Cry 4 также перевернуты.

QQ-P-416 Техническая информация

В заказе на поставку должно быть указано не менее следующего:

  • QQ-P-416E
  • Тип
  • Класс
  • При необходимости испытание на водородное охрупчивание партии (см.4.2) и выборка
  • Металлическая основа под покрытие
  • Предел прочности или твердость основного металла
  • Снятие напряжений перед пластиной, выполняемое процессором нанесения покрытий (время и температура)
  • Особенности, геометрия или обработка деталей, требующая особого внимания со стороны процессора для нанесения покрытий
  • Облегчение водородной хрупкости, выполняемое процессором для нанесения покрытий (параметры или справочный документ)
  • Количество штукатурок.

Типы

I — С покрытием

II — с дополнительной обработкой хроматом

III — С дополнительной фосфатной обработкой

1.1.2 Классы

1 — 0,0005 дюйма, минимум

2 — 0,0003 дюйма, минимум

3 — 0,0002 дюйма, минимум

Если не указано иное, детали с пределом прочности на разрыв более 200 тысяч фунтов на квадратный дюйм (HRC 43) не должны быть покрыты гальваническим покрытием в соответствии с этой спецификацией.

Стальные детали, которые были подвергнуты механической обработке, шлифованию, холодной штамповке или холодной правке после термообработки, должны быть сняты напряжения в соответствии с таблицей 1 или таблицей 1A, в зависимости от обстоятельств. Снятие напряжения должно предшествовать дробеструйной обработке, очистке и гальванике для снятия повреждающих остаточных напряжений растяжения. Снятие напряжения не требуется для крепежных изделий, если вся холодная обработка ограничивается холодной обработкой галтеля между головкой и хвостовиком и накатыванием резьбы после термообработки.

Средство для снятия водородной хрупкости

Все детали должны быть запечены в течение 4 часов после завершения операции нанесения покрытия, как указано в Таблице 1 или Таблице 1А, в зависимости от обстоятельств.Пластинчатые пружины и другие детали, подверженные изгибу, не должны изгибаться перед обработкой для снятия водородного охрупчивания. В случае деталей, обработанных типами II и III, которые требуют обжига, обработка обжигом должна выполняться до нанесения дополнительных покрытий. Покрытые кадмием поверхности, пассивированные в результате операции обжига, должны быть повторно активированы до получения дополнительной обработки хромом типа II. Следующие сплавы не считаются восприимчивыми к водородному охрупчиванию в результате процесса кадмиевого покрытия и, следовательно, не требуют обработки для снятия водородного охрупчивания (см. Таблицы 1 и 1A) или испытания на устранение водородного охрупчивания:

  1. UNS S66286, UNS N07718, UNS R30159, UNS R30035, UNS N04400, UNS N06600, UNS N07750
  2. Аустенитная нержавеющая сталь серии 300
  3. Алюминий и алюминиевые сплавы.

Нанесение покрытия

Покрытие наносят после завершения всех термических обработок основного металла и механических операций, таких как механическая обработка, пайка, сварка, формование и перфорация изделия.

Подкрытие

Кадмий должен наноситься на основной металл без предварительного покрытия другим металлом, за исключением деталей из коррозионно-стойких сплавов, на которые может потребоваться предварительное покрытие никелем или медью, или на деталях из алюминия, на которых может потребоваться предварительная обработка, такая как процесс цинкования или предварительное покрытие меди или никеля без химического восстановления.

Заявление о параметрах блеска / осветлителя:

При определении использования / возможностей блеска / осветлителя необходимо учитывать несколько факторов; наряду со строгими требованиями в зависимости от характеристик детали. Пожалуйста, свяжитесь с AOTCO, где мы уделим время работе с этими параметрами и определим, как они относятся к вашей конкретной части (-ам).

Дополнительные процедуры:

Тип II — впоследствии покрытие не полностью.Хроматная обработка. Цвета: бронзовый, коричневый, оливково-серый, желтый и лесной зеленый. Цели — предотвратить появление белых пятен коррозии и отпечатков пальцев.

НЕ ДОЛЖЕН использоваться, если детали будут постоянно подвергаться воздействию 149F или выше или периодически подвергаться воздействию 300F или выше.

Тип III — впоследствии полностью с покрытием. Фосфатирование. Создает плотно прилегающую пленку, соответствующую Типу I TT-C-490.

Основная цель — формирование основы покрытия. Фосфатное покрытие предпочтительнее для деталей, которые впоследствии будут полностью покрыты.

5.7 Ограничения на упаковку

Изделия с кадмиевым покрытием не следует упаковывать в невентилируемые контейнеры вместе или в контакте с электрическим оборудованием из-за опасности вредного воздействия на кадмиевое покрытие нестабильной органической электрической изоляции. В дополнение к органической электрической изоляции, фенольные смолистые вещества и другие вещества, содержащие ненасыщенные углерод-углеродные связи, такие как масло, краска, пропитанная бумага и т. Д., Вызывают аномальное воздействие на кадмий, высвобождая в присутствии влаги муравьиную кислоту. кислота, масляная кислота и др.Коррозия кадмиевых покрытий и металлической основы была отмечена, когда изделия с кадмиевым покрытием упаковывались в непосредственном контакте с материалами контейнера, такими как дерево или картон. Коррозия особенно сильна, если материалы контейнера намокли или хранились в условиях высокой влажности.

ХАРАКТЕРИСТИКИ И ВОЗМОЖНОСТЬ ПОЛНОГЛУБИННЫХ АСФАЛЬТОВЫХ ТРОНЕЙ

MERKMALE UND MOEGLICHKEITEN DES ASPHALTOBERBAUS

Автор подчеркивает особенно хорошее распределение нагрузки и устойчивость в асфальтовых покрытиях на всю глубину и сравнивает эти покрытия с бетонными покрытиями, установленными непосредственно на связном грунте. Дано описание преимуществ при укладке смеси и при герметизации пласта от осадков. Примеры тротуаров, построенных в США (где есть рекомендации по проектированию), Финляндии, Франции, Дании, Австрии и Швейцарии, критически обсуждаются с точки зрения выполнения строительства и экономической эффективности. Приведены подробные сведения о программе измерений, предусмотренной для экспериментальных дорог в Германии: определение характеристических значений грунта, значений E2, проверка содержания влаги в грунте с помощью прибора для нейтронного зондирования, определение коэффициентов теплопроводности битумных слоев. , динамические измерения несущей способности.Измерения осадки с помощью луча Бенкельмана и измерения температуры на различных уровнях. / TRRL /

  • Наличие:
  • Корпоративных авторов:

    Verlag fuer Publizataet

    Auf der heide 20
    300 Isernhagen HB, Ганновер,
    Германия
  • Авторов:
  • Дата публикации: 1972-6

Язык

Информация для СМИ

Предмет / указатель терминов

Информация для подачи

  • Регистрационный номер: 00081359
  • Тип записи:
    Публикация
  • Агентство-источник: Bundesanstalt für Straßenwesen (BASt)
  • Файлы: ITRD, TRIS
  • Дата создания:
    1 мая 1975 г. 00:00

P416.Риск тромбоэмболических осложнений у пациентов с воспалительными заболеваниями кишечника: 10-летний опыт работы в нашей клинике

C. Suarez Ferrer 1 , M. Garcia Casas 1 , M.I. Vera Menoza 2 , L. del Amo San Roman 3 , Y. Gonzalez Lama 1 , M. Calvo Moya 3 , J. Abad Guerra 3 , I. Blazquez Gomez 3 , L.E. Абреу Гарсия 3

1 Больница Университарио Пуэрта де Йерро, Гастроэнтерология и гепатология, Мадрид, Испания; 2 Universitario Puerta de Hierro, Больница Universitario Puerta de Hierro, Мадрид, Испания; 3 Universitario Puerta de Hierro, Gastroenterologia y Hepatologia, Madrid, Испания

Общие сведения: Воспалительное заболевание кишечника является независимым фактором риска тромбоэмболических событий.

Мы оценили распространенность и возможные факторы риска, связанные с возникновением тромбоэмболических осложнений у пациентов нашей клиники с воспалительными заболеваниями кишечника.

Методы: Все пациенты с воспалительным заболеванием кишечника, перенесшие тромбоэмболические осложнения любого типа, были задним числом обследованы специализированным отделением независимой независимой больницы.

Результаты: Данные были собраны задним числом за период с января 1995 г. по декабрь 2011 г., всего 23 пациента.У 61% из них была диагностирована болезнь Крона (БК), а у 39% — язвенный колит (ЯК) согласно стандартным диагностическим критериям. 65% пациентов составляли мужчины, средний возраст 46 лет для группы UC (диапазон: 35–68) и 51 год (диапазон: 25–74) для группы CD.

Из пациентов с CD у 58% было поведение, вызывающее болезнь B1, у 25% — B2 и у 17% — B3. Локализация заболевания: L1: 17%, L2: 33%, L3: 50%.

Пациенты с ЯК были классифицированы следующим образом: E3: 78%, E2: 11%, E1: 11%; S0: 22%, S1: 22%, S2: 11%, S3: 44%.

На момент возникновения тромбоэмболического события у 48% была активность от легкой до умеренной, а у 22% — тяжелая. 30% находились в состоянии покоя, а 44% находились в стационаре.

Что касается характеристик каждого пациента, следует отметить следующее: ни у одного пациента в семейном анамнезе не было тромбоэмболических событий, и только 2 пациента (9%) страдали ассоциированной тромбофилией. 26% (6 пациентов) были активными курильщиками. Во время беременности никаких событий не произошло. Когда произошло событие, только один пациент принимал противозачаточные препараты.

В наших случаях наиболее частым тромбоэмболическим событием был тромбоз глубоких вен (30%), за которым следовала легочная тромбоэмболия (14%). Только одна смерть произошла из-за тромбоэмболии, у 38-летнего пациента с язвенным панколитом с легкой или умеренной активностью, получавшего кортикостероиды. Пациенту в 1996 году была сделана трансплантация печени по поводу первичного склерозирующего холангита. Пациент скончался дома в результате массивного тромбоза нижней полой вены.

Когда произошли события, 52.3% пациентов получали кортикостероиды, 30,4% получали иммуносупрессивную терапию и 17,3% получали терапию анти-TNF.

Выводы: Воспалительное заболевание кишечника является фактором риска возникновения тромбоэмболических событий. В нашей серии случаев пациентами с наибольшим риском были мужчины, пациенты с CD и пациенты с активной фазой заболевания. Других сопутствующих факторов риска обнаружено не было.

Транзисторы 50х П416Б / 2СА279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор Business & Industrial

Транзисторы 50х П416Б / 2СА279 СССР.2N384 / НОВИНКА / Германиевые транзисторы для бизнеса и промышленности

50x P416B / 2SA279 СССР. 2Н384 / NEW / Германиевый транзистор, СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор 50x P416B / 2SA279, P416Б плавленый германий pnp универсальный, Структура транзистора: pnp, • fгр — предельная частота передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц; , Основные технические характеристики транзистора П416Б П416Б Транзисторы П416, П416А. / 2SA279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор 50x P416B.

перейти к содержанию

Информация

Контактная информация

, ул. С. Ван Бюрен, 1195
Шипшевана, IN 46565


(260) 768-7750

[адрес электронной почты защищен]

50x P416B / 2SA279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор

50x P416B / 2SA279, 2N384 / NEW / Германиевый транзистор. СССР .. Основные технические характеристики транзистора П416Б П416Б Транзисторы П416, П416А, П416Б плавленый германиевый p-n-p универсален.Структура транзистора: p-n-p. • fгр — предельная частота передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц; .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный элемент в оригинальной упаковке ( где применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерызничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий : Модель: : P416B , Бренд: : СССР : Страна / регион производства: : Российская Федерация , Тип транзистора: : PNP BJT : MPN: : Не применяется ,。

50x P416B / 2SA279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор

50x P416B / 2SA279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор

USB-кабель для Arduino 1PCS MEGA 2560 R3 ATMEGA16U2 ATMEGA2560-16AU Board. Крышка резервуара для тормозной жидкости 930745 для zetor 4712 4718 4911 5211 5213 5243 5245. КОНЦЕВАЯ ФРЕЗА С ДИАМЕТРОМ 3/8 ТВЕРДОГО КАРБИДА, ДИАМЕТР 3/8, 10 ШТ., СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ ФРЕЗА С ДИАМЕТРОМ 3/8 Х 2-1 / 2, Okami Amaterasu 01 # Коврик для мыши Коврик для мыши Коврик для мыши M0389 , 1 «алюминиевая квадратная труба 6063 T5.125 дюймов стены x 48 дюймов, 10 шт. APMT1604PDER DP 5320 Твердосплавные вставки DP5320 Набор сменных лезвий Практичный, KIDDE FENWAL 486536 3PDT 10-15 Ампер 125-250 В переменного тока 3 / 4HP РЕЛЕ ДАВЛЕНИЯ ** XLNT **. Один НОВЫЙ 10,4-дюймовый ЖК-экран NEC NL6448AC33-18K NL6448AC33-18, инфракрасный светодиод, ИК-свет 3 Вт для модуля камеры Raspberry Pi, ночного видения . TOCA. DC-DC 400 Вт, 6-40 В до 8-80 В, 10A, повышающий блок питания повышающего преобразователя. Матричный массив 4 x 4, 16 клавиш, 4 * 4 переключателя, клавиатура, клавиатура для Arduino New. 2 шт. TD62083AFG TD62083AF 8-канальный драйвер раковины Дарлингтона SOP-18 Новый, мини-неодимовый магнит для восстановления металла, металлический детектор, коготь, сильный магнит g0k61, CREST автоматический переключатель голосовых данных VDS- 9003.4x MINI WIPPSCHALTER WIPPENSCHALTER RUND SCHWARZ 15MM 1 POLIG KFZ 12V 6A 230V 3A, токарный станок South Bend Heavy Ten 10-дюймовая гайка подачи с поперечным смещением PT65R1. 12 X3 = 12 предохранителей 4-Pack Cooper Bussmann SL Style 15 A Plug Предохранитель, опасность поражения электрическим током ELECTROMARK PK8 M1267-3XDU8.008 Уплотнительные кольца 3/16 «x 5/16» Buna-N 90 Duro AS568 # Гидравлическое / пневматическое Кол-во 25. Заправка бровей Стандартный безветренный флажок Swooper с 2 полными комплектами, сварной гидравлический цилиндр, отверстие 3 «двойного действия 30 «Stroke PinEye End 3×30 НОВИНКА. 6 струн 2.Плата балансного модуля платы защиты суперконденсатора 7V 3000F. Mocha Anti-Fog Lens Mocha Temple Защитные очки Starlite. 1/2/4 шт., 2 фазы, 4 провода, 42 мм, 1,8 °, шаговый двигатель Nema 17 для 3D-принтера, экструдер, STAY HIGH PICKS, 2 дюйма x 2 дюйма, мини-пакеты с застежкой-молнией, 2020, НАПЕЧАТАННЫЙ ДИЗАЙН, твердая латунь, большой палец с накаткой 8-32 x 3/8 дюйма Винт 50 шт.

50x P416B / 2SA279 СССР. 2N384 / NEW / Германиевый транзистор
P416Б германиевый предохранитель pnp универсальный, Структура транзистора: pnp, • fгр — предельная частота передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц;, Main Технические характеристики транзистора П416Б П416Б Транзисторы П416, П416А.

PCI Bus to PC CardBus Read-Writer 2 слота Внутренний Передний Задний P416, Synchrotech

Передний и задний адаптер Synchrotech Elan P416 PCI to PC Card поддерживает два независимых гнезда для карт, совместимых со стандартами PC Card. Передний 16-битный слот обеспечивает удобный доступ для таких карт, как флэш-накопители или распознавание отпечатков пальцев. Задний 32-битный слот CardBus подходит для карт, которые меняются реже, в том числе для карт беспроводной локальной сети 802.11 или Bluetooth. Задний слот полностью совместим с CardBus и предназначен для работы с картами CardBus, обеспечивающими высокоскоростные соединения, такие как IEEE 1394 и USB 2.0. Считыватель обеспечивает богатый набор функций, что делает его идеальным для соединения PCI и PC Card в настольных компьютерах. Устройства соответствуют спецификациям 16-битной PC-карты и 32-битной карты CardBus и поддерживают любую комбинацию 8-битных или 16-битных PC-карт в любом из двух разъемов и 32-битных карт PC CardBus в заднем гнезде, с питанием от 5,0 В или 3,3 В в качестве требуется. Конструкция устройства с двумя слотами позволяет одновременно использовать до двух карт типа I, двух типов II или двух карт типа III.

Передний слот для карт содержится в стандартном 3. 5-дюймовый отсек для накопителей, обеспечивающий удобный доступ к считывателю для вставки карт. Интерфейс хост-системы для считывателей соответствует спецификации PCI Local Bus Specification 2.1 или более поздней версии. Уникальные схемы маршрутизации прерываний, конфигурируемые программным обеспечением, и необходимое программное обеспечение накопителя предоставляются вместе для считыватель для обслуживания карт ввода-вывода, требующих наличия функции IRQ от гнезда. Это позволяет считывателю поддерживать большинство 16-битных приложений PC Card и CardBus, включая: карту беспроводной локальной сети (802.11b, Bluetooth и т. д.)), высокопроизводительные карты CardBus, включая IEEE 1394 и USB 2.0, устройство также поддерживает карты памяти, включая ATA Flash, CompactFlash и Microdrives (с адаптерами PC Card), карты SRAM и многое другое. Драйверы для устройства работают практически со всеми операционными системами Microsoft Windows и Linux, работающими на платформе 586 или более поздней версии.

Следуйте @synchrotech_inc

Особенности и характеристики

Характеристики
  • Поддерживает интерфейс диска PCMCIA-ATA
  • Одна передняя 16-битная (PCMCIA 2.1 / JEIDA 4.2) Гнездо для карты ПК
  • Один задний 32-битный и 16-битный (PCMCIA 2.1 / JEIDA 4.2) разъем PC CardBus
  • Запатентованная конструкция аппаратного и программного обеспечения требует только одного разъема PCI для IRQ
  • Соответствует спецификации локальной шины PCI 2.1 и выше
  • соответствует стандартной спецификации PCMCIA PC Card 95
  • 3,3 В, 5 В или смешанные операции с платой PC Card 3,3 / 5 В
  • Универсальная плата PCI с ключом 3,3 В и 5 В
  • Автоматическое обнаружение карт ПК
  • Поддержка ACPI
Информация о гарантии
Требования к оборудованию
  • ПК-совместимый компьютер
  • Свободный слот расширения PCI
  • Бесплатно 3. 5-дюймовый отсек для привода
Операционные системы
  • Windows Vista
  • Windows 95, 98, 98SE, Millennium Edition и Windows 2000 / XP
  • Windows NT 4.0 + SP6 (рекомендуется SystemSoft CardWizard 5.2+)
  • Не поддерживается, но известно, что он работает со многими дистрибутивами Linux и BSD
В комплект входит
  • PCI Card к одному слоту PC Card 3.Устройство отсека для привода 5 дюймов
  • PCI-карта с одним слотом PC CardBus слот
  • Драйверы на дискете
  • Руководство пользователя документация
Интерфейс карты ПК
  • Слот 1: до карты типа III
  • Слот 2: до карты типа III
Физические характеристики
  • Интерфейсная карта PCI: 155 X 93 мм (LW)
  • Хост-мост PCI-PCMCIA: PCI-1420
Электрические характеристики
  • 12 В при 3 мкА стандартно
  • 5V @ 1A стандарт (защита от замыканий)
  • 3. 3 В при 1 А тип. (Защита от короткого замыкания)
Операционная среда
  • Рабочая температура: от 0 ° C до 60 ° C
  • Температура хранения: от -20 ° C до 80 ° C
  • Относительная влажность: от 0% до 90% без конденсации

Керамика зуни: P416 Керамика зуни

Описание

P416 Горшок зуни работы мастера-гончара зуни АНДЕРСОНА ПЕЙНЕЦЫ. Коричневый горшок 10,5 x 11 дюймов украшен изображением черного оленя и волнами.

Художники-гончары дзюни часто создают экстравагантные геометрические узоры, многие из которых включают зигзагообразные линии, изображающие проточную воду.

Работы Андерсона отображают ряд характерных стилей и узоров традиционной керамики зуни.

Звоните для доставки

О Гончаре:

АНДЕРСОН ПЕЙНЕЦА

ZUNI

Горшки Андерсона построены так же, как и гончары Зуни до него — из скрученных вручную тонких мотков глины. Формы его изделий приятны глазу и безупречно красивы как по эстетике, так и по форме. Андерсон черпает дизайнерские идеи для своих работ из старой керамики Зуни и интерпретирует эти ранние изображения для создания своих современных дизайнов. Его линии и изображения точны и создают элегантные плавные линии, которые очень хорошо сбалансированы. Его живопись превратилась в подвижный, ритмичный стиль. Как и большинство гончаров пуэбло, он делает свои краски из земли и растительных пигментов. Он пишет черными и красновато-коричневыми пигментами на чисто-белом или темно-землисто-красном сильно отполированном фоне.

Работая в команде, Андерсон и его жена Авелия выработали в своей работе ритм и единый элегантный стиль. Авелия шлифует и полирует керамику. Андерсон говорит, что она умеет это делать — он разбивает горшки, когда пытается полировать. Горшки изготавливают утром, а на ночь расписывают. Маленькие горшки сохнут за один день; большие оллы сохнут несколько дней. Белую накладку наносит равномерно и довольно обильно — цвет глиняного корпуса горшка не просвечивает. Он также очень твердо держит кисть в руке и очень хорошо загружает кисти, чтобы равномерно нанести пигмент на поверхность горшка (без тонких пятен в цвете).

Семья Пейнеца хорошо известна в коллекционерах. Сестра Андерсона Агнес делает изделия меньшего размера, большинство из которых украшено ящерицами и лягушками — символами животных, которые очень почитаются зуни. Несмотря на то, что Авелия более чем счастлива, что все внимание освещено ее мужем, она тоже делает горшки.

Андерсон и Авелия изучали свое ремесло в средней школе Зуни у Дженни Лаате (опытный гончар по Акоме, преподававший в Зуни), и с тех пор он был гончаром.Эта семья зарабатывает на жизнь гончарством, а не подработкой. Андерсон, возможно, приближается к среднему возрасту и находится на пике своего мастерства. Мы с нетерпением ждем, когда его работа изменится в будущем, когда он станет художником.

Руки Андерсона — они явно похожи на руки человека, работающего с влажной средой. Глина очень сушит, так как высасывает масла с поверхности кожи. А приготовление глины из осколков камня — кропотливая работа.Он, как и другие гончары зуни и его предки, выкапывает собственную глину на землях пуэбло в священном месте, куда допускаются только гончары.

Выкопав глину из земли, ее привозят домой и замачивают в воде на 2-3 дня для размягчения. Иногда в глину для придания ей эластичности иногда добавляют небольшие осколки глиняных черепков. Лишняя вода сливается, а глина кладется в наволочки на улицу, чтобы отдохнуть… .Тогда начинается настоящая работа.

Андерсон начал делать гончарные изделия в восьмом классе школы, и его гончарные изделия имеют очень самобытный и красивый стиль.Андерсон получил множество наград за свои работы, его много раз приглашали в Музей Херда (Феникс, Аризона), а также он участвует в Индийском рынке — выставке индейского искусства, проводимой один раз в год на улицах центра Санта-Фе. 3-е выходные августа, производство SWAIA. (Юго-западная ассоциация индийского искусства: более 80 лет это крупнейший и самый престижный межплеменной рынок изобразительного искусства в мире.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *