Корпуса smd транзисторов: Размеры SMD корпусов

Содержание

SMD транзисторы

SMD транзисторы

Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов.

Электронные компоненты для поверхностного монтажа прочно вошли в нашу жизнь и сегодня составляют не менее 70% от числа всех производимых про­мышленностью электронных приборов и устройств. Чтобы иметь представле­ние о виде этих приборов, достаточно открыть корпус любого современного устройства, например мобильного телефона. В далеком прошлом элементы SMD можно было увидеть разве что в наручных электронных часах и разработ­ках ВПК.

Сегодня любой современный печатный монтаж, сделанный производствен­ным способом (то есть серийно), немыслим без этих электронных компонен­тов, имеющих малые размеры и поверхностный монтаж на плате. Поэтому они получили названия планарных элементов в SMD (SMT) корпусах. Эти эле­менты не очень популярны среди радиолюбителей именно из-за трудностей монтажа: используется технология насыщения, минимизация и интеграция до­рожек и мест для пайки элементов в печатном монтаже. А для ремонтников- профессионалов и опытных радиолюбителей SMD-элементы — основной рабо­чий материал. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Поскольку многие корпуса внешне похожи друг на друга, важнейшее значе­ние приобретают их размеры, а для идентификации прибора необходимо знать не только маркировку, но и тип корпуса. Возможна ситуация, когда фирмы-производители в один и тот же корпус под одной и той же маркировкой помещают разные по назначению и электричес­ким характеристикам приборы. Так, фирма Philips помещает в корпус SOT-323 мини-транзистор n-p-n проводимости BC818W и маркирует его кодом Н6, а фирма Motorola в такой же корпус с точно такой же маркировкой Н6 помеща­ет р-п-р транзистор MUN5131T1. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Так, у фирмы Siemens в корпусе SOT-23 (аналог КТ-46) с маркировкой 1А выпускают- ся транзисторы ВС846А и SMBT3904, естественно, с разными электрическими параметрами. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения. К сожалению, иногда путаница наблюдается и с цоколевкой выводов элемен­тов в одинаковых SMD-корпусах, выпускающихся разными фирмами. Это про­исходит из-за неоправданно большого количества действующих стандартов, регламентирующих требования к таким корпусам. Практически каждая зару­бежная фирма-производитель работает по своим стандартам. Это происходит потому, что органы стандартизации не поспевают за разработками производи­телей. Однако есть тенденция к единой стандартизации корпусов и обозначе­ний элементов для поверхностного монтажа. А пока встречаются элементы, корпус которых имеет стандартные размеры, но нестандартное название. Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. Она зави­сит от емкости и рабочего напряжения конденсаторов и величины рассеивае­мой мощности резисторов.

В табл. 3.1-3.5 представлены транзисторы в корпусах SOT. Аббревиатура SOT (SOD) расшифровывается как Small Outline Transistor (Diode) и означает «транзистор (диод) с миниатюрными выводами». Для поверхностного монта­жа в миниатюрных корпусах представлен весь спектр дискретных элементов, а также различных микросборок. Так, в корпуса SOT помещают не только тран­зисторы (в том числе изготовленные по технологии МОП — полевые) и диоды, но и оптоэлетктронные приборы различного назначения, транзисторы с рези­сторами, составные и объединенные транзисторы Дарлингтона, стабилитро­ны, целые схемы стабилизаторов напряжения, переключатели, коммутаторы и даже операционные усилители,, где количество выводов не превышает трех. Обозначения корпусов транзисторов для поверхностного монтажа не огра­ничиваются аббревиатурой SOT (SOD, SC-70, ТО-253 и аналогичные), их основ­ное отличие в типоразмерах и расположении выводов на корпусе. Большинство из SMD-транзисторов можно заменить на их аналоги, а также на обычные дискретные транзисторы, зная электрические характеристики возможных замен. Так, отечественные приборы КТ1329, КТ1330, КТ1331, КТ3139А9, КТ3130А9 и др. в SMD-корпусах можно в соответствующих случаях заменить на дискретные КТ502, КТ503, КТ3102, КТ3107, КТ3117 в соответ­ствии с параметрами и проводимостью.

Таблица 3.1. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены





























































































































































































Обозначение на корпусе

Тип транзистора

Аналог по электрическим

характеристикам

15

ММВТ3960

2N3960

ВС846А

В С546А

ВС846В

ВС546В

ММВТА20

MPSA20

1D

ВС846

ВС847А

ВС547А

1F

ВС847В

ВС547В

1G

ВС847С

ВС547С

ВС847

1J

ВС848А

ВС548А

ВС848В

ВС548В

1L

ВС848С

ВС548С

ВС848

FMMT2222A

2N2222A

ММВТ3960А

2N3960A

ММВТ930

1Y

ММВТ3903

2N3903

FMMT3906

2N3906

ВС849В

ВС549В

ВС849С

ВС549С / ВС109С / ММВТА70

FMMTA93

2F

ВС850В

ВС550В

2G

ВС850С

ВС550С

2J

ММВТ3640

2N3640

ММВТ8598

ММВТ404

2N

ММВТ404А

_

ММВТ4403

2N4403

2W

ММВТ8599

ММВТ4401

2N4401

ЗА

ВС856А

ВС556А

ЗВ

ВС856В

ВС556В

3D

ВС856

ЗЕ

ВС857А

ВС557А

3F

ВС857В

ВС557В

3G

ВС857С

ВС557С

 

3J

ВС858А

ВС558А

 

ЗК

ВС858В

ВС558В

 

3L

ВС858С

ВС558С

 

3S

ММВТ5551

 

ВС859А

ВС559А

 

ВС859В

ВС559В

 

ВС859С

ВС559С

 

ВС860А

ВС560А

 

4F

ВС860В

ВС560В

 

4G

ВС860С

ВС560С

 

4J

FMMT38A

 

449

FMMT449

 

489

FMMT489

 

491

FMMT491

 

493

FMMT493

 

ВС807-16

ВС327-16

 

ВС807-25

ВС327-25

 

ВС807-40

ВС327-40

 

ВС808-16

ВС328-16

 

5F

ВС808-25

ВС328-25

 

5G

ВС808-40

ВС328-40

 

549

FMMT549

 

589

FMMT589

 

591

FMMT591

 

593

FMMT593

 

ВС817-16

ВС337-16

 

ВС817-25

ВС337-25

 

ВС817-40

ВС337-40

 

ВС818-16

ВС338-16

 

6F

ВС818-25

ВС338-25

 

6G

ВС818-40

ВС338-40

 

9

BC849BLT1

 

АА

BCW60A

ВС636 / BCW60A

 

АВ

BCW60B

 

АС

BCW60C

ВС548В

 

AD

BCW60D

 

АЕ

ВСХ52

 

AG

BCX70G

 

АН

ВСХ70Н

 

AJ

BCX70J

 

АК

ВСХ70К

 

AL

ММВТА55

 

-AM

BSS64

2N3638

 

AS1

BST50

BSR50

 

В2

BSV52

2N2369A

 

ВА

BCW61A

ВС635

 

ВВ

BCW61B

 

ВС

BCW61C

 

BD

BCW61D

 

BE

ВСХ55

 

BG

BCX71G

 

ВН

ВСХ71Н

ВС639

 

BJ

BCX71J

 

ВК

ВСХ71К

 

BN

ММВТ3638А

2N3638A

 

BR2

BSR31

2N4031

 

С1

BCW29

 

С2

BCW30

ВС178В / ВС558В

 

С5

ММВА811С5

 

С6

ММВА811С6

 

С7

BCF29

 

С8-

BCF30

 

СЕ

BSS79B

 

СЕС

ВС869

ВС’369

 

CF

BSS79C

 

СН

BSS82B / BSS80B

 

CJ

BSS80C

 

см

BSS82C

 

D1

BCW31

ВС 108 А / ВС548А

 

D2

BCW32

ВС108А/ВС548А

 

D3

BCW33

ВС108С / ВС548С

 

D6

MMBC1622D6

 

D7

BCF32

 

D8

BCF33

ВС549С / BCY58 / MMBC1622D8

 

DA

BCW67A

 

DB

BCW67B

 

DC

BCW67C

 

DE

BFN18

 

DF

BCW68F

 

DG

BCW68G

 

DH

BCW68H

 

Е1

BFS17

BFY90 / BFW92

 

ЕА

BCW65A

 

ЕВ

BCW65B

 

ЕС

BCW65C

 

ED

BCW65C

 

EF

BCW66F

 

EG

BCW66G

 

EH

BCW66H

 

F1

MMBC1009F1

 

F3

MMBC1009F3 —

 

FA

BFQ17

BFW16A

 

FD

BCV26

MPSA64

 

FE

BCV46

MPSA77

 

FF

BCV27

MPSA14

 

FG

BCV47

MPSA27

 

GF

BFR92P

 

h2

BCW69

 

h3

BCW70

ВС557В

 

h4

BCW89

 

H7

BCF70

 

K1

BCW71

ВС547А

 

K2

BCW72

ВС547В

 

КЗ

BCW81

 

K4

BCW71R

 

К7

BCV71

 

К8

BCV72

 

К9

BCF81

 

L1

. BSS65

 

L2

BSS70

 

L3

MMBC1323L3

 

L4

MMBC1623L4

 

L5

ММВС1623L5

 

L6

MMBC1623L6

 

L7

MMBC1623L7

 

МЗ

ММВА812МЗ

 

М4

ММВА812М4

 

М5

ММВА812М5

 

Мб

BSR58 / ММВА812М6

2N4858

 

М7

ММВА812М7

 

02

BST82

 

Р1

BFR92

BFR90

 

Р2

BFR92A

BFR90

 

Р5

FMMT2369A

2N2369A

 

Q3

MMBC1321Q3

 

Q4

MMBC1321Q4

 

Q5

MMBC1321Q5

 

R1

BFR93

BFR91

 

R2

BFR93A

BFR91

 

S1A

SMBT3904

 

S1D

SMBTA42

 

S2

MMBA813S2

 

S2A

SMBT3906

 

S2D

SMBTA92

 

S2F

SMBT2907A

 

S3

MMBA813S3

 

S4

MMBA813S4

 

Т1

ВСХ17

ВС327

 

Т2

ВСХ18

 

17

BSR15

2N2907A

 

ТВ

BSR16

2N2907A

 

U1

ВСХ19

ВС337

 

U2

ВСХ20

 

U7

BSR13

2N2222A

 

U8

BSR14

2N2222A

 

U9

BSR17

 

U92

BSR17A

2N3904

 

Z2V

FMMTA64

 

ZD

ММВТ4125

2N4125

 

В таблице представлен далеко не полный список активных приборов в SMD- корпусах. Не представлены, например, часто встречающиеся приборы с обо­значениями LL, SG, AFR и др, Обозначений и серий транзисторов для поверх­ностного монтажа великое множество, и полный их перечень занял бы неоправданно много места. Данные по SMD-транзисторам можно найти самостоятельно, обратившись к справочной литературе.

Таблица 3.2. Маркировка и электрические характеристики некоторых SMD-транзисторов широкого применения


















Наимено­вание

Марки­ровка

Струк­тура

Uкэ откр

В

const

mA

К переда­чи при Iк=2мА и Uкэ= 5 В

Fгр МГц

Корпус

ВС847С

1Gp

п-р-п

45

100 i

520-800

100

SOT 23

ВС847В

1Fp

п-р-л

45

100

200-450

100

SOT 23

ВС857С

3Gp

р-п-р

45

100

420-800

100

SOT 23

ВС857В

3Fp

р-п-р

45

100

220-475

100

SOT 23

BC847BW

1F

п-р-п

45

100

220-475

100

SOT 323

BC857BW

3F

р-п-р

45

100

220-475

100

SOT 323

ВС807-40

р-п-р

45

500

250-600

100

SOT 23

ВС817-40

п-р-п

45

500

250-600

100

SOT 23

MMBT2222ALT1

п-р-п

40

600

75-300

300

SOT 23

MBT3904LT1

1АМ

п-р-п

40

200

100-300

100

SOT 23

MBT3906LT1

р-п-р

40

200

100-300

100

SOT 23

BC850CW

2G

п-р-п

45

100

520-800

100

SOT 323

BC860CW

4G

р-п-р

45

100

420-700

100

SOT 323

MMBT42LT1

1D

п-р-п

300

500

>25

50

SOT 23

MMBT92LT1

2D

р-п-р

-300

500

>25

50

SOT 23





Таблица 3. 3. Маркировка транзисторных SMD-сборок


























Наимено­вание

Маркировка

Структура

Uкэ откр

В

мА

К передачи при Iк=2 мА и Uкэ=5 В

Корпус

BC847CDW1T1

1G 2 х

2 х п-р-п

45

100

420-800 при 100 МГц

SOT363

BC857BDW1T1

3G 2 х

2 х р-п-р

45

100

420-800 при 100 МГц

SOT363

UFM5N

F5

р-п-р и п-р-п

12 и 50

500 и 30

270-680 и min 68 при 250 Мгц

SOT363


Таблица 3. 4. Маркировка некоторых высоковольтных SMD-транзисторов

Наимено­вание

Маркировка

Uкэ откр

В

Iк max*

Коэффициент передачи

на 900 МГц

Граничная

частота

Корпус

BFR93A

R2

12

35

13 дБ при

Iк = 30 мА, Uкэ = 8 В

5 ГГц

SOT23

BFR92A

Р2р

15

25

14 дБ при

Iк= 15 мА, Uкэ = 10 В

5 ГГц

SOT23

BFS17A

Е2р

15

25

13 дБ при

Iк = 14 мА, Uкэ = 10 В

2,8 ГГц

SOT23

BFG520/XR

N48

15

70

19 дБ при

Iк = 20 мА, Uкэ = 6 В

9 ГГц

SOT143R

BFG591

BFG591

20

200

13 дБ при

Iк = 70 мА, Uкэ = 12 В

7 ГГц

SOT223

BFG541

BFG541

20

120

15 дБ при

Iк = 40 мА, Uкэ = 8 В

9 ГГц

SOT223


Таблица 3. 5. Полевые (МОП) SMD-транзисторы

Маркировка

Тип прибора

Маркировка

Тип прибора

701

2N7001

V01

VN50300T

702

SN7002

V02

VN0605T

MMBF4416

V04

VN45350T

MMBF5484

V0AJ

ТР610Т

MMBFU310

V50

VP0610T

60

MMBF5457

С93

SST4393

MMBF5460

Н16

SST4416

6F

MMBF4860

108

SST108

6G

MMBF4393

109

SST109
























Маркировка

Тип прибора

Маркировка

Тип прибора

MMBF5486

110

SST110

6J

MMBF4391

М4

BSR56

MMBF4932

М5

BSR57

6L

MMBF5459

Мб

BSR58

MMBFJ310

Р01

SST201

6W

MMBFJ175

Р02

SST202

6Y

MMBFJ177

РОЗ

SST203

6Z

MMBF170

Р04

SST204

В08

SST6908

S14

SST5114

В09

SST6909

S15

SST5115

В10

SST6910 «

S16

SST5116

С11

. SST111

S70

SST270

С12

SST112

S71

SST271

С13

SST113

S74

SST174

С41

SST4091

S75

SST175

С42

SST4092

S76

SST176

С43

SST4093

S77

SST177

С59

SST4859

SA

BSS123

С60

SST4860

SS

BSS138

С61

SST4861

TV

MMBF112

С91

SST4391

Z08

SST308

С92

SST4392

Z09

SST309

Распиновка смд транзисторов.

Маркировка SMD. Руководство для практиков. Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова

Привет друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМЫ», продолжаем вместе с вами знакомиться с современными . Сегодняшний обзор — обзор SMD транзисторов, которые вы наверно уже видели в современных различных электронных устройствах.

Транзисторы в SMD корпусе, очень удобны, особенно где каждый миллиметр платы важен. Представьте, как бы изменился мобильный телефон (плата которого полностью из SMD деталей), если бы там использовали обычные выводные DIP детали.

Выше фото SMD транзистора на фоне обычного, в TO 92.

Это фото различных СМД транзисторов, справа — обычный в TO92. Как правило, цоколёвка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

Название различных корпусов, DIP и SMD. Фото можно увеличить.

Как сделаны планарные транзисторы, вы можете увидеть ниже.

У планарных, как и у обычных транзисторов, есть множество видов, составные (Дарлингтон), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

Обратите внимание, на платах и схемах транзисторы маркируются «Q» и «VT» (так должно быть, хотя некоторые производители брезгуют этим), зачем я это пишу? Часто в один и тот-же корпус, изготовитель может впихнуть всё, что ему хочется — от диода и до линейного стабилизатора напряжения (78хх), даже различных датчиков. Ещё существует внутренняя маркеровка завода, к примеру детали фирмы Epcos. На такие детали очень трудно найти даташит, а иногда его вовсе нет в интернете.

Пайка

Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек — микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте).

Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.

Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать:)

Припаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS
.

Обсудить статью SMD ТРАНЗИСТОРЫ

Сегодня мы поговорим о

SMD компонентах

, которые появились благодаря прогрессу в области радиоэлектронике и немного затронем такой радиоэлемент, как
.


Surface Mounted Device или SMD
переводится так – устройства поверхностного монтажа, т.е. вид радиокомпонентов, которые впаиваются со стороны дорожек и контактных площадок сразу на плату.

В современной электронике сложно найти схему, в которой бы не применялись

smd компоненты

. По параметрам большинство smd деталей ничем не отличаются от обычных, кроме размера и веса. Благодаря своей компактности появилась возможность создавать сложные электронные устройства малых размеров, ну например сотовый телефон.

Удобство такого транзистора заключается не только в его размере, но и то, что в большинстве случаев цоколёвка таких элементов одинакова.

Ниже показана конструкция этих планарных транзисторов

Как и у обычных, у планарных транзисторов так же имеется множество видов: полевые, составные (дарлингтон), IGBT (биполярные, с изолированным затвором), биполярные.
  1. Введение
  2. Корпуса SMD компонентов
  3. Типоразмеры SMD компонентов
    • SMD резисторы
    • SMD конденсаторы
    • SMD катушки и дроссели
  4. SMD транзисторы
  5. Маркировка SMD компонентов
  6. Пайка SMD компонентов

Введение

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются «SMD». По-русски это значит «компоненты поверхностного монтажа». Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово «запекают» и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.

Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2) , WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2) , SOD882D (DFN1106D-2) , SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3) , SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252) , D2PAK (TO-263) , D3PAK (TO-268)
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6) , SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8) , SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9) , WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10) , SOT1158 (DFN2512-12) , SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32) , SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять .

Типы корпусов SMD по названиям

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J
>4, в четыре линии по бокам
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J
>4, в четыре линии по бокам
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам
LQFP низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFP пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам
CQFP керамический QFP >4, в четыре линии по бокам
TQFP тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов

массив выводов
LFBGA низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. М

ассив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом

массив выводов
LLP безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы, чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.

Типоразмеры SMD-компонентов

Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его «типоразмеру». Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от «0201» до «2512». Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.

smd резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
0201 0.6 (0.02) 0.3 (0.01) 0.23 (0.01) 0.13 1/20
0402 1.0 (0.04) 0.5 (0.01) 0.35 (0.014) 0.25 1/16
0603 1.6 (0.06) 0.8 (0.03) 0.45 (0.018) 0. 3 1/10
0805 2.0 (0.08) 1.2 (0.05) 0.4 (0.018) 0.4 1/8
1206 3.2 (0.12) 1.6 (0.06) 0.5 (0.022) 0.5 1/4
1210 5.0 (0.12) 2.5 (0.10) 0.55 (0.022) 0.5 1/2
1218 5.0 (0.12) 2.5 (0.18) 0.55 (0.022) 0.5 1
2010 5.0 (0.20) 2.5 (0.10) 0.55 (0.024) 0.5 3/4
2512 6.35 (0.25) 3.2 (0.12) 0.55 (0.024) 0.5 1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
0102 1.1 (0.01) 2.2 (0.02) 1/4
0204 1. 4 (0.02) 3.6 (0.04) 1/2
0207 2.2 (0.02) 5.8 (0.07) 1

smd конденсаторы

Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:

Танталовые конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) T, мм (дюйм) B, мм A, мм
A 3.2 (0.126) 1.6 (0.063) 1.6 (0.063) 1.2 0.8
B 3.5 (0.138) 2.8 (0.110) 1.9 (0.075) 2.2 0.8
C 6.0 (0.236) 3.2 (0.126) 2.5 (0.098) 2.2 1.3
D 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 2. 8 (0.110) 2.4 1.3
E 7.3 (0.287) 4.3 (0.170) 4.0 (0.158) 2.4 1.2

smd катушки индуктивности и дроссели

Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.

Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются «моточные изделия». Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом «08» обозначает длину, а «05» ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.

smd диоды и стабилитроны

Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпуса L* (мм) D* (мм) F* (мм) S* (мм) Примечание
DO-213AA (SOD80) 3.5 1.65 048 0.03 JEDEC
DO-213AB (MELF) 5.0 2.52 0.48 0.03 JEDEC
DO-213AC 3.45 1.4 0. 42 JEDEC
ERD03LL 1.6 1.0 0.2 0.05 PANASONIC
ER021L 2.0 1.25 0.3 0.07 PANASONIC
ERSM 5.9 2.2 0.6 0.15 PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF 5.0 2.5 0.5 0.1 CENTS
SOD80 (miniMELF) 3.5 1.6 0.3 0.075 PHILIPS
SOD80C 3.6 1.52 0.3 0.075 PHILIPS
SOD87 3.5 2.05 0.3 0.075 PHILIPS

smd транзисторы

Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.

Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Пайка чип-компонентов

В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

Russian Hamradio :: Маркировочные коды SMD-элементов.

В связи с миниатюризацией большинства радиоаппаратуры, сегодня становится актуальным вопрос обозначения радиоэлементов применяемых при монтаже аппаратуры.В настоящее время ни одна солидная приборостроительная фирма не обходится без электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных по прогрессивной технологии поверхностного монтажа (SMD).

По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Рис.1.

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная — нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами — рис.1.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Таблица 1.

Тип корпуса

Фирма, страна

Размеры согласно рис.3.

А, мм

В, мм

С, мм

D, мм

SOT-23

Motorola

1,2-1,39

2,8-3,04

0,89-1,11

0,37-0,5

SOT-23

Philips

1,2-1,4

2,8-3. 0

1.0-1,3

0,38-0,48

SOT-23

Siemens

1,2-1,4

2,8-3,0

1,1 max

0,35-0,5

SOT-23

SGS-Thomson

1,2-1,4

2,8-3,0

0.93-1.04

0,37-0.46

SOT-23S

SGS-Thomson

1,2-1,55

2,67-3,05

0,79-1,2

0,37-0. 54

2-3F1A

Toshiba

1,35-1,75

2,7-3,1

1,0-1.3

0,35-0,5

DBV-3

Texas Instruments

1,5-1,8

2,7-3,1

1,0-1,3

0,2-0,4

3SOT-23-3

Maxim

1.19-1.4

2,67-3,05

0,79-1.19

0,36-0,56

SOT-23-3

Seiko Instruments

1,5

2,9-3,1

1. 1-1,3

0.3-0,5

КТ-46

Россия

1,2-1,4

2,8-3,0

0.85-1,1

0.38-0,46

КТ-46А

Россия

1,2-1,4

2,8-3,0

0,8-1,2

0,38-0.46

SOT-23

Hewlett-Packard

1,2-1,4

2,8-3.06

0,85-1,02

0,37-0,54

МРАК(2)

Hitachi

1,5

2,7-3. 1

1,0-1,3

0,35-0,5

SOT-23

Analog Devices

1,19-1,4

2.8-3,05

0,81-1.12

0,37-0,53

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, — хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Таблица 2.

Тип

Наименование ЭРЭ

Зарубежное название

A1

Полевой N-канальный транзистор

Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel

A2

Двухзатворный N-канальный полевой транзистор

Tetrode, Dual-Gate

A3

Набор N-канальных полевых транзисторов

Double MOSFET Transistor Array

B1

Полевой Р-канальный транзистор

MOS, GaAs FET, P-Channel

D1

Один диод широкого применения

General Purpose, Switching, PIN-Diode

D2

Два диода широкого применения

Dual Diodes

D3

Три диода широкого применения

Triple Diodes

D4

Четыре диода широкого применения

Bridge, Quad Diodes

E1

Один импульсный диод

Rectifier Diode

E2

Два импульсных диода

Dual

E3

Три импульсных диода

Triple

E4

Четыре импульсных диода

Quad

F1

Один диод Шоттки

AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode

F2

Два диода Шоттки

Dual

F3

Три диода Шоттки

Tripple

F4

Четыре диода Шоттки

Quad

K1

«Цифровой» транзистор NPN

Digital Transistor NPN

K2

Набор «цифровых» транзисторов NPN

Double Digital NPN Transistor Array

L1

«Цифровой» транзистор PNP

Digital Transistor PNP

L2

Набор «цифровых» транзисторов PNP

Double Digital PNP Transistor Array

L3

Набор «цифровых» транзисторов | PNP, NPN

Double Digital PNP-NPN Transistor Array

N1

Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)

AF-Transistor NPN

N2

Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)

RF-Transistor NPN

N3

Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)

High-Voltage Transistor NPN

N4

«Супербета» транзистор NPN (г“21э > 1000)

Darlington Transistor NPN

N5

Набор транзисторов NPN

Double Transistor Array NPN

N6

Малошумящий транзистор NPN

Low-Noise Transistor NPN

01

Операционный усилитель

Single Operational Amplifier

02

Компаратор

Single Differential Comparator

P1

Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)

AF-Transistor PNP

P2

Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)

RF-Transistor PNP

P3

Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)

High-Voltage Transisnor PNP

P4

«

Супербета» транзистор PNP (п21э > 1000)

Darlington Transistor PNP

P5

Набор транзисторов PNP

Double Transistor Array PNP

P6

Набор транзисторов PNP, NPN

Double Transistor Array PNP-NPN

S1

Один сапрессор

Transient Voltage Suppressor (TVS)

S2

Два сапрессора

Dual

T1

Источник опорного напряжения

«Bandgap», 3-Terminal Voltage Reference

T2

Стабилизатор напряжения

Voltage Regulator

T3

Детектор напряжения

Voltage Detector

U1

Усилитель на полевых транзисторах

GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)

U2

Усилитель биполярный NPN

Si-MMIC NPN, Amplifier

U3

Усилитель биполярный PNP

Si-MMIC PNP, Amplifier

V1

Один варикап (варактор)

Tuning Diode, Varactor

V2

Два варикапа (варактора)

Dual

Z1

Один стабилитрон

Zener Diode

Цель настоящей публикации — обобщить информацию о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм табл. 4-5. Ориентировочные эскизы корпусов, расшифровка условных обозначений типов ЭРЭ и фирм-изготовителей приведены соответственно на рис.2 и в табл.2, 3.

Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Тип

Фирма

AD

Analog Devices

HP

Hewlett-Packard

IR

International Rectifier

МО

Motorola

MX

Maxim Integrated Products

NS

National Semiconductor

PC

Philips Components

PJ

Pan Jit

PS

Philips Semiconductors

SE

Seiko Instruments

SG

SGS-Thomson Microelectronics

SI

Siemens AG

SX

Siliconix

Tl

Texas Instruments

TL

Temic Telefunken

ZE

Zetex

Таблица 3.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру.

Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Рис.3.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 — Small Outline Transistor, рис.3. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

В табл. 1 приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 — это аналог SOT-23, KT-47 — это аналог SOT-89, КТ-48 — это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 — еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов — это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными — трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии

ACh2G и ACHT1G.

Рис.2Q.

Из всех корпусов, приведенных на рис.2, “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип.

Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов. Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 — 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 — 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Рис.2R.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.

Таблица 4. 6-выводные SMD.

Код

Тип

ЭРЭ

Фирма

Рис.

Код

Тип

ЭРЭ

Фирма

Рис.

7E

MUN5215DW1T1

K2

MO

2Q

11

MUN5311DW1T1

L3

MO

2Q

7F

MUN5216DW1T1

K2

MO

2Q

12

MUN5312DW1T1

L3

MO

2Q

7G

MUN5230DW1T1

K2

MO

2Q

12

INA-12063

U2

HP

2Q

7H

MUN5231DW1T1

K2

MO

2Q

13

MUN5313DW1T1

L3

MO

2Q

7J

MUN5232DW1T1

K2

MO

2Q

14

MUN5314DW1T1

L3

MO

2Q

7K

MUN5233DW1T1

K2

MO

2Q

15

MUN5315DW1T1

L3

MO

2Q

7L

MUN5234DW1T1

K2

MO

2Q

16

MUN5316DW1T1

L3

MO

2Q

7M

MUN5235DW1T1

K2

MO

2Q

BC847S

N5

SI

2Q

81

MGA-81563

U1

HP

2Q

1P

BC847PN

P6

SI

2Q

82

INA-82563

U1

HP

2Q

31

MUN5331DW1T1

L3

MO

2Q

86

INA-86563

U1

HP

2Q

32

MUN5332DW1T1

L3

MO

2Q

87

INA-87563

U1

HP

2Q

33

MUN5333DW1T1

L3

MO

2Q

91

IAM-91563

U1

HP

2Q

34

MUN5334DW1T1

L3

MO

2Q

A2

MBT3906DW1T1

P5

MO

2Q

35

MUN5335DW1T1

L3

MO

2Q

A3

MBT3906DW9T1

P5

MO

2Q

36

ATF-36163

A1

HP

2Q

A4

BAV70S

E4

SI

2Q

3C

BC857S

P5

SI

2Q

E6

MDC5001T1

U3

MO

2Q

3X

MUN5330DW1T1

L3

MO

2Q

H5

MBD770DWT1

F2

MO

2Q

46

MBT3946DW1T1

P6

MO

2Q

II

AT-32063

N2

HP

2Q

51

INA-51063

U2

HP

2Q

M1

CMY200

U1

SI

2R

52

INA-52063

U2

HP

2Q

M4

MBD110DWT1

F2

MO

Q

54

INA-54063

U2

HP

2Q

M6

MBF4416DW1T1

A3

MO

2Q

6A

MUN5111DW1T1

L2

MO

2Q

MA

MBT3904DW1T1

N5

MO

2Q

6B

MUN5112DW1T1

L2

MO

2Q

MB

MBT3904DW9T1

N5

MO

2Q

6C

MUN5113DW1T1

L2

MO

2Q

MC

BFS17S

N5

SI

2Q

6D

MBF5457DW1T1

A3

MO

2Q

RE

BFS480

N5

SI

2Q

6D

MUN5114DW1T1

L2

MO

2Q

RF

BFS481

N5

SI

2Q

6E

MUN5115DW1T1

L2

MO

2Q

RG

BFS482

N5

SI

2Q

6F

MUN5116DW1T1

L2

MO

2Q

RH

BFS483

N5

SI

2Q

6G

MUN5130DW1T1

L2

MO

2Q

T4

MBD330DWT1

F2

MO

2Q

6H

MUN5131DW1T1

L2

MO

2Q

W1

BCR10PN

L3

SI

2Q

6J

MUN5132DW1T1

L2

MO

2Q

WC

BCR133S

K2

SI

2Q

6K

MUN5133DW1T1

L2

MO

2Q

WF

BCR08PN

L3

SI

2Q

6L

MUN5134DW1T1

L2

MO

2Q

WK

BCR119S

K2

SI

2Q

6M

MUN5135DW1T1

L2

MO

2Q

WM

BCR183S

K2

SI

2Q

7A

MUN5211DW1T1

K2

MO

2Q

WP

BCR22PN

L3

SI

2Q

7B

MUN5212DW1T1

K2

MO

2Q

Y2

CLY2

A1

SI

2R

7C

MUN5213DW1T1

K2

MO

2Q

6s

CGY60

U1

SI

2R

7D

MUN5214DW1T1

K2

MO

2Q

Y7s

CGY62

U1

SI

2R

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из этих данных, что приведены.

С. Рюмик

Copyright © Russian HamRadio

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Корпус — это часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных транзисторов и тиристоров.

Для просмотра чертежей корпусов транзисторов и тиристоров кликните на соответствующую типу корпуса картинку.










ADD-A-PAK


DIP4


ITO-220


MT-200


S6D


SC72


SC95


SC96


SOIC8


SOT23


SOT25


SOT32


SOT89


SOT343


SOT883


TO3


TO5


TO7


TO8


TO92


TO126


TO220-5


TO220FP


TO220I


TO-3P(H)IS


TO-3PFA


TO-3PFM


TO-3PH


TO-3PI


TO-3PL


TO-3PML


TO-66


TO-202


TO-247


TO-263


TO-267

 

MOSFET-транзисторы в компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333

 

Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET-транзисторов в новом компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333, размером всего 3,3×3,3×1 мм. Линейка транзисторов включает в себя 12 элементов. Транзисторы выполнены по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30–220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур –50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом QFN3333 обеспечивает бó льшую надежность транзисторов, позволяет уменьшить площадь печатной платы и расширить границы ее применения.

Основные преимущества:

  • Высокая эффективность при применении в силовых схемах переключения благодаря низкому сопротивлению RDSon открытого канала, низкого заряда затвора QGD и использованию новых технологий 6-го поколения Trech 6.
  • Высокая скорость переключения: до 500 кГц.
  • Маленький размер корпуса оптимален для применения в компактных устройствах.
  • Высокие тепловые характеристики Rth(j-mb).
  • Уменьшенные пиковые значения при переключении.
  • Нормированные лавинные параметры, протестированные на заводе-изготовителе, дающие гарантию высокой надежности.

Области применения MOSFET-транзисторов:

  • Промышленная автоматика: DC/DC-преобразователи, понижающие/повышающие конверторы, блоки управления электродвигателями, блоки управления подачей топлива для автозаправочных станций, системы безопасности железнодорожного транспорта, электронные балласты для люминесцентных и компактных люминесцентных ламп, зарядные устройства.
  • Бытовая электроника: мобильные и бытовые телефоны, ноутбуки и блоки питания к ним, MP3-плееры и мобильные плееры, цифровые видеокамеры, схемы защиты Li-ion батарей, set-top-box, схемы управления вращением кулеров, кондиционеры, модули управления лазерными приводами, блоки управления холодильниками, стиральными машинами, пылесосами.
  • Автомобильная электроника: генераторы и стартеры переменного тока, электронные модули рулевого управления, электронасосы топлива и воды, турбокомпрессоры, модули управления стеклоподъемниками, стеклоочистителями, зеркалами, системы ABS, ESP, EBD, автоматизированные коробки передач, модули DC/DC-преобразователей, регуляторы положения сидений, системы отопления, вентиляции, кондиционирования, система активной подвески.

Радиационно-стойкие транзисторы MOSFET в корпусе Sup-IR SMD™


Подразделение компании Infineon Technologies AG – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие N-канальные транзисторы MOSFET IRHNS67160 и IRHNS63160 для поверхностного монтажа, выполненные в корпусе Sup-IR SMD™.


Технология корпусирования является ключевым фактором повышения производительности транзисторов MOSFET.


В таблице 1 представлено сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup-IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET). При этом транзистор в корпусе Sup-IR SMD может быть установлен на плату без применения дополнительного кристаллодержателя.


 


Таблица 1. Сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе SupIR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET)


 









Параметр


SMD-2


SupIR SMD


Площадь основания, дюйм2


0,595


0,376 – на 37% меньше


Вес, г


5,1


2,8 – на 45% легче


Ток номинальный, А


56


82 – на 46% больше


Тепловое сопротивление, ºC/Вт


0,75


0,50 – на 0,25 ºC/Вт меньше


Электрическое сопротивление, Ом


0,97


0,68 – на 30% меньше


Паразитная индуктивность, мкГн


2,19


0,52 – на 76% меньше


 


Транзисторы характеризуется высокой стойкостью как к воздействию поглощённой дозы (100/300 крад), так и одиночных заряженных частиц (90 МэВ•мг/см2). Сочетание низкого сопротивления канала в открытом состоянии и низкого значения заряда затвора снижает потери мощности при коммутации транзистора в таких применениях как DC/DC-преобразователи и управление электроприводами.


Эти устройства сохранили все хорошо известные преимущества транзисторов MOSFET, такие как управление уровнем напряжения, быстрое переключение и температурная стабильность электрических параметров.


 


Таблица 2. Основные технические характеристики MOSFET-транзисторов в корпусе SupIR SMD





Наименование


Суммарная накопленная доза, крад


Напряжение блокирующее
BVDSS, В


Ток стока
ID, А


Сопротивление канала
RDS (on) , мОм


Заряд затвора
Qg, нК


IRHNS67160


100


100


56


0,01


170


IRHNS63160


300


 


Детальные технические характеристики транзисторов представлены в справочном листке.


HiRel Products

повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

25 мая 2018

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD.

Одним из требований, предъявляемых к силовым преобразователям с жесткой коммутацией, например, корректорам коэффициента мощности (ККМ) компьютерных серверов и телекоммуникационных систем, источникам бесперебойного питания (ИБП) и инверторам солнечных батарей, является постоянный рост удельной мощности. Увеличение мощности силовых устройств при прежних габаритах диктует разработчикам необходимость поиска путей реализации высокочастотных преобразовательных схем с повышенным КПД и пониженным тепловыделением.

Тепловой режим силовых полупроводниковых приборов, в частности – МОП-транзисторов, является основным фактором, ограничивающим возможность использования компонентов поверхностного монтажа (SMD) вместо традиционных штыревых приборов. Однако в настоящее время полупроводниковая технология Super Junction (SJ) в сочетании с усовершенствованными корпусами SMD дает возможность применения МОП-транзисторов, выполненных в корпусах SMD, в силовых преобразовательных устройствах средней и большой мощности.

В современном мире происходит истощение природных ресурсов, вследствие чего наблюдается рост стоимости недвижимости и энергоносителей. Эти два фактора оказывают огромное влияние на мировую инфраструктуру. Эксперты прогнозируют устойчивую тенденцию роста удельной мощности силовых устройств, вследствие чего технологии каждого нового поколения будут обеспечивать большую мощность в меньшем объеме. Например, в современных серверах увеличение мощности происходит при сохранении малых рабочих напряжений, что приводит к значительному росту потребляемых токов. В свою очередь большие токи требуют увеличения площади сечения медных проводников для минимизации потерь энергии. При взгляде на современные информационные центры становится понятной необходимость роста удельной мощности – рабочее пространство стоит дорого, вследствие чего бизнес стремится получить максимум прибыли с единицы площади. Достигнутая в 2006 г. мощность 6 кВт на одну стойку питания к концу текущего десятилетия увеличится, по прогнозам, почти втрое, что предъявляет все более серьезные требования к системам электропитания.

Большую роль в решении данной проблемы играет повышение энергоэффективности. Если источник питания не вырабатывает избыточного тепла, задача отвода избыточной тепловой энергии отсутствует. Высокая энергоэффективность означает, что конечный потребитель получает больше «полезной» энергии, то есть снижаются затраты энергии на выполнение вычислительных операций, работу систем связи или преобразование солнечной энергии. Более плотная компоновка серверов позволяет уменьшить расходы на аренду недвижимости, а уменьшение тепловыделения снижает требования к системе охлаждения, что в конечном итоге также приводит к уменьшению требуемого рабочего пространства и снижает затраты на электроэнергию.

Несмотря на то, что электронная промышленность достаточно давно перешла на технологию поверхностного монтажа, силовые п/п-приборы, в том числе – усовершенствованные, последнего поколения, по-прежнему выпускаются в корпусах со штыревыми выводами. Наиболее распространенные типы таких корпусов, – TO-220 и TO-247, – обеспечивают наилучший тепловой режим, однако требуют дополнительных производственных операций, увеличивающих стоимость изделия. Кроме того, как будет показано далее, выводы корпусов являются фактором, ограничивающим эксплуатационные характеристики размещенных в них МОП-транзисторов.

МОП-транзисторы Super Junction серии C7 Gold

Хорошо зарекомендовавшая себя технология CoolMOSTM компании Infineon Technologies прошла длительный путь развития, начиная с внедрения в 1999 г. новой структуры стока МОП-транзисторов (рисунок 1). Данный техпроцесс поддерживает высокие стандарты качества, что можно проиллюстрировать следующим фактом – на 1,6 миллиарда выпущенных изделий CoolMOSTM было зарегистрировано всего 38 отказов.

Рис. 1. Сравнительный вид п/п-структур планарного высоковольтного МОП-транзистора (слева) и МОП-транзистора, выполненного по технологии SJ (справа)

МОП-транзисторы, изготовленные по технологии Super Junction, имеют два существенных отличия от планарных высоковольтных МОП-транзисторов. Первое из них заключается в меньшем сопротивлении в открытом состоянии RDS(ON), что достигается более сильным легированием области протекания тока. Однако без вертикальных областей с проводимостью p-типа, образующих структуру компенсации заряда в области ниже ячейки, рабочее напряжение транзистора будет значительно меньше из-за сильно легированной области n-типа. Вертикальные области p-типа с точно заданными размерами создают компенсационную структуру, которая уравновешивает сильнолегированную область протекания тока. В результате достигается нулевое среднее значение зоны пространственного заряда, обеспечивая тем самым высокое рабочее напряжение «сток-сток».

Данная конструкция транзистора позволила уменьшить удельное сопротивление канала, что привело к снижению потерь проводимости. Благодаря сопутствующему положительному эффекту в виде уменьшения площади кристалла произошло уменьшение паразитных емкостей и динамических потерь, что позволило преодолеть предельную линию кремния. Уже в первом поколении транзисторов CoolMOS™ Серии CP были снижены все виды потерь.

Дальнейшее развитие технологии МОП-транзисторов привело к созданию серии C7 с уменьшенными значениями паразитных емкостей и достигнутым впервые в мире удельным сопротивлением R(ON) × A < 1 Ом×мм2. Потери на выключение МОП-транзисторов серии C7 были уменьшены на 50% по сравнению с МОП-транзисторами предыдущего поколения CP. В серии МОП-транзисторов C7 Gold (G7) технология CoolMOSTM получила дальнейшее усовершенствование, в результате чего потери на выключение были дополнительно уменьшены на 25%. МОП-транзисторы C7 Gold (G7) обладают лучшими в своем классе показателями качества в терминах RDS(ON) × EOSS’ и RDS(ON) × Qg, что обеспечивает максимальный КПД в топологиях с жесткой коммутацией, например, ККМ.

Безвыводный корпус TOLL

В силовых каскадах ККМ средней и большой мощности часто используются приборы в корпусах со штыревыми выводами. По мере развития электронной промышленности разработчики корпусов также внедрили ряд инноваций: например, замена корпуса TO-247 на TO-220 позволила уменьшить площадь посадочного места на 50%. Однако даже такие корпуса SMD как D2PAK имеют выводы, несмотря на то, что припаиваются также по технологии поверхностного монтажа. Наличие выводов у выводных корпусов требует отдельного техпроцесса пайки волной припоя или, в худшем случае, ручной пайки. Однако проблема не только в этом – выводы обладают паразитной индуктивностью, которая уменьшает скорость изменения управляющего напряжения, вследствие чего снижается КПД силового каскада.

Для решения данной проблемы компания Infineon разработала безвыводный корпус TOLL (TO-Leadless), преимущества которого показаны на рисунке 2 и в таблице 1.

Рис. 2. Сравнение габаритных и установочных размеров различных типов корпусов

Таблица 1. Сравнение МОП-транзисторов Infineon C7 и G7, выполненных в различных типах корпусов, по максимальному RDS(ON) и паразитной индуктивности выводов

На рисунке 3 показано детальное сравнение габаритных размеров корпуса TOLL с одним из распространенных типов корпусов SMD – D2PAK. В корпусе TOLL полностью отсутствуют выводы, унаследованные традиционными корпусами SMD от их штыревых прототипов, благодаря чему паразитная индуктивность контактов корпуса снижена с 5 до 1 нГн. Кроме того, корпус TOLL занимает на 60% меньший объем по сравнению с D2PAK.

Рис. 3. Сравнение корпусов TO-Leadless (TOLL) и D2PAK

Новый тип корпуса TOLL выполнен по бессвинцовой технологии и обладает минимальной чувствительностью к влажности (класс MSL1), что упрощает производственные процессы по его монтажу. Пайка корпусов TOLL может осуществляться либо волной, либо оплавлением припоя, что обеспечивает большую гибкость в выборе технологических процессов. Особенностью корпуса TOLL является наличие трапециевидных канавок на внешней стороне контактов. В процессе пайки канавки заполняются припоем, что позволяет контролировать соединение контактов с печатной платой оптическими средствами, обеспечивая тем самым высокое качество конечной продукции.

МОП-транзисторы CoolMOS

TM C7 Gold с рабочим напряжением 600 и 650 В в корпусе TOLL

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 представляют собой первые серийно производимые МОП-транзисторы, сочетающие в себе преимущества технологии CoolMOSTM C7 GOLD (G7) и нового корпуса TOLL, что позволяет разработчикам использовать их в силовых преобразовательных устройствах нового поколения.

МОП-транзистор в корпусе TOLL может быть включен по типовой трехвыводной схеме либо с подключением дополнительного вывода истока (Кельвиновское соединение). Несмотря на значительно меньшую паразитную индуктивность истока (1 нГн) дополнительный вывод истока, используемый в качестве общей цепи драйвера затвора, позволяет исключить падение напряжения на паразитной индуктивности. Данная особенность корпуса TOLL обеспечивает работу преобразователя с максимальным КПД, в том числе – при максимальном токе нагрузки.

По сравнению с ближайшими аналогами IPT65R033G7 и IPT60R028G7 имеют наименьшее сопротивление в открытом состоянии – соответственно, 33 и 28 мОм максимум, что в сочетании с типовым значением заряда затвора Qg = 110 нКл и Eoss = 13,5 мкДж при напряжении 400 В демонстрирует лучший показатель качества для 650-вольтовых МОП-транзисторов.

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 в корпусе TOLL имеют габаритные размеры 10,10×11,88×2,4 мм. Безвыводное соединение кристалла в корпусе SMD обеспечивает типичное значение теплового сопротивления «кристалл-окружающая среда» RthJA = 35°C/Вт. Данные тепловые характеристики позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD. В то время как применение 650-вольтовых МОП-транзисторов C7 Gold (G7) ограничено силовыми каскадами с жесткой коммутацией, 600-вольтовая версия может использоваться также в резонансных топологиях, например, LLC.

Преимущества технологии C7 Gold (G7) при использовании МОП-транзисторов в современных силовых преобразовательных устройствах показаны на рисунках 4 и 5. На рисунке 4 показано, что прирост КПД достигнут за счет меньшего сопротивления RDS(ON) и использования четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока. Рисунок 5 иллюстрирует снижение температуры МОП-транзистора, достигнутое за счет внедрения технологии C7 Gold и четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока.

Рис. 4. Увеличение КПД МОП-транзистора в корпусе TOLL по сравнению с выводным корпусом TO-247

Рис. 5. Снижение температуры МОП-транзистора

Заключение

Основным преимуществом технологии C7 Gold является малая величина удельного сопротивления канала R(ON) × A < 1 Ом×мм2, что позволило достичь малых значений RDS(ON) – 33 мОм для 650-вольтового и 28 мОм для 600-вольтового транзисторов. Помимо этого, на повышение КПД силовых каскадов влияют также улучшенные показатели RDS(ON) × EOSS и RDS(ON) × Qg и, как следствие, меньшее тепловыделение.

Дальнейшее увеличение КПД достигнуто за счет применения корпуса TOLL с минимальной индуктивностью истока (1 нГн) и четырехвыводной схемой с Кельвиновским соединением вывода истока. Корпус TOLL сочетает малую площадь посадочного места (115 мм2) и улучшенное тепловое сопротивление (RthJA = 35°C/Вт), что позволяет разработчикам реализовать импульсные источники питания мощностью до 3 кВт на основе МОП-транзисторов в корпусах SMD.

Благодаря автоматизации технологических процессов использование новых типов МОП-транзисторов в серверах, телекоммуникационном оборудовании и инверторах солнечных батарей позволяет повысить удельную мощность и снизить стоимость изделий.

Высокое качество корпуса TOLL (класс MSL1) и его совместимость с технологиями пайки волной и оплавлением припоя обеспечивают изделиям длительный срок эксплуатации. Корпус TOLL сертифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (J-STD20 и JESD22) и в дальнейшем будет использован для корпусирования п/п-приборов, изготавливаемых по другим технологиям, в частности – линейки CoolGaN производства компании Infineon.

•••

Наши информационные каналы

pcb — Как определить компоненты SMD? (или как определить какой-либо компонент)

Шаг 1) Определите упаковку, отметьте, сколько контактов, сначала сопоставьте контакты. Обратите внимание, что иногда штифты корпуса находятся под деталью или выступают от детали. Также получите размеры детали с помощью линейки или (желательно) штангенциркуля и сопоставьте их с таблицей, запишите их для более позднего шага. Убедитесь, что при измерении шага штифтов (расстояния между штифтами), когда это делается точно, может быть трудно определить (например) разницу между шагом 1 мм и 1.Шаг 25 мм. Убедитесь, что измерение является точным, или измерьте несколько выводов и разделите на количество выводов, чтобы получить шаг выводов.

Размеры упаковки стандартизированы IPC-7351, или их также можно найти, выполнив поиск по типу упаковки в Google и сравнив размеры. Размеры упаковки также можно найти на веб-сайтах производителей в таблицах данных (или иногда в файлах отдельно от таблиц данных, для их поиска может потребоваться некоторое время)

Вот несколько ресурсов, которые помогут вам найти разные пакеты или использовать их ниже:

Источник: NXP

Шаг 2) Найдите все маркировки на верхней части компонента. Эти обозначения включают: логотип производителя и \ или код SMT.

Если вы не уверены в различиях символов, убедитесь, что они отмечены. Например: 8 можно ошибочно принять за B. Это означает, что если у вас A32B, его можно принять за A328. Если вы не уверены, вам нужно будет искать и то, и другое. Вот несколько источников, где их можно найти:

Вы можете найти логотипы многих производителей ИС, используя эту ссылку или картинку ниже:

Источник: Electronicspoint

Шаг все еще не может найти его 3) Итак, что вы будете делать в этот момент, если вы не можете найти свою деталь? Есть еще много вариантов.Используйте то, что вы знаете о детали.

Логотип производителя или знак на упаковке могут быть действительно полезными для идентификации упаковки. Используйте параметрический поиск на веб-сайте производителя и информацию об упаковке, чтобы сократить количество деталей. Например: если бы я думал, что это операционный усилитель с 5 контактами, и я знал, что производитель TI, я бы пошел на веб-сайт TI и запустил параметрический поиск, который ищет все операционные усилители с 5-контактными корпусами.

Затем начните проверять таблицы данных, так как большинство ведущих производителей предоставляют коды SMT в таблицах данных с информацией о упаковке.Если это старая деталь, поиск по старым таблицам данных или, возможно, электронное письмо производителю может быть способом уточнить деталь. Многие производители также имеют списки кодов SMD.

Чем больше у вас уверенности в типе пакета (или сузили его до нескольких пакетов) и вы думаете, что знаете, что делает эта часть, вы можете использовать поиск дистрибьютора (например, Digikey, Mouser или Octopart), чтобы сузить круг вопросов. часть есть. Это позволяет вам открыть таблицу и проверить.

Я также нашел очень расплывчатые детали в Google только по упаковке и номеру SMD.Я пробовал разные комбинации пакетов (у меня было два варианта), и после некоторых поисков в Google я сузил его до трех частей. После некоторого тестирования я нашел свою часть.

Если все это не работает, а ваша деталь все еще функционирует, вам, возможно, придется провести дополнительный реверс-инжиниринг схемы и выяснить функциональность детали.

Например, если вы знаете, что это транзистор, вы можете проверить тип транзистора с помощью мультиметра, или диоды могут быть легко определены с помощью диодного режима измерителя.

Из-за утечки тока в цепи, когда она выключена, такие части, как конденсаторы или немаркированные резисторы, возможно, придется отсоединить от платы, чтобы найти истинное значение (остальная часть схемы параллельна компоненту, когда клеммы метр).

% PDF-1.3
%
1 0 obj
> поток

конечный поток
endobj
2 0 obj
>
endobj
3 0 obj
>
endobj
4 0 obj
> / Родительский 3 0 R / Содержание [17 0 R] / Тип / Страница / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / Шрифт >>> / MediaBox [0 0 595. 27563 841.88977] / BleedBox [0 0 595.27563 841.88977] / Аннотации [21 0 R 22 0 R] >>
endobj
17 0 объект
> поток
x} [, 7; E> е_

Интегральные схемы — learn.sparkfun.com

Введение

Интегральные схемы (ИС) — краеугольный камень современной электроники. Они сердце и мозг большинства схем. Это вездесущие маленькие черные «микросхемы», которые можно найти практически на каждой печатной плате. Если вы не какой-то сумасшедший мастер аналоговой электроники, у вас, вероятно, будет хотя бы одна микросхема в каждом электронном проекте, который вы создаете, поэтому важно понимать их как внутри, так и снаружи.

Интегральные схемы — это маленькие черные «микросхемы», которые можно найти во встроенной электронике.

ИС — это набор электронных компонентов — резисторов, транзисторов, конденсаторов и т. Д. — все они помещены в крошечный чип и соединены вместе для достижения общей цели. Они бывают самых разных видов: одноконтурные логические вентили, операционные усилители, таймеры 555, регуляторы напряжения, контроллеры двигателей, микроконтроллеры, микропроцессоры, ПЛИС . .. список можно продолжать и продолжать.

Рассмотрено в этом учебном пособии

  • Состав IC
  • Общие пакеты ИС
  • Идентификация ИС
  • Часто используемые ИС

Рекомендуемая литература

Интегральные схемы — одна из наиболее фундаментальных концепций электроники. Тем не менее, они основаны на некоторых предыдущих знаниях, поэтому, если вы не знакомы с этими темами, сначала подумайте о прочтении их руководств …

Внутри IC

Когда мы думаем об интегральных схемах, на ум приходят маленькие черные микросхемы.Но что внутри этого черного ящика?

Внутренности интегральной схемы, видимые после снятия верхней части.

Настоящее «мясо» ИС — это сложное наслоение полупроводниковых пластин, меди и других материалов, которые соединяются между собой, образуя транзисторы, резисторы или другие компоненты в цепи. Вырезанная и сформированная комбинация этих пластин называется матрицей .

Обзор кристалла ИС.

Хотя сама ИС крошечная, пластины из полупроводника и слои меди, из которых она состоит, невероятно тонкие.Связи между слоями очень сложные. Вот увеличенная часть кубика выше:

Кристалл ИС — это схема в ее наименьшей возможной форме, слишком мала для пайки или подключения. Чтобы упростить нам работу по подключению к ИС, мы упаковываем кристалл. Пакет IC превращает тонкий крошечный кристалл в черный чип, с которым мы все знакомы.

Пакеты ИС

Корпус — это то, что инкапсулирует кристалл интегральной схемы и превращает его в устройство, к которому мы можем более легко подключиться.Каждое внешнее соединение на кристалле подключается крошечным кусочком золотого провода к контакту или контакту на корпусе. Контакты — это серебристые выдавленные клеммы на ИС, которые используются для подключения к другим частям цепи. Это крайне важно для нас, потому что именно они будут подключаться к остальным компонентам и проводам в цепи.

Существует множество различных типов корпусов, каждый из которых имеет уникальные размеры, типы монтажа и / или количество выводов.

Маркировка полярности и нумерация контактов

Все микросхемы поляризованы, и каждый вывод уникален как по расположению, так и по функциям. Это означает, что на упаковке должен быть какой-то способ передать, какой штифт какой. Большинство микросхем будут использовать либо метку , либо точку , чтобы указать, какой контакт является первым контактом. (Иногда оба, иногда одно или другое.)

Как только вы узнаете, где находится первый вывод, номера оставшихся выводов последовательно увеличиваются по мере того, как вы перемещаетесь против часовой стрелки по микросхеме.

Тип монтажа

Одной из основных отличительных характеристик типа корпуса является способ его крепления на печатной плате. Все корпуса делятся на два типа монтажа: монтаж в сквозное отверстие (PTH) или поверхностный монтаж (SMD или SMT). Пакеты со сквозным отверстием обычно больше, и с ними намного проще работать. Они предназначены для вставки через одну сторону платы и припаивания к другой стороне.

Пакеты для поверхностного монтажа различаются по размеру от маленьких до миниатюрных.Все они предназначены для размещения на одной стороне печатной платы и припаяны к поверхности. Штыри SMD-корпуса либо выступают со стороны, перпендикулярно чипу, либо иногда располагаются в виде матрицы на дне чипа. ИС в этом форм-факторе не очень удобны для ручной сборки. Обычно для этого требуются специальные инструменты.

DIP (двухрядные корпуса)

DIP, сокращенно от двухрядного корпуса, является наиболее распространенным корпусом ИС со сквозным отверстием, с которым вы столкнетесь.Эти маленькие микросхемы имеют два параллельных ряда штырей, перпендикулярно выступающих из прямоугольного черного пластикового корпуса.

28-контактный ATmega328 — один из самых популярных микроконтроллеров в корпусе DIP (спасибо, Arduino!).

Расстояние между контактами DIP IC составляет 0,1 дюйма (2,54 мм), что является стандартным расстоянием и идеально подходит для установки в макетные платы и другие макетные платы. Общие размеры DIP-корпуса зависят от количества контактов, которое может быть от четырех до 64.

Область между каждым рядом контактов идеально разнесена, чтобы позволить микросхемам DIP занимать центральную часть макета. Это обеспечивает каждому контакту отдельный ряд на плате и гарантирует, что они не замыкаются друг на друга.

Помимо использования в макетных платах, микросхемы DIP также могут быть впаяны в платы . Они вставлены в одну сторону платы и припаяны к другой стороне. Иногда, вместо того, чтобы паять непосредственно на микросхему, рекомендуется вставить в разъем микросхемы.Использование сокетов позволяет снимать и заменять DIP IC, если он «выпустит синий дым».

Обычный разъем DIP (вверху) и разъем ZIF с ИС и без нее.

Пакеты для поверхностного монтажа (SMD / SMT)

В наши дни существует огромное разнообразие типов корпусов для поверхностного монтажа. Чтобы работать с ИС в корпусе для поверхностного монтажа, вам обычно нужна специальная печатная плата (PCB), изготовленная для них, которая имеет соответствующий узор из меди, на которой они припаяны.

Вот несколько наиболее распространенных типов корпусов SMD, которые варьируются по способности пайки вручную от «выполнимо» до «выполнимо, но только со специальными инструментами» до «выполнимо только с помощью очень специальных, обычно автоматизированных инструментов».

Small-Outline (СОП)

Малогабаритные ИС (SOIC) — это двоюродный брат DIP для поверхностного монтажа. Это то, что вы получите, если согнете все штыри на DIP наружу и уменьшите его до нужного размера. С твердой рукой и внимательным взглядом эти корпуса являются одними из самых простых для ручной пайки SMD-деталей.В корпусах SOIC каждый штифт обычно расположен на расстоянии около 0,05 дюйма (1,27 мм) от следующего.

SSOP (shrink small-outline package) — это еще меньшая версия пакетов SOIC. Другие похожие пакеты IC включают TSOP (тонкий корпус с мелкими контурами) и TSSOP (корпус с тонкой усадкой и мелкими контурами).

16-канальный мультиплексор (CD74HC4067) в 24-выводном SSOP корпусе. Установлен на плате посередине (четверть добавлена ​​для сравнения размеров).

Многие из более простых, ориентированных на одну задачу ИС, таких как MAX232 или мультиплексоры, представлены в формах SOIC или SSOP.

Квадроциклы с плоским экраном

Раздвигание выводов микросхемы во всех четырех направлениях дает вам что-то, что может выглядеть как плоский четырехугольный корпус (QFP). ИС QFP могут иметь от восьми контактов на каждую сторону (всего 32) до более семидесяти (всего 300+). Контакты на микросхеме QFP обычно расположены на расстоянии от 0,4 мм до 1 мм. Меньшие варианты стандартного пакета QFP включают тонкий (TQFP), очень тонкий (VQFP) и низкопрофильный (LQFP) пакеты.

ATmega32U4 в 44-выводном (по 11 с каждой стороны) корпусе TQFP.

Если вы отшлифуете ножки микросхемы QFP, вы получите что-то, что может выглядеть как корпус с четырьмя плоскими выводами (QFN) . Соединения на корпусах QFN представляют собой крошечные открытые площадки на нижних угловых краях ИС. Иногда они оборачиваются и обнажены как сбоку, так и снизу, в других упаковках открыта контактная площадка только в нижней части чипа.

Многофункциональный датчик IMU MPU-6050 поставляется в относительно крошечном корпусе QFN с 24 контактами, скрытыми на нижнем крае ИС.

Тонкие (TQFN), очень тонкие (VQFN) и микропроводные (MLF) корпуса представляют собой меньшие варианты стандартного корпуса QFN. Существуют даже корпуса с двумя без выводами (DFN) и с тонкими двойными выводами (TDFN), которые имеют контакты только на двух сторонах.

Многие микропроцессоры, датчики и другие современные ИС поставляются в корпусах QFP или QFN. Популярный микроконтроллер ATmega328 предлагается как в корпусе TQFP, так и в форме QFN-типа (MLF), в то время как крошечный акселерометр / гироскоп, такой как MPU-6050, поставляется в миниатюрной форме QFN.

Массивы с шариковой сеткой

Наконец, для действительно продвинутых ИС есть корпуса с шариковой решеткой (BGA). Это удивительно замысловатые маленькие корпусы, в которых маленькие шарики припоя расположены в виде двумерной сетки в нижней части ИС. Иногда шарики припоя прикрепляются непосредственно к матрице!

Пакеты

BGA обычно предназначены для продвинутых микропроцессоров, таких как pcDuino или Raspberry Pi.

Если вы умеете паять ИМС в корпусе BGA вручную, считайте себя мастером пайки.Обычно для того, чтобы поместить эти пакеты на печатную плату, требуется автоматическая процедура, включающая машины для захвата и размещения и печи оплавления.

Общие ИС

Интегральные схемы широко распространены в электронике, что трудно охватить все. Вот несколько наиболее распространенных микросхем, которые могут встретиться в образовательной электронике.

Логические вентили, таймеры, регистры сдвига и т. Д.

Логические вентили, составляющие гораздо больше самих микросхем, могут быть объединены в их собственные интегральные схемы.Некоторые ИС логических вентилей могут содержать несколько вентилей в одном корпусе, например этот вентиль И с четырьмя входами:

Логические элементы

могут быть подключены внутри ИС для создания таймеров, счетчиков, защелок, регистров сдвига и других базовых логических схем. Большинство этих простых схем можно найти в пакетах DIP, а также в SOIC и SSOP.

Микроконтроллеры, микропроцессоры, ПЛИС и т. Д.

Микроконтроллеры, микропроцессоры и ПЛИС — все они содержат тысячи, миллионы и даже миллиарды транзисторов в крошечной микросхеме — все это интегральные схемы.Эти компоненты существуют в широком диапазоне функций, сложности и размеров; от 8-битного микроконтроллера, такого как ATmega328 в Arduino, до сложного 64-битного многоядерного микропроцессора, организующего деятельность на вашем компьютере.

Эти компоненты обычно являются самой большой ИС в цепи. Простые микроконтроллеры можно найти в корпусах от DIP до QFN / QFP, с количеством выводов от восьми до сотни. По мере того, как эти компоненты усложняются, пакет становится одинаково сложным.ПЛИС и сложные микропроцессоры могут иметь до тысячи контактов и доступны только в расширенных пакетах, таких как QFN, LGA или BGA.

Датчики

Современные цифровые датчики, такие как датчики температуры, акселерометры и гироскопы, упакованы в интегральную схему.

Эти ИС обычно меньше, чем микроконтроллеры или другие ИС на печатной плате, с числом контактов от трех до двадцати. Микросхемы датчиков DIP становятся редкостью, поскольку современные компоненты обычно встречаются в корпусах QFP, QFN и даже BGA.

10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw Электронные компоненты и полупроводники Полупроводники и активные компоненты

10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw Электронные компоненты и полупроводники Полупроводники и активные элементы

    Home
  1. Business & Industrial
  2. Электрооборудование и материалы
  3. Электронные компоненты и полупроводники
  4. Полупроводники и активные компоненты
  5. Транзисторы
  6. 10x SMD bss84 / t1 Mosfet Транзистор / Транзисторы Корпус sot-23 50v 130x 21 мВт
  7. SMD bss84 / t1 mosfet транзистор / корпус sot-23 50v 130ma 250mw

    bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw 10x SMD, блоки питания / Netzteile, маркировка BSS84 / T1 (SP), кабели и адаптеры / Kabel, тип транзисторный MOSFET, Rechnung mit ausgew, серверные части, запчасти для ноутбуков , Звуковые карты. bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw 10x SMD, 10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw, Business & Industrial, Electric Equipment & Supplies, Electronic Components & Semiconductors, Semiconductors & Активы, транзисторы.

    ВАМ НУЖНО РАЗРЕШИТЬ ВОПРОСЫ СОБЛЮДЕНИЯ?
    МЫ КЛЮЧ
    ВАМ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ЭФФЕКТИВНОСТЬ?
    МЫ КЛЮЧ
    ВАМ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ?
    МЫ КЛЮЧ
    МЫ КЛЮЧ К ВАШЕМУ УСПЕХУ.СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ СЕГОДНЯ

    10x SMD bss84 / t1 mosfet транзистор / корпус транзисторов sot-23 50v 130ma 250mw

    10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw. Маркировка BSS84 / T1 (SP). Кабели и адаптеры / Kabel. Тип Транзисторный MOSFET. Rechnung mit ausgew. Серверные части. Запчасти для ноутбуков. Звуковые карты. Источники питания / Netzteile .. Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерызничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий: ISBN:: Nicht zutreffend, Marke:: Markenlos: Herstellernummer:: Nicht zutreffend, EAN:: 4060787053183,

    действует в интересах вашей компании

    Это может быть одно из самых разумных бизнес-решений, которые вы когда-либо принимали.

    (ПЭО)

    Если вам нужна помощь в управлении все более сложными вопросами, связанными с сотрудниками, такими как льготы по здоровью, требования компенсации работникам, начисление заработной платы, соблюдение налоговых требований и страховые выплаты по безработице, решение может стать лизингом сотрудников через организацию профессиональных работодателей (PEO).Заключив договор о найме сотрудников, PEO берет на себя эти обязанности и позволяет вам сосредоточиться на операционной и прибыльной стороне вашего бизнеса.

    10x SMD bss84 / t1 mosfet транзистор / корпус для транзисторов сот-23 50в 130ма 250 мвт

    Tektronix TEK 400MHz P6137 Испытательный провод осциллографа Пробник 10,8PF ДЛЯ 2400 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. 2 шт., Шнур с банановой вилкой, 4 мм, для проверки кабельного вывода кабеля с зажимом для крюка, для мультиметра, длинных 9-метровых валков для термообработки SagePay VX-510 PDQ, для мойки автомобилей.BOAT DETAILING BANNER SIGN морской обезжиривающий гелькоут застрахован. 10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw . Диспенсер для разливного пивного крана для домашнего пивоварения для бочонка. Триммер для бумаги Портативная машина для скрапбукинга A4 A5 Резак для фотографий Офисная резка. Кол-во 10 Umpco 5/8 «зажимов с мягкой петлей MS21919-WDG10 Wedge Adel 5340005846556, 654 3 м Blocco Post It мм 76×76 Giallo Originale Cod.25 СУМКИ ZIP / ZIPPY Папка-органайзер Карманный кошелек A3 для хранения предметов, 10x SMD Transistor bss84 / t1 Mosf / Корпус транзисторов сот-23 50в 130ма 250мвт .

    МЫ — Ключ к вашему успеху!

    Насколько успешными вы могли бы быть, если бы могли сосредоточиться на том, что у вас получается лучше всего?

    КлючHR

    Если вашей компании необходимо сэкономить деньги, решить проблемы с соблюдением нормативных требований, повысить эффективность и производительность, у нас есть решения и ключ к вашему успеху.

    10x SMD bss84 / t1 mosfet транзистор / корпус для транзисторов сот-23 50в 130ма 250 мвт

    10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw, Business & Industrial, Electric Equipment & Supplies, Electronic Components & Semiconductors, Semiconductors & Actives, Transistors

    Прокрутка

    10x SMD bss84 / t1 mosfet транзистор / корпус транзисторов sot-23 50v 130ma 250mw

    Размер включает застежку омара.Если товары неисправны или повреждены по прибытии. Купите ремень безопасности с пряжкой — Frozen Elsa the Snow Queen Poses / Snowflakes — 1, 4-зубчатая HSS и алюминиевая концевая фреза, акция США 20 мм, Фартуки для пар, свадебные подарки для помолвки, мы облегчаем вам демонстрацию этого в индивидуальный способ, если вы не можете определить размер, Amanero итальянский интерфейс USB один коаксиальный выход cpldspdif i2s dsd512 dop128. — Цвета могут немного отличаться на веб-сайте из-за разрешения компьютерного изображения и настроек монитора.Nostalgic Warehouse 727016 New York Тарелка с замочной скважиной Дверная ручка из черного стекла из латуни без лакокрасочного покрытия. DS1231 DS1231-20 Dallas Semi Power Monitor 8-контактный DIP IC. Купите olise bridal с открытыми плечами бордового цвета с аппликациями, короткими платьями для выпускного вечера, мини-вечерними платьями и другими платьями на. ВЫБЕРИТЕ ОТДЕЛКУ (выпадающий список выше) — обратите внимание, если вы решите, чтобы я проштамповал обе стороны. 1 шт. Новый MAX4003 MAX4003EUA MAX4003EUA +, простой, но крутой дизайн в стиле Баухаус в сочетании с модными цветами приветствовал нас. Эти красочные двусторонние настольные бегунки 72 — отличный выбор для этого летнего и осеннего сезона с блестящими подсолнухами в потрясающем узоре подсолнухов с зелеными листьями на коричневом фоне, E011B / 9 Новые перчатки Honeywell Salisbury Lineman E011B / 10 размеров 9 и 10 # I- 3965. Сделано вручную из сплава свиньи с темно-розовыми 3d бусинками-иллюзиями по обе стороны на черном шнуре с черными бусинами на концах шнуров. Наши ткани и материалы для художественных работ протестированы и одобрены на безопасность, Дисковые косилки 5409 Новый правый нож для серой новой идеи 5406 5407 5408 526215, ** Примечание. Прозрачность — вы можете просмотреть стоимость доставки и цену товара для каждого объявления, пожалуйста, посетите наш сайт Earthstone.1 ~ 5X 28Ncm Nema 17 Stepper Motor 0.4A 1.8 ° 4-проводной кабель для 3D-принтера с ЧПУ Reprap. Нагрудники бывают хорошо заметных флуоресцентных цветов, таких как флуоресцентный зеленый. Пакет из 4 красивых винных воротников — идеальный подарок для любителей вина. # 5 10,5×16 ФИОЛЕТОВЫЕ ПОЧТОВЫЕ ПОЧТОВЫЕ ПУЗЫРЬКИ ОТПРАВКА КОНВЕРТОВ С ПОЧТОЙ 10,5 x 15.: We R Хранители памяти 0633356607113 Перфорированная доска и перфорация. ОБНОВЛЕНИЕ НОВОГО КЛЕЯ: зеркальные пленки не липнут после погружения в воду и их легче установить, чем клеевую пленку, используя водный раствор; После того, как вода высохнет, в нем есть все, что нужно стильному законодателю вкуса, чтобы добавить интриги в комнату — Творческие подарки, которые нравятся и взрослым, и детям.

    10x SMD bss84 / t1 Mosfet Transistor / Transistors Case sot-23 50v 130ma 250mw
    Power Supplies / Netzteile, Marking BSS84 / T1 (SP), Cables & Adapters / Kabel, Type Transistor MOSFET, Rechnung mit ausgew, Server Parts, Запчасти для ноутбуков, звуковые карты.

    Пакеты компонентов SMT / SMD_Topdiode

    —- обзор различных пакетов компонентов SMD, используемых для технологии поверхностного монтажа, компоненты SMT

    Технология поверхностного монтажа, SMT включает:
    • Обзор SMT
    • Компоненты SMD
    • SMD резистор
    • Маркировка резисторов SMD
    • MELF SMD резистор
    • Конденсатор SMD
    • Quad Flat Package, QFP
    • BGA, решетка с шариками
    • SMD PLCC

    Технология поверхностного монтажа, компоненты SMT поставляются в различных упаковках.
    По мере совершенствования технологии поверхностного монтажа многие корпуса уменьшились в размерах. Кроме того, существует множество различных пакетов SMT для интегральных схем, зависящих от требуемой взаимосвязи, используемой технологии и множества других факторов.

    Стандарты для корпусов для поверхностного монтажа
    Для обеспечения некоторой степени единообразия размеры большинства компонентов SMT соответствуют отраслевым стандартам, многие из которых являются спецификациями JEDEC. Очевидно, что для разных типов компонентов используются разные пакеты SMT, но наличие стандартов позволяет упростить такие действия, как проектирование печатных плат.Кроме того, использование пакетов стандартного размера упрощает производство, поскольку машины для захвата и размещения могут использовать стандартную подачу для компонентов SMT, что значительно упрощает производственный процесс и снижает затраты.
    Различные пакеты SMT можно разделить на категории по типу компонентов, и для каждого из них есть стандартные пакеты.

    Пассивные прямоугольные компоненты
    Эти компоненты SMT в основном представляют собой резисторы и конденсаторы, которые составляют основную часть количества используемых компонентов.Есть несколько различных размеров, которые были уменьшены, поскольку технология позволила производить и использовать более мелкие компоненты.

    Из этих типоразмеров размеры 1812 и 1206 сейчас используются только для специализированных компонентов или компонентов, требующих большего уровня рассеиваемой мощности. Типоразмеры 0603 и 0402 SMT являются наиболее широко используемыми.

    Танталовые конденсаторы SMD корпуса
    Из-за разной конструкции и различных требований к танталовым конденсаторам для поверхностного монтажа, для них используются разные корпуса.Они соответствуют спецификациям EIA.

    Полупроводниковые корпуса SMD
    Существует большое количество корпусов SMT, используемых для полупроводников, включая диоды, транзисторы и интегральные схемы. Причина большого разнообразия корпусов SMT для интегральных схем кроется в большом разбросе уровня требуемой взаимосвязанности. Некоторые из основных пакетов приведены ниже

    Транзисторно-диодные корпуса
    Транзисторы и диоды SMD часто имеют один и тот же тип корпуса.В то время как диоды имеют только два электрода, упаковка из трех позволяет правильно выбрать ориентацию.

    SMD диоды на печатной плате
    Хотя доступно множество SMT-транзисторов и диодных корпусов, некоторые из наиболее популярных приведены в списке ниже.
    SOT-23 — Малый контурный транзистор: этот корпус SMT имеет три вывода для диода транзистора, но может иметь больше контактов, когда его можно использовать для небольших интегральных схем, таких как операционный усилитель и т. Д.Его размеры 3 мм x 1,75 мм x 1,3 мм.
    SOT-223 — Малый контурный транзистор: этот корпус используется для устройств большей мощности. Его размеры 6,7 мм x 3,7 мм x 1,8 мм. Обычно имеется четыре клеммы, одна из которых представляет собой большую теплообменную площадку.

    SMD корпуса интегральных схем
    Есть много форм упаковки, которые используются для SMD IC. Хотя существует большое разнообразие, у каждого есть области, в которых его использование особенно применимо.
    SOIC — Small Outline Integrated Circuit: этот корпус SMD IC имеет двойную линейную конфигурацию и выводы в виде крылышек чайки с расстоянием между выводами 1.27 мм
    SOP — Small Outline Package: существует несколько версий этого пакета SMD:

    TSOP — Тонкий маленький контурный корпус: этот SMD-корпус тоньше, чем SOIC, и имеет меньшее расстояние между выводами 0,5 мм
    SSOP — термоусадочный корпус малого размера: в этом корпусе шаг контактов составляет 0,635 мм
    TSSOP — Тонкая термоусадочная упаковка, небольшая упаковка:
    QSOP — Quarter-size Small Outline Package: он имеет расстояние между выводами 0,635 мм
    VSOP — очень маленький контурный пакет: он меньше, чем QSOP, и имеет расстояние между выводами 0. 4, 0,5 или 0,65 мм.
    QFP- Quad flat pack: QFP — это стандартный тип плоского корпуса для ИС. Есть несколько вариантов, как описано ниже.

    LQFP — Низкопрофильный четырехугольный плоский пакет: этот пакет имеет штыри со всех четырех сторон. Расстояние между выводами зависит от микросхемы, но высота составляет 1,4 мм.
    PQFP — Plastic Quad Flat Pack: Квадратный пластиковый пакет с равным количеством штифтов в виде крыла чайки на каждой стороне. Обычно узкий интервал и часто 44 или более контактов. Обычно используется для схем СБИС.

    CQFP — Ceramic Quad Flat Pack: керамическая версия PQFP.
    TQFP — Thin Quad Flat Pack: тонкая версия PQFP.
    Подробнее о QFP — Quad Flat Pack
    BGA — Ball Grid Array: корпус, в котором под корпусом используются контактные площадки для контакта с печатной платой. Перед пайкой контактные площадки выглядят как шарики припоя, отсюда и название.

    Благодаря размещению подушечек под упаковкой для них становится больше места, что позволяет преодолеть некоторые проблемы, связанные с очень тонкими выводами, необходимыми для плоских четырехъядерных упаковок. Расстояние между шариками на BGA обычно составляет 1,27 мм. Подробнее о Ball Grid Array
    PLCC — Пластиковый держатель микросхемы с выводами: этот тип корпуса имеет квадратную форму и использует J-образные выводы с расстоянием 1,27 мм. Подробнее о держателе микросхем с пластиковыми выводами PLCC

    Пакетные приложения SMD
    Пакеты технологии поверхностного монтажа SMT используются для большинства конструкций печатных схем, которые будут производиться в любых количествах. Хотя может показаться, что существует относительно большое количество различных пакетов, уровень стандартизации все еще достаточно высокий.В любом случае это происходит в основном из-за огромного разнообразия функций компонентов.

    Пакет малых контурных транзисторов (SOT)

    Маленький
    Контурный транзистор (СОТ)

    пакеты очень маленькие, недорогие

    Пластиковые формованные корпуса для поверхностного монтажа с выводами на двух длинных
    стороны.

    Благодаря низкой стоимости и низкому профилю, SOT широко используются в потребительских
    электроника.Телефон


    СОТ-23

    и

    SC-70

    Пакеты — это два наиболее широко используемых сегодня пакета SOT. Обратите внимание, что
    кроме этих двух, есть много других SOT
    типы корпусов, используемые в индустрии IC.

    Типичное количество свинцов для пакета SOT-23 составляет от 3 до 8, в то время как
    типичное количество свинцов для SC-70 составляет от 3 до 6.

    Примеры типовых размеров корпусов SOT-23 и SC-70 приведены в таблице 1.

    Обратите внимание, что в пакетах с нечетным свинцом
    насчитывает

    ,
    одна сторона упаковки имеет на один вывод меньше, чем другая сторона.
    Это приводит к тому, что расстояние между двумя соседними выводами увеличивается вдвое.
    нормальный шаг свинца в упаковке. Некоторые пакеты SOT имеют два разных вывода
    размеры в одной упаковке.Такие пакеты могут иметь разные
    значения шага отведений, в зависимости от того, к каким двум соседним отведениям они относятся
    к.

    Таблица 1. Свойства некоторых
    SOT-23 / SC-70 Пакеты

    Часть
    #

    Нет.
    булавок

    Тело
    Длина

    Тело
    Ширина

    Тело
    Толщина

    Вести
    Подача

    5-Л СОТ-23

    5

    115
    мил

    63 мил

    40
    мил

    37. 5
    мил / 75 мил

    6-Л
    СОТ-23

    6

    115
    мил

    63
    мил

    40
    мил

    37.5
    мил

    5-л SC-70

    5

    79
    мил

    49
    милы

    35 год
    мил

    25. 5
    мил /

    51
    мил

    5-л SC-70

    5

    83
    мил

    49
    милы

    35 год
    мил

    25.5
    мил /

    51
    мил

    Рисунок 1. Примеры SOT-23 (слева) и SC-70 (справа)

    См. Другие типы SOT

    См. Другие типы пакетов IC

    ДОМА

    Авторские права

    2001 www.EESemi.com 90 248.
    Все права защищены.

    Электрооборудование и материалы для бизнеса и промышленности SOT143 MAKE BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET NXP Semiconductors CASE futuremigration.eu

    Бизнес и промышленность Электрическое оборудование и материалы SOT143 MAKE BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET NXP Semiconductors CASE futuremigration. eu

    1. Home
    2. Business & Industrial
    3. Электрооборудование и принадлежности
    4. Электронные компоненты и полупроводники
    5. Полупроводники и активные компоненты
    6. Интегральные схемы (ИС)
    7. Другие интегральные схемы
    8. SOT143 MAKE BF998-MOSFET Transistor Полупроводники CASE

    Транзисторный МОП-транзистор с N каналом BF998-SMD — КОРПУС: SOT143 СДЕЛАТЬ: NXP Semiconductors
    Электронные компоненты и полупроводники Полупроводники и активные элементы Интегральные схемы (ИС) Прочие интегральные схемы Бизнес и промышленное электрическое оборудование и материалы, SOT143 MAKE BF998-SMD Transistor NXP Semiconductors NXP Semiconductors CASE, SOT143 MAKE BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET NXP Semiconductors CASE, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения для N-канального МОП-транзистора BF998-SMD — CASE: SOT143 MAKE: NXP Semiconductors лучшие онлайн цены на, BF998-SMD MOSFET N-канальный транзистор NXP Semiconductors CASE SOT143 MAKE, Транзисторный N-канальный MOSFET NXP Semiconductors CASE SOT143 MAKE BF998-SMD.

    Дело: :
    SOT143 :
    MPN: :
    BF998-SMD, неоткрытый, такой как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. Состояние:

    Новинка: Совершенно новый, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения для MOSFET-транзистора с N каналом BF998-SMD — СЛУЧАЙ: SOT143 СДЕЛАТЬ: NXP Semiconductors по лучшим онлайн-ценам на, SOT143 СДЕЛАТЬ BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET NXP Semiconductors CASE, SOT143 MAKE BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET NXP Semiconductors CASE

    Просмотреть все определения условий


    Торговая марка: :
    NXP Semiconductors, неповрежденный элемент в оригинальной упаковке (если упаковка

    применимо), N-канальный МОП-транзистор BF998-SMD — КОРПУС: SOT143 СДЕЛАТЬ: NXP Semiconductors, Транзисторный N-канальный МОП-транзистор BF998-SMD NXP Semiconductors КОРПУС SOT143 СДЕЛАТЬ. Полные сведения см. в списке продавца, если товар не был изготовлен вручную или был упакован производитель в нерыничной упаковке, неиспользованный, для многих товаров доставка бесплатна

    BF998-SMD Транзисторный полевой МОП-транзистор с каналом N — КОРПУС: SOT143 СДЕЛАТЬ: NXP Semiconductors

    Бесплатная доставка для многих продуктов. Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на BF998-SMD Transistor N Channel MOSFET — CASE: SOT143 MAKE: NXP Semiconductors по лучшим онлайн-ценам на.SOT143 MAKE BF998-SMD Транзистор N-канальный MOSFET NXP Semiconductors CASE BF998-SMD Транзистор N-канальный MOSFET CASE NXP Semiconductors SOT143 MAKE NXP Semiconductors BF998-SMD Транзистор N-канальный MOSFET SOT143 MAKE-SMD Транзистор N-канальный MOSXPET SOT143 MAKE-SMD-транзистор N-канальный MOSFET SOT143 MAKE-MASE CASE SOT143 MAKE-CASE CASE 14 N-канальный транзистор SOT143 MAKE-MASE SOT143 MAKE CASE CASE SOT143 MAKE-CASE CASE SOT143 MAKE-CASE CASE CASE SOT143 MAKE-MASE CASE CASE BF998-SMD Транзисторный N-канальный МОП-транзистор NXP Semiconductors CASE

    .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *