Кт827 характеристики: Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)

Содержание

Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Цоколевка и размеры корпуса

 

 

 

 

   

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзисторов КТ827:














ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ, ВIК, АUКЭ нас, ВIКЭR, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ827А2040100100512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827Б20408080512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827В20406060512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А2040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А22040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827А52040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827Б20408080512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827Б220408080512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т872В20406060512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т872В220406060512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4

Аналоги и замена

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87.

Список возможных замен на зарубежные транзисторы:



КТ827АКТ827БКТ827В
BDX65A     
BDX67     
BDX87C     
MJ3521     
MJ4035
2N6058     
2N6283     
BDX63     
BDX65     
BDX67     
BDX85B     
BDX87B     
MJ3001     
MJ4034
2N6057     
2N6282     
BDX85     
BDX85A     
BDX87     
BDX87A     
MJ3000     
MJ3520     
MJ4033

Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:

Транзистор КТ827: характеристики, параметры, цоколевка, аналоги

Транзистор КТ827 – кремниевый, мощный, низкочастотный составной n-p-n транзистор. Применяется в схемах стабилизации тока и напряжения, усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, переключающих устройствах. Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Цоколевка транзистора КТ827

Характеристики транзистора КТ827












ТранзисторUкбо(и),ВUкэо(и), ВIкmax(и), АPкmax(т), Втh31эfгр., МГц
КТ827А10010020 (40)125750-180004
КТ827Б808020 (40)125750-180004
КТ827В606020 (40)125750-180004
2Т827А10010020 (40)125750-180004
2Т827А210010020 (40)125750-180004
2Т827А510010020 (40)125750-180004
2Т827Б808020 (40)125750-180004
2Т827Б2808020 (40)125750-180004
2Т827В606020 (40)125750-180004
2Т827В2606020 (40)125750-180004


Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Вместо КТ827 можно использовать схему составного транзистора

Аналоги транзистора КТ827


КТ827А — 2N6059, 2N6284

КТ827Б — 2N6058

КТ827В — 2N6057

Транзистор КТ827 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ827
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ827АBDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858, 

2N6284, PMD1603K *2, MJ3521 *2

КТ827БBDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2
КТ827ВBDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282, 

SDM4005 *2, 2N6057 *2

Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ827А125*Вт
КТ827Б125*
КТ827В125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ827А≥4МГц
КТ827Б≥4
КТ827В≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ827А100*В
КТ827Б80*
КТ827В60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ827А5В
КТ827Б5
КТ827В5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ827А20(40*)А
КТ827Б20(40*)
КТ827В20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ827А100 В≤3мА
КТ827Б80 В≤3
КТ827В60 В≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ827А3 В; 10 А750..18000*
КТ827Б3 В; 10 А750..18000*
КТ827В3 В; 10 А750..18000*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ827А10 В≤400пФ
КТ827Б10 В≤400
КТ827В10 В≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ827А≤0.2Ом, дБ
КТ827Б≤0.2
КТ827В≤0.2
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ827АДб, Ом, Вт
КТ827Б
КТ827В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ827А≤4.5* мкспс
КТ827Б≤4.5* мкс
КТ827В≤4.5* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы

КТ973

Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p.

Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока

свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:

У транзисторов КТ973А —
60в.
У транзисторов КТ973Б —
45в.

Коэффициент передачи тока — от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора4 А.

Обратный ток колектора
при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА

— не более 1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА

— не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора
8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока

200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 — BD876.

На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ827А20 (40)1001005125750…18000234
КТ827Б20 (40)80805125750…18000234
КТ827В20 (40)60605125750…18000234
2Т827А20 (40)1001005125750…18000234
2Т827Б20 (40)80805125750…18000234
2Т827В20 (40)60605125750…18000234
2Т827А220 (40)60605125750…18000234
2Т827А520 (40)1001005125750…18000234
2Т827Б220 (40)80805125750…18000234
2Т827В220 (40)60605125750…18000234

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827

Внешний вид транзистора на примере КТ827Б

КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы



September 18, 2012 by admin
Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

      

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ, ВIК, АUКЭ нас, ВIКЭR, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ827А2040100100512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827Б20408080512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827В20406060512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А2040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А22040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827А52040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827Б20408080512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827Б220408080512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т872В20406060512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т872В220406060512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87

Параметры транзистора КТ827. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ827. Datasheet. Цоколевка и аналоги.


КТ827

кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n
транзистор в пластмассовом корпусе TO-3

Назначение: КТ827 предназначен для применения
усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ827А, КТ827Б, КТ827В

Аналог КТ827: по параметрам близки
BDX87, 2N6057

Комплементарная пара: pnp транзистор КТ825

Цоколевка КТ827: см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ827: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ827:
ПараметрыРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ827Uкэ=3B, Iк=10A 75018000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ827 Iк=10А, Iб=40мA1

2.0В

Напряжение насыщения база-эмиттер КТ827Iк=20A, Iб=200мA2.64.0В
Предельные параметры транзисторов КТ827:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
Rэб≤ 1кОм 100В
80В
60В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ827  20А
Импульсный ток коллектора  40А
Постоянный ток базы  0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 25 °С 125Вт

Подробные характеристики КТ827 и графики зависимостей
параметров приведены в
справочнике мощных транзисторов

Транзистор КТ827 характеристики (даташит)

Кремниевый составной транзистор КТ827 (н-п-н)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Цоколевка и размеры корпуса

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзисторов КТ827:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25 ° C R Т п-к , ° C / Вт
при Т = 25 ° С
I К, не более , А I К и, не более , А У КЭ0 гр , В У КБ0 макс , В У ЭБ0 макс , В P К max , Вт T К , ° С T п max , ° C T К max , ° C ч 21Э У КЭ , В И К , А У КЭ нас , В I КЭR , мА ф гр , МГц К ш , дБ С К , пФ С Э , пФ т вкл , мкс т выкл , мкс
КТ827А 20 40 100 100 5 125 25 200 100 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
КТ827Б 20 40 80 80 5 125 25 200 100 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
КТ827В 20 40 60 60 5 125 25 200 100 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
2Т827А 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
2Т827А2 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 19,4
2Т827А5 20 40 100 100 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 19,4
2Т827Б 20 40 80 80 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
2Т827Б2 20 40 80 80 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 19,4
2Т872В 20 40 60 60 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 10,9
2Т872В2 20 40 60 60 5 125 25 200 125 750.. 18000 3 10 2 3 4 400 350 1 6 1,4 … 19,4

Аналоги и замена

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87.

Список использованных замен на зарубежные транзисторы:

КТ827А КТ827Б КТ827В
BDX65A
BDX67
BDX87C
MJ3521
MJ4035
2N6058
2N6283
BDX63
BDX65
BDX67
BDX85B
BDX87B
MJ3001
MJ4034
2N6057
2N6282
BDX85
BDX85A
BDX87
BDX87A
MJ3000
MJ3520
MJ4033

Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:

.

Транзистор КТ827: характеристики, параметры, цоколевка, аналоги

Транзистор КТ827 — кремниевый, мощный, низкочастотный составной n-p-n транзистор. Применяется в стабилизации тока и напряжения, усилителях низких частот, импульсных усилителей мощности, переключающих устройств. Выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Цоколевка транзистора КТ827

Характеристики транзистора КТ827

Транзистор Uкбо (и), В Uкэо (и), В Iкmax (и), А Pкmax (т), Вт х31э фгр., МГц
КТ827А 100 100 20 (40) 125 750-18000 4
КТ827Б 80 80 20 (40) 125 750-18000 4
КТ827В 60 60 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827А 100 100 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827А2 100 100 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827А5 100 100 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827Б 80 80 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827Б2 80 80 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827В 60 60 20 (40) 125 750-18000 4
2Т827В2 60 60 20 (40) 125 750-18000 4

Uкбо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax (и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax (т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом).
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Вместо КТ827 можно использовать схему составного транзистора

Аналоги транзистора КТ827

КТ827А — 2Н6059, 2Н6284
КТ827Б — 2N6058
КТ827В — 2Н6057

.

Транзистор КТ827 — Лист данных

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

Параметры транзистора КТ827
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ827А BDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858,

2N6284, PMD1603K * 2 , MJ3521 * 2

КТ827Б BDX65, PMD1602K, SK9438 * 2 , SMD4006 * 2 , 2N6357 * 2
КТ827В BDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282,

SDM4005 * 2 , 2N6057 * 2

Структура н-п-н
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора P K макс, P * K, τ макс , P ** K, и макс КТ827А 125 * Вт
КТ827Б 125 *
КТ827В 125 *
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером f гр, f * h31б, f ** h31э, f *** max КТ827А ≥4 МГц
КТ827Б ≥4
КТ827В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера У КБО проб., У * КЭР проб., У ** КЭО проб. КТ827А 100 * В
КТ827Б 80 *
КТ827В 60 *
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора У ЭБО проб., КТ827А 5 В
КТ827Б 5
КТ827В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора I К макс, I * К, и макс КТ827А 20 (40 *) А
КТ827Б 20 (40 *)
КТ827В 20 (40 *)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутый вывод эмиттера И КБО , И * КЭР , И ** КЭО КТ827А 100 Â ≤3 мА
КТ827Б 80 В ≤3
КТ827В 60 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером ч 21э , ч * 21Э КТ827А 3 В; 10 А 750..18000 *
КТ827Б 3 В; 10 А 750..18000 *
КТ827В 3 В; 10 А 750..18000 *
Емкость коллекторного перехода с к , с * 12э КТ827А 10 В ≤400 пФ
КТ827Б 10 В ≤400
КТ827В 10 В ≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером r КЭ нас , r * БЭ нас, К ** у.р. КТ827А ≤0,2 Ом, дБ
КТ827Б ≤0,2
КТ827В ≤0,2
Коэффициент шума транзистора К ø , r * b , P ** вых КТ827А Дб, Ом, Вт
КТ827Б
КТ827В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τ к , т * рас , т ** выкл , т *** пк (нс) КТ827А ≤4.5 * мкс пс
КТ827Б ≤4,5 * мкс
КТ827В ≤4,5 * мкс

Описание значений со звездочками (*, **, ***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

* 1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

* 2 — функциональная замена, тип корпуса аналоген.

* 3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.

KT827 Лист данных | ETC — Datasheetspdf.com

KT827

Технические параметры транзистора КТ827

Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный

экземпляра технических условий или этикетку на изделие.

Транзисторы биполярные 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В (составной) структуры n-р-n

усилительные, предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока

и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройств, в ШИМ —

преобразователях, в схемах управления электроприводом, электронных систем управления защиты и автоматики.

Транзисторы 2Т827А — 2Т827В, КТ827А — КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными

изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Транзистор:

Структура:

U кб макс (В):

U кэ макс (В):

U эб макс (В):

I к макс (А):

P к макс (Вт):

х31э:

F раб. макс (кГц):

КТ827а

н-п-н

100

5

20

125

750

4

КТ827б

н-п-н

80

5

20

125

750

4

КТ827в

н-п-н

60

5

20

125

750

4

Корпус:

КТ827Б

Структура

НПН

Макс.напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Uкбо макс), V 80

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э. (Uкэr макс), V

80

Максимально допустимый ток к (Iк макс, А)

20

Статический коэффициент передачи тока h31э мин

750

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц

4,00

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт)

125

Корпус

КТ-9

КТ827А.

Структура

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Uкбо макс), V

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э. (Uкэr макс), V

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uкэо макс), V

Максимально допустимый ток к (Iк макс, А)

Статический коэффициент передачи тока h31э мин

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт)

Корпус

НПН

100

20

750

4.00

125

КТ-9

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *