irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D²PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

• Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
• Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
• Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
• Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при T_j= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.	Условия
V(BR)DSS	Напряжение пробоя сток-исток	55	—	—	В	VGS = 0 В, ID = 250 мкA
∆V(BR)DSS/∆TJ	Температурный коэффициент напряжения пробоя	—	0.058	—	В/°C	До 25°C, ID = 1 мA
RDS(on)	Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии	—	—	17.5	мОм	VGS = 10 В, ID = 25 A (4)
VGS(th)	Пороговое напряжение на  затворе	2.0	—	4.0	В	VDS = VGS, ID = 250 мкA
gfs	Крутизна характеристики	19	—	—	S	VDS = 25 В, ID = 25 A (4)
IDSS	Ток утечки сток-исток	—	—	25	мкА	VDS = 55 В, VGS = 0 В
		—	—	250		VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
IGSS	Ток утечки в прямом направлении	—	—	100	нА	VGS = 20 В
	Ток утечки в обратном направлении	—	—	-100		VGS = -20 В
Qg	Суммарный заряд затвора	—	—	63	нКл	ID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Qgs	Заряд между затвором и истоком	—	—	14
Qgd	Заряд между затвором и стоком	—	—	23
td(on)	Время задержки включения	—	12	—	нс	VDD = 28 В,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
tr	Время нарастания	—	60	—
td(off)	Время задержки выключения	—	44	—
tf	Время спада	—	45	—
LD	Внутренняя индуктивность стока	—	4.5	—	нГн
LS	Внутренняя индуктивность истока	—	7.5	—
Ciss	Входная емкость	—	1470	—	пФ	VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
Coss	Выходная емкость	—	360	—
Crss	Обратная переходная емкость	—	88	—
EAS	Энергия единичного лавинного импульса (2)	—	530 (5)	150 (6)	мДж	IAS = 25 A, L = 0.47 мГн

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK1542	N	MOSFET	125	60	20		45	150		20	1500	0.02	TO220AB
2SK3270-01	N	MOSFET	135	60	30		80	150				0.0065	TO220AB
2SK3435	N	MOSFET	84	60	20		80	150	60	1200	520	0.014	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0.016	TO220AB
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0.023	TO220AB
AUIRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20		84		58			0.0085	TO220AB
AUIRF1018E	N	MOSFET	110	60	20	4	79	175	46			0.0084	TO220AB
AUIRFB3607	N	MOSFET	140	75			80		56			0.009	TO220AB
AUIRFZ48N	N	MOSFET	94	55	20	4	64	175	42			0.014	TO220AB
AUIRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0.011	TO220AB
AUIRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
BUK7506-55A	N	MOSFET	300	55	20	4	75	175				0.0063	TO220AB
BUK7507-55B	N	MOSFET	203	55	20	4	75	175	53			0.0071	TO220AB
BUK7509-55A	N	MOSFET	211	55	20	4	75	175	62			0.009	TO220AB
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7511-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	75	175				0.011	TO220AB
BUK7511-55B	N	MOSFET	157	55	20	4	75	175	37			0.011	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7514-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	73	175				0.014	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7516-55A	N	MOSFET	138	55	20	4	65.7	175				0.016	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0.02	TO220AB
BUK7520-55A	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175				0.02	TO220AB
BUK7523-75A	N	MOSFET	138	75	20	4	53	175				0.023	TO220AB
BUK9506-55B	N	MOSFET	258	55	15	2	75	175	60			0.0054	TO220AB
BUK9508-55B	N	MOSFET	203	55	15	2	75	175	45			0.007	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9511-55A	N	MOSFET	166	55	10	2	75	175				0.01	TO220AB
BUK9512-55B	N	MOSFET	157	55	15	2	75	175	31			0.01	TO220AB
BUK9514-55A	N	MOSFET	149	55	10	2	73	175				0.013	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-55A	N	MOSFET	138	55	10	2	66	175				0.015	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9518-55A	N	MOSFET	136	55	15	2	61	175				0.016	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0.019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9520-55A	N	MOSFET	118	55	10	2	54	175				0.018	TO220AB
BUK9523-75A	N	MOSFET	138	75	10	2	53	175				0.022	TO220AB
BUK9524-55A	N	MOSFET	105	55	10	2	46	175				0.0217	TO220AB
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0.008	TO220AB
CS3205_B8	N	MOSFET	230	55	20		110	175		51	903	0.0085	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP10AN06A0	N	MOSFET	135	60	20	4	75	175		128	340	0.0105	TO220AB
FDP13AN06A0	N	MOSFET	115	60	20	4	62	175		96	260	0.0135	TO220AB
FDP14AN06LA0	N	MOSFET	125	60	20	3	67	175		169	270	0.0116	TO220AB
FDP20AN06A0	N	MOSFET	90	60	20	4	45	175		98	185	0.02	TO220AB
FDP5500	N	MOSFET	375	55	20	4	80	175		34	1310	0.007	TO220AB
HUF76432P3	N	MOSFET	130	60	16	3	56	175	53			0.021	TO220AB
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0.017	TO220AB
HY110N06T	N	MOSFET	125	55	20	3	110	175		12.июн	385	0.0055	TO220AB
HY75N075T	N	MOSFET	83.3	75	20	4	75	175		19.фев	650	0.009	TO220AB
HY80N075T	N	MOSFET	125	75	20	4	80	175		18.фев	420	0.008	TO220AB
HY80N07T	N	MOSFET	96.7	65	20	4	80	175		22.июн	660	0.0072	TO220AB
IRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20	4	84	175	58			0.0085	TO220AB
IRF1018E	N	MOSFET	110	60	20		79		46			0.0084	TO220AB
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0.009	TO220AB
IRFB3607	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607G	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607GPBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB3607PBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB4510PBF	N	MOSFET	140	100	20	4	62	175	58	32	220	0.0135	TO220AB
IRFB7545	N	MOSFET	125	60	20	03.июл	95	175		72	370	0.0059	TO220AB
IRFB7546	N	MOSFET	99	60	20	03.июл	75	175		51	280	0.0073	TO220AB
IRFB7740	N	MOSFET	143	75	20	03.июл	87	175		60	370	0.0073	TO220AB
IRFB7746	N	MOSFET	99	75	20	03.июл	59	175		36	255	0.0106	TO220AB
IRFB7787	N	MOSFET	125	75	20	03.июл	76	175		48	330	0.0084	TO220AB
IRFZ44E	N	MOSFET	110	60	10	4	48	150	40			0.023	TO220AB
IRFZ44N	N	MOSFET	83	55	10	4	41	150	62			0.024	TO220AB
IRFZ44V	N	MOSFET	115	60	20		55		44.7			0.0165	TO220AB
IRFZ44VZ	N	MOSFET	92	60	20	4	57	175	43			0.012	TO220AB
IRFZ46N	N	MOSFET	88	55	10		46	150	48			0.02	TO220AB
IRFZ48N	N	MOSFET	94	55	10		53	150	54			0.016	TO220AB
IRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0.011	TO220AB
IRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
IRL3705ZPBF	N	MOSFET	130	55	16	3	75	175		240	420	0.008	TO220AB
IRLZ44N	N	MOSFET	83	55			41	150	32			0.022	TO220AB
IRLZ44NPBF	N	MOSFET	110	55	16	2	47	175		84	400	0.022	TO220AB
KF50N06P	N	MOSFET	96	60	20		50	150		100	405	0.0142	TO220AB
KF60N06P	N	MOSFET	113	60	20		60	150		75	490	0.0115	TO220AB
KF70N06P	N	MOSFET	125	60	20		70	150		110	543	0.01	TO220AB
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB050N60P	N	MOSFET	120	60	20		50	175		100	460	0.018	TO220AB
KMB050N60PA	N	MOSFET	120	60	25		50	175		100	70	0.016	TO220AB
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0.01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0.022	TO220AB
MTN3205E3	N	MOSFET	200	55	20		128	175		116	580	0.0039	TO220AB
MTN50N06E3	N	MOSFET	120	60	20		50	175		58	364	0.019	TO220AB
PHP110NQ06LT	N	MOSFET	200	55	15	2	75	175		123	520	0.007	TO220AB
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP112N06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		94	720	0.008	TO220AB
PHP119NQ06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		52	554	0.0071	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP52N06T	N	MOSFET	120	60	20	4	52	175		74	290	0.022	TO220AB
PHP54N06T	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175		74	290	0.02	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0.013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN012-80PS	N	MOSFET	148	80	20	4	74	175	43			0.011	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN015-60PS	N	MOSFET	86	60	20	4	50	175	20.сен			0.0148	TO220AB
PSMN016-100PS	N	MOSFET	148	100	20	4	96	175	49			0.016	TO220AB
PSMN017-80PS	N	MOSFET	103	80	20	4	50	175	26			0.017	TO220AB
PSMN7R6-60PS	N	MOSFET	149	60	20	4	92	175	38.7			0.0078	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RFP50N06LE	N	MOSFET	142	60			50	150				0.022	TO220AB
RJK1008DPN	N	MOSFET	125	100			80					0.0085	TO220AB
RJK1021DPN	N	MOSFET	100	100			70					0.016	TO220AB
RJK1536DPN	N	MOSFET	125	150			50					0.024	TO220AB
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP60N06-15	N	MOSFET	107	60	20	03.май	56	175		12	314	0.015	TO220AB
STK5006P	N	MOSFET	120	60	20		50	150		105	445	0.022	TO220AB
STK7006P	N	MOSFET	147	60	20		70	175	43	200	722	0.016	TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Как проверить полевой транзистор — Diodnik

В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники.

Как проверить полевой транзистор мультиметром?

Для простой проверки полевого транзистора необходимо производить действия согласно схеме.

Проверяемый полевик — IRFZ44N.

1. Черный щуп (-) подключаем на сток (D), а красный подключаем на исток (S) – на экране будет значение перехода встроенного встречного диода. Это значение необходимо запомнить.
2. Убираем красный щуп от истока и касаемся им затвора (G) – так мы частично открываем полевик.
3. Возвращаем красный щуп обратно на исток (S). Видим, что значение перехода поменялось, стало немного меньше — это полевой транзистор частично открылся
4. Переносим черный щуп со стока (D) на затвор (G) — закрываем полевой транзистор.
5. Возвращаем черный щуп обратно и наблюдаем, что показания перехода возвратилось к исходному — полевик полностью закрылся.

Затвор рабочего полевика должен иметь сопротивление равное бесконечности.

Готово, полевик исправен.

Описанная схема предназначена для n—канального полевика, p— канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов.

Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик.  Такой метод даст быструю и точную диагностику. Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой, то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи.

Вконтакте

Facebook

Twitter

Одноклассники

comments powered by HyperComments

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

 

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

 

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

MOSFET — проверка и прозвонка » PRO-диод

MOSFET — проверка и прозвонка

24.10.2013 | Рубрика: Статьи

Проверка и определение цоколевки MOSFET

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.

Очень кратко о полевых транзисторах

На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны  графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.

Типы MOSFET

G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.

Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.

Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:

MOSFET типовое включение

Напряжение на затворе!

У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!

Проверка полевых транзисторов (MOSFET)

И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.

В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.

Распиновка корпуса TO-220

1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.
На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.

3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).

4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.

5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.

Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.

Помой транзистор!

Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.

P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Небольшие пояснения о мультиметрах

1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, то

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Источник	Ток течет через Источник
2	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
3	Слив	Ток протекает через сток

Характеристики

• N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
• Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49 А при 25 ° C
• Импульсный ток утечки (ID-пик) составляет 160 А
• Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 2В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) — 4В
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
• Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
• Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
• Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полные технические подробности можно найти в техническом описании IRFZ44N , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно.IRLZ44N — это МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET IC .

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д., То он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к выводу затвора. График ниже показывает, какой ток стока допустим для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только тогда, когда напряжение на затворе составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее.

Приложения

• Коммутационные аппараты большой мощности
• Регулировка скорости двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Приложения высокоскоростной коммутации
• Преобразователи или схемы инверторов

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

IRF3205 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор , который может переключать токи до 110 А и 55 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Источник	Ток течет через Источник
2	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
3	Слив	Ток протекает через сток

Характеристики

• N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
• Непрерывный ток утечки (ID) составляет 110 А, когда VGS составляет 10 В
• Минимальное пороговое напряжение затвора 2 В
• Напряжение пробоя сток в источник: 55 В
• Низкое сопротивление при включении 8.0 мОм
• Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В
• Время нарастания 101 нс
• Обычно используется со схемами переключения мощности
• Доступен в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF3205 , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы IRF3205

IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы

IRF540N, 2N7000, FDV301N

IRF3205 Обзор MOSFET

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор , который может переключать токи до 110 А и 55 В.Особенностью полевого МОП-транзистора является то, что он имеет очень низкое сопротивление всего 8,0 мОм, что делает его пригодным для коммутации схем, таких как инверторы, управление скоростью двигателя, преобразователь постоянного тока в постоянный и т. Д. на сопротивление.

Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор , который будет использоваться в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и ниже 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для включения / выключения с помощью встроенных контроллеров.Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.

Приложения

• Переключение приложений
• Повышающие преобразователи
• Измельчители
• Солнечные инверторы
• Регулятор скорости

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из IRF3205 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

Введение в IRFZ44N — Инженерные проекты

Всем привет! Я надеюсь, что вы все будете в полном порядке и весело проведете время. Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное описание Introduction to IRFZ44N. Я уже поделился базовой информацией о различных микросхемах и транзисторах в своих предыдущих уроках, например. Введение в 75N75, LM386, LM393, LM741, LM833 и LM1458. Вы должны прочитать все эти статьи, поскольку все они являются транзисторами и помогут вам выбрать лучший.IRF-Z44N в основном принадлежит к семейству полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET). Это силовой полевой МОП-транзистор. Существует два типа полевых МОП-транзисторов: N-канал и P-канал. IRF-Z44N принадлежит к семейству N-каналов. Он использует технологию « Trench » и заключен в пластиковую структуру. Он имеет очень низкое государственное сопротивление. Он оснащен стабилитроном, который обеспечивает защиту от электростатического разряда до 2 кВ. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность. В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своему обширному применению.IRF-Z44N имеет несколько удивительных функций. Его особенности включают в себя сверхнизкое сопротивление, передовую технологию обработки, динамический рейтинг, полный лавинный рейтинг, быстрый процесс переключения и многое другое. Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, потребительский полный мост и многое другое. Более подробная информация об основном использовании MOSFET IRF-Z44N будет дана позже в этой статье.

Введение в IRFZ44N

• IRFZ44N относится к семейству N-канальных силовых МОП-транзисторов, покрытых пластиковым корпусом и использующих технологию «Trench» .
• Как и другие транзисторы, он имеет три терминала с названиями Gate, Drain и Source. Обозначаются алфавитами G, D и S соответственно.
• Его особенности включают очень низкое сопротивление, высокоскоростную технологию обработки, полностью противостоять лавинам и т. Д.
• Двухтактные системы и полный мост — лишь немногие из его применений в реальной жизни.
• IRF-Z44N показан на рисунке ниже.

1.IRFZ44N Распиновка

• Он имеет всего три (3) контакта, выполняющих различные индивидуальные функции.
• IRFZ44N Распиновка следующая:
  • Pin # 1: Gate.
  • Штифт 2: Слив.
  • Контакт # 3: Источник.

2. Символы выводов IRFZ44N

• Каждый вывод обычно обозначается разными символами.
• Символы, связанные с каждым штырем, перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

3. Распиновка IRFZ44N

4. Номинальные характеристики IRFZ44N

• Перед использованием любого электронного устройства необходимо знать его требования к питанию.
• Эти требования к мощности можно узнать из его номинальных значений.
• Номинальные значения IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

5. Характеристики IRFZ44N

• Характеристики — это такие параметры, которые могут сделать устройство все более популярным.
• Основные функции IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

6. Приложения IRFZ44N

• Большинство устройств обычно известны на основе их приложений.
• Реальные приложения IRF-Z44N представлены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из учебника Введение в IRFZ44N. Я предоставил все базовые знания IRF-Z44N. Надеюсь, вам понравился урок, и вы оцените мою работу. Если вы чувствуете, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне как можно раньше, чтобы я смог обновить его, чтобы избежать каких-либо неудобств в будущем.Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете в любое время задать их нам в комментариях. Наша команда доступна для вашей поддержки 24/7. В следующих уроках я поделюсь разными интересными темами. Итак, а пока заботьтесь и до свидания 🙂

-.

Отзывы на транзистор irfz44

‘; } -. 40 60 100 200 300 400 500 600 700 800 900 Полевой МОП-транзистор МОП-транзистор Полевой МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор МОП-транзистор . PDF Imax, А 40: 364 -92 n 0,02 40 0,1, 302 -92 n 0.04 40 0,1 2914 -39 n 0,1 (0,2) BSS138 2SK583 smd TO-92 40 0,1 601 -39 n 0.4 40 0,15 507 -92 с. 1,1 (0,6) TP2104 К-92 40 0,3 n 1,6 BSP295 smd BSP295, n 2 RTR020N05 smd 40 2 n 4 NTR4170NT1G smd n 5 PMV60EN smd n 6 BSP100 smd 921 К-220 n 10 40 10 954 К-220 n 20 40 20 n 34 BUZ11 К-220 МОП-транзистор 40 34 27160 К-258 n 46 (75) IRF2804 К-220 40 46 n 100 IRF1104 К-220 40100 n 162 IRF1404 К-220 40162 n 210 IRF2204 К-220 40210 n 350 IRFP4004 К-247 IRFP4004 195 60-75: n 0.2 0,5 2N7000 BS170 ТО-92 ТО-92 60 0,2 804 -39 n 1 IRFL014 smd 505– -92 n 1.4 60 0,1 961 -126 n 5 60 0,5 965 -126 n 5 60 0,5 801 (,) -3 n 5 739 (-) -220 n 10 IRF520 -220 IRF520, 740 (-) -220 n 17 7174 -220 n 18 784 -220 с. 18 954, -220 n 20 60 20 2912 -3 n 25 60 25 727 (,) -220 н. п. 30 31 IRF5305 -220 60 30 741 (,) -220 n 50 IRFZ44 К-220 60 50 723 (-) -220 n 50 60 50 812 (1-1) -220 n 50 МОП-транзистор 60 50 27102 -220 n 50 МОП-транзистор 60 50 775 (-) -220 n 50 60 50 742 (,) — — 218 — — n n n p 80 80 82 74 SPB80N08 IRF1010 IRF2807 IRF4905 smd -220 -220 -220 60 80 n 140 169 IRF3808 IRF1405 -220 -220 60155 n 210 IRFB3077 -220 75210 n 350 IRFP4368 –247 195 100–150: 961 -126 n 5 965 -126 с. 5 (6.8) IRF9520 -220 IRF9520, 743 (1-1) -126 n 5,6 743 (-) -220 n 5,6 IRF510 -220 IRF510, 801 -3 n 8 744 (-) -220 n 9.2 IRF520 К-220 IRF520, 922 (,) -3 n 10 BUZ72 К-220 БУЗ72, 745 (-) -220 n 14 IRF530 -220 IRF530, 785 -220 с. 19 IRF9540 -220 IRF9540, 27144 -220 с. 19 100 19 954 -220 n 20 2912 -3 n 20 100 20 746 (-) -220 n 28 IRF3315 -220 IRF3315, 2797 -220 n 28 IRF540 -220 IRF540, 769 (-) -220 n 28 100 28 150 -218 n 38 (34) IRF540NS BUZ22 смд К-220 100 38 771 (-) -220 n 40 (47) PHB45NQ10 IRF1310 smd -220 100 40 7128, -220 с. 40 IRF5210 -220 100 40 n 57 СТБ40НФ10 IRF3710 smd -220 100 57 n 72 IRFP4710 –247 100 72 n 171 IRFP4568 –247 150 171 n 290 IRFP4468 –247 100 195 200: 402 -92 с. 0.15 BSS92 К-92 508 -92 с. 0,15 501 -126 n 0,18 BS107 К-92 960 -126 с. 0.2 959 -126 n 0,2 504 -92 n 0,2 BS108 -92 403 -92 n 0.3 932 -220 n 0,3 748 (-) -220 n 3,3 IRF610 -220 IRF610 796 -220 с. 4.1 BUZ173 К-220 961 -126 n 5 965 -126 с. 5 749 (-) -220 n 5.2 737 (-) -220 n 9 IRF630 -220 IRF630 704 (,) -220 n 10 750 (-) -220 n 18 IRF640 IRFB17N20 К-220 IRF640 767 (-) -220 n 18 8131,1 -220 n 22 BUZ30A К-220 200 20 250 -218 n 30 27145, -9 n 30 200 30 7177, -218 n 50 200 50 n 130 IRFP4668 К-247 200 130 300: 960 -126 с. 0.2 959 -126 n 0,2 796 -220 с. 3,7 2917 -3 n 5 768 -220 n 10 934 -3 n 10 7178 -218 -3 n 40 400: 502 -92 n 0.12 511, -92 n 0,14 733 -220 n 1,5 731 (-) -220 n 2 IRF710 -220 IRF710 751 (-) -220 n 3.3 BUZ76 IRF720 -220 К-220 MOSFET IRF720, 931 -220 n 5 IRF734 -220 IRF734 768 -220 n 5.5 IRF730 -220 IRF730 7071 -220 n 6 809 -218 -3 n 9,6 934 -3 n 10 IRF740 -220 IRF740 350 -218 n 14 BUZ61 К-220 BUZ61 2926, -3 n 16.5 707 -3 n 25 500: 780 (-) -220 n 2,5 IRF820 -220 IRF820 770 -220 n 8 IRF840 К-220 IRF840 809,1 -218 -3 n 9.6 2SK1162 -3 2SK1162 450 -218 n 12 IRFP450 К-247 500 14 7182 -218 n 20 IRFP460 –247 460 -218 n 20 (23) IRFP360 К-247 500 20 7180, -218 -3 n 26 (31) IRFP31N50 К-247 500 31 600: :. 7129 -220 n 1,2 SPP02N60 К-220 SPP02N60 600 805 (-) -220 n 4 (3) SPP03N60 К-220 SPP03N60, 709 (,) -220 n 4 IRFBC30 -220 МОП-транзистор IRFBC30, 7071 -220 n 4 SPP04N60 -220 SPP04N60 600 7173 -220 n 4 726 (,) smd -220 n 4.5 931 -220 n 5 (6,2) 7 IRFBC40 SPP07N60 К-220 К-220 МОП-транзистор 600 5 809 -218 -3 n 9.6 IRFB9N65A К-220 IRFB9N65 600 2942 -3 n 10 СПП11Н60 -220 МОП-транзистор 600 10 953 -218 n 15 707 -3 n 16.5 СПП20Н60 -220 МОП-транзистор 600 15 973 -218 n 30 МОП-транзистор 600 30 700: 7071 -220 n 3 728 (1-1) -220 n 3.3 810 (-) -218 n 7 809 -218 -3 n 9,6 700 2942 -3 n 10 МОП-транзистор 700 10 707 -3 n 12.5 700 12 953 -218 n 15 МОП-транзистор 700 15 973 -218 n 30 МОП-транзистор 700 30 800: n 1.5 BUZ78 IRFBE20 -220 К-220 IRFBE20, 931 -220 n 5 IRFBE30 -220 IRFBE30, 705, -3 n 5.4 SPP06N80 -220 SPP06N80, 809 -218 -3 n 9,6 800 10 2942 -3 n 10 МОП-транзистор 800 10 7184 -218 n 15 СПП17Н80 -220 800 15 953 ,, -218 n 15 МОП-транзистор 800 15 971 -218 n 25 МОП-транзистор 800 25 900–1000: 2803, n 4.5 (3,1) IRFBG30 К-220 IRFG30 900 705 -3 n 5,4 (8) IRFPG50 2SK1120 К-247 К-218 2СК1120 1000 971 -218 n 25

— интернет-магазины и отзывы на транзистор irfz44 на AliExpress

Отличные новости !!! Вы обратились по адресу, где был приобретен транзистор irfz44.К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот лучший транзистор irfz44 вскоре станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели транзистор irfz44 на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в транзисторе irfz44 и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести transistor irfz44 по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните лучший опыт покупок прямо здесь.

IRFZ44N Лист данных — Vdss = 55 В, силовой полевой МОП-транзистор

Номер детали: IRFZ44N

Описание: силовой полевой МОП-транзистор HEXFET (Vdss = 55 В, Rds (on) = 17,5 мОм, Id = 49 A) ​​

Упаковка: TO-220AB

Производство: International Rectifier

Изображение

Характеристики

1.Передовые технологические процессы
2. Сверхнизкое сопротивление при открытии
3. Динамическое сопротивление dv / dt
4. Рабочая температура 175 ° C
5. Быстрое переключение
6. Полностью лавинная защита

Описание

Advanced HEXFET В полевых МОП-транзисторах
от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы на полевых HEXFET-транзисторах, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению в промышленности.

IRFZ44N Лист данных

Статьи по теме в Интернете

.