Кт817 транзистор: Транзистор КТ817: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Содержание

Транзистор КТ817: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ817 – отечественный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры в пластмассовом корпусе. Используется в ключевых и линейных электрических схемах, блоках и модулях радиоэлектронной аппаратуры предназначенной для широкого использования.

Цоколевка транзистора КТ817

Транзистора КТ817 имеет 2 типа маркировки:

1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.

2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ817 цифра 7, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают год и месяц выпуска.

Характеристики транзистора КТ817








ТранзисторUкбо(и),ВUкэо(и), ВIкmax(и), АPкmax(т), Втh31эfгр., МГц
КТ817А40403 (6)1 (25)25-2753
КТ817Б45453 (6)1 (25)25-2753
КТ817Б245453 (6)1 (25)≥1003
КТ817В60603 (6)1 (25)25-2753
КТ817Г100903 (6)1 (25)25-2753
КТ817Г2100903 (6)1 (25)≥1003


Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Аналоги транзистора КТ817


КТ817А — BD433

КТ817Б — BD233

КТ817В — BD235

КТ817Г — BD237

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо— max напряжение коллектор-база
Uкбои— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax— max постоянный ток коллектора
Iкmax и— max импульсный ток коллектора
Pкmax— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо— ток коллектора (обратный)
fгр— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 562)

Транзистор КТ817 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ817АBD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520
КТ817БBD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1
КТ817ВBD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
КТ817ГBD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3
КТ817Б-22SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ817А25*Вт
КТ817Б25*
КТ817В25*
КТ817Г25*
КТ817Б-225*
КТ817Г-225*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ817А≥3МГц
КТ817Б≥3
КТ817В≥3
КТ817Г≥3
КТ817Б-2≥3
КТ817Г-2≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ817А40*В
КТ817Б45*
КТ817В60*
КТ817Г100*
КТ817Б-245*
КТ817Г-2100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ817А5В
КТ817Б5
КТ817В5
КТ817Г5
КТ817Б-25
КТ817Г-25
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ817А3(6*)А
КТ817Б3(6*)
КТ817В3(6*)
КТ817Г3(6*)
КТ817Б-23(6*)
КТ817Г-23(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ817А25 В≤0.1мА
КТ817Б45 В≤0.1
КТ817В60 В≤0.1
КТ817Г100 В≤0.1
КТ817Б-240 В≤0.1
КТ817Г-240 В≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ817А2 В; 1 А≥25*
КТ817Б2 В; 1 А≥25*
КТ817В2 В;1 А≥25*
КТ817Г2 В; 1 А≥25*
КТ817Б-25 В; 50 мА≥100*
КТ817Г-25 В; 50 мА≥100*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ817А10 В≤60пФ
КТ817Б10 В≤60
КТ817В10 В≤60
КТ817Г10 В≤60
КТ817Б-210 В≤60
КТ817Г-210 В≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ817А≤0.6Ом, дБ
КТ817Б≤0.6
КТ817В≤0.6
КТ817Г≤0.6
КТ817Б-2≤0.08
КТ817Г-2≤0.08
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ817АДб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ817Апс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ817

ПриборМаксимальные параметрыПараметры при температуре = 25°CRТ п-к, °C/Ватт
  при температуре = 25°C            
IК, max, амперIК и, макс, амперUКЭ0 гран, вольтUКБ0 макс, вольтUЭБ0 макс, вольтPК макс, ваттTК, °CTп макс, °CTК макс, °Ch21ЭUКЭ, вольтIЭ, амперUКЭ насыщ, вольтIКБ0, мАмперfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ817А3525 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817Б3545 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817В3560 5252515010025210,60,13 60115  5
КТ817Г3580 5252515010025210,60,13 60115  5

Обозначение на схеме КТ817

 

Цоколёвка транзистора КТ817

 

Внешний вид транзистора на примере КТ817Г

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.


КТ3102А — 2N4123

КТ3102А — 2N2483

КТ3102А — 2SC828

КТ3102А — BC546C

КТ3102А — B547B

КТ3102А — BC547C

Транзисторы

КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.


Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.

Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.

Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.

Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.



Наиболее важные параметры.


Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.

У транзистора КТ817Г — 15.


Граничная частота коэффициента передачи
тока
3 МГц.


Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.

У транзисторовКТ817Б — 45в.

У транзистора КТ817В — 60в.

У транзистора КТ817Г — 80в.


Максимальный ток коллектора.3А.

Рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт, без
теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.


Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.


Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.


Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при
напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при
напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при
напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при
напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.


Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более

60 пФ.


Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в


115 пФ.


Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.



Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.


КТ817А — TIP31A

КТ817Б — TIP31B

КТ817В — TIP31C

КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.


Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.


Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».


Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.

Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически
повсеместно.

КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов
— «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.

КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных
каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)




На главную страницу

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.


КТ817

кремниевый биполярный  n-p-n транзистор низкочастотный
средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ817 -транзистор широкого
применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Комплементарная пара:
КТ816

Аналог: BD233, BD235, BD237

Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ817: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные характеристики транзисторов
КТ817:
ПараметрыРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока
КТ817(А-Г)
Uкб=2B, Iэ=1A25275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ817(А-Г)
Iк=1А, Iб=0.1A  0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ817:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
Rэб ≤ 1кОм 40В
45В
60В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ817  
Импульсный ток коллектораtи ≤ 20 мс, Т/tи≥100 
Максимально допустимый постоянный ток базы  
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 50 °С 25Вт
Температура перехода  -60 +150

Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в
справочнике мощных транзисторов

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817 |

Транзистор КТ814, КТ815, КТ816, КТ817
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814, КТ815, КТ816, КТ817

Золото: 0.0043
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

817

817

817 — н-п-н () -.

. У (), У (), Imax (), Pмакс (), ч31 I, ф., U,
817 н-п-н 40 40 3000 (6000) 1 (25) 25-275 => 3 <0.6
817 45 45 3000 (6000) 1 (25) 25-275 => 3 <0,6
8172 45 45 3000 (6000) 1 (25) => 100 => 3 <0.12
817 60 60 3000 (6000) 1 (25) 25-275 => 3 <0,6
817 100 90 3000 (6000) 1 (25) 25-275 => 3 <0.6
8172 100 90 3000 (6000) 1 (25) => 100 => 3 <0,12

:

U — —
U — —
U — —
U — —
Imax
Imax
Pмакс
Pмакс
h31
Я
f
U — —

,

817, кт817«

817, кт817«


817
(, н-п-н)

Т = 25С R , С /
Т = 25С
I , макс , I , макс , U 0 , U 0 макс , U 0 макс , P макс , Т , С T макс , C T макс , C ч 21 U , I , U , I 0 , f , , С , С , т , т ,
817 3 5 25 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 45 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 60 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 80 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5




WWW.5в.ру

,

817, кт817«

817, кт817«


817
(, н-п-н)

Т = 25С R , С /
Т = 25С
I , макс , I , макс , U 0 , U 0 макс , U 0 макс , P макс , Т , С T макс , C T макс , C ч 21 U , I , U , I 0 , f , , С , С , т , т ,
817 3 5 25 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 45 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 60 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5
817 3 5 80 5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3 60 115 5




WWW.5в.ру

,

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *