Цоколевка транзистора irfz44n: irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Содержание

irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

irfz44n цоколевка

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
  • Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
  • Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Максимальные параметры irfz44n

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Температурные характеристики IRFZ44N

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Параметры электрические irfz44n

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

Структура МОП-транзисторов от IRer

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

схема подключения MOSFET с индуцированным n-каналом

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Зависимость тока стока от напряжения стока irfz44n

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet

Параметр  Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
 V(BR)DSS  Напряжение пробоя сток-исток  55  —  В VGS = 0 В, ID = 250 мкA
 ∆V(BR)DSS/∆TJ Температурный коэффициент напряжения пробоя  — 0.058 В/°C До 25°C, ID = 1 мA
RDS(on) Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии  — 17.5 мОм VGS = 10 В, ID = 25 A (4)
 VGS(th) Пороговое напряжение на  затворе  2.0  — 4.0 В VDS = VGS, ID = 250 мкA
 gfs Крутизна характеристики 19  —  — S VDS = 25 В, ID = 25 A (4)
 IDSS Ток утечки сток-исток  —  —  25 мкА VDS = 55 В, VGS = 0 В
 — 250 VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C
  IGSS Ток утечки в прямом направлении  —  100 нА VGS = 20 В
 Ток утечки в обратном направлении  — -100 VGS = -20 В
Qg Суммарный заряд затвора 63 нКл ID = 25 A, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Qgs Заряд между затвором и истоком 14
Qgd Заряд между затвором и стоком 23
 td(on) Время задержки включения  — 12 нс VDD = 28 В,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 В (4)
tr Время нарастания 60  —
 td(off) Время задержки выключения  — 44  —
 tf  Время спада 45
LD Внутренняя индуктивность стока 4.5 нГн Внутренняя индуктивность
LS Внутренняя индуктивность истока 7.5
Ciss Входная емкость 1470 пФ VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц
Coss Выходная емкость 360
Crss Обратная переходная емкость 88
EAS Энергия единичного лавинного импульса (2) 530 (5) 150 (6) мДж IAS = 25 A, L = 0.47 мГн

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK1542 N MOSFET 125 60 20 45 150 20 1500 0.02 TO220AB
2SK3270-01 N MOSFET 135 60 30 80 150 0.0065 TO220AB
2SK3435 N MOSFET 84 60 20 80 150 60 1200 520 0.014 TO220AB
AM90N06-15P N MOSFET 300 60 20 1 90 175 49 10 290 0.0105 TO220AB
AM90N06-16P N MOSFET 300 60 20 1 90 175 21 17 184 0.0165 TO220AB
AM90N08-08P N MOSFET 300 80 20 1 90 175 58 45 449 0.011 TO220AB
AM90N10-14P N MOSFET 300 100 20 1 90 175 60 49 392 0.016 TO220AB
AM90N10-23P N MOSFET 300 100 20 1 110 175 30 9 0.023 TO220AB
AUIRF1010EZ N MOSFET 140 60 20 84 58 0.0085 TO220AB
AUIRF1018E N MOSFET 110 60 20 4 79 175 46 0.0084 TO220AB
AUIRFB3607 N MOSFET 140 75 80 56 0.009 TO220AB
AUIRFZ48N N MOSFET 94 55 20 4 64 175 42 0.014 TO220AB
AUIRFZ48Z N MOSFET 91 55 20 4 61 175 43 0.011 TO220AB
AUIRL3705Z N MOSFET 130 55 16 3 86 175 40 0.008 TO220AB
BUK7506-55A N MOSFET 300 55 20 4 75 175 0.0063 TO220AB
BUK7507-55B N MOSFET 203 55 20 4 75 175 53 0.0071 TO220AB
BUK7509-55A N MOSFET 211 55 20 4 75 175 62 0.009 TO220AB
BUK7509-75A N MOSFET 230 75 20 4 75 175 0.009 TO220AB
BUK7511-55A N MOSFET 166 55 20 4 75 175 0.011 TO220AB
BUK7511-55B N MOSFET 157 55 20 4 75 175 37 0.011 TO220AB
BUK7513-75B N MOSFET 157 75 75 40 0.013 TO220AB
BUK7514-55A N MOSFET 166 55 20 4 73 175 0.014 TO220AB
BUK7515-100A N MOSFET 300 100 20 4 75 175 0.015 TO220AB
BUK7516-55A N MOSFET 138 55 20 4 65.7 175 0.016 TO220AB
BUK7520-100A N MOSFET 200 100 20 4 63 175 0.02 TO220AB
BUK7520-55A N MOSFET 118 55 20 4 54 175 0.02 TO220AB
BUK7523-75A N MOSFET 138 75 20 4 53 175 0.023 TO220AB
BUK9506-55B N MOSFET 258 55 15 2 75 175 60 0.0054 TO220AB
BUK9508-55B N MOSFET 203 55 15 2 75 175 45 0.007 TO220AB
BUK9509-75A N MOSFET 230 75 10 2 75 175 0.0085 TO220AB
BUK9511-55A N MOSFET 166 55 10 2 75 175 0.01 TO220AB
BUK9512-55B N MOSFET 157 55 15 2 75 175 31 0.01 TO220AB
BUK9514-55A N MOSFET 149 55 10 2 73 175 0.013 TO220AB
BUK9515-100A N MOSFET 230 100 10 2 75 175 0.0144 TO220AB
BUK9516-55A N MOSFET 138 55 10 2 66 175 0.015 TO220AB
BUK9516-75B N MOSFET 157 75 15 2 67 175 35 0.014 TO220AB
BUK9518-55A N MOSFET 136 55 15 2 61 175 0.016 TO220AB
BUK9520-100A N MOSFET 200 100 10 2 63 175 0.019 TO220AB
BUK9520-100B N MOSFET 203 100 15 2 63 175 53.4 0.0185 TO220AB
BUK9520-55A N MOSFET 118 55 10 2 54 175 0.018 TO220AB
BUK9523-75A N MOSFET 138 75 10 2 53 175 0.022 TO220AB
BUK9524-55A N MOSFET 105 55 10 2 46 175 0.0217 TO220AB
CS3205_A8 N MOSFET 230 60 20 120 175 82 750 0.008 TO220AB
CS3205_B8 N MOSFET 230 55 20 110 175 51 903 0.0085 TO220AB
CS3710_B8 N MOSFET 200 100 20 57 175 30 620 0.023 TO220AB
CS4145 N MOSFET 200 60 20 84 175 75 375 0.01 TO220AB
CS75N75_B8H N MOSFET 230 75 20 100 175 57 720 0.0115 TO220AB
CSZ44V-1 N MOSFET 150 60 20 55 175 27 280 0.01 TO220AB
FDP10AN06A0 N MOSFET 135 60 20 4 75 175 128 340 0.0105 TO220AB
FDP13AN06A0 N MOSFET 115 60 20 4 62 175 96 260 0.0135 TO220AB
FDP14AN06LA0 N MOSFET 125 60 20 3 67 175 169 270 0.0116 TO220AB
FDP20AN06A0 N MOSFET 90 60 20 4 45 175 98 185 0.02 TO220AB
FDP5500 N MOSFET 375 55 20 4 80 175 34 1310 0.007 TO220AB
HUF76432P3 N MOSFET 130 60 16 3 56 175 53 0.021 TO220AB
HUF76437P3 N MOSFET 155 60 16 64 175 0.017 TO220AB
HY110N06T N MOSFET 125 55 20 3 110 175 12.июн 385 0.0055 TO220AB
HY75N075T N MOSFET 83.3 75 20 4 75 175 19.фев 650 0.009 TO220AB
HY80N075T N MOSFET 125 75 20 4 80 175 18.фев 420 0.008 TO220AB
HY80N07T N MOSFET 96.7 65 20 4 80 175 22.июн 660 0.0072 TO220AB
IRF1010EZ N MOSFET 140 60 20 4 84 175 58 0.0085 TO220AB
IRF1018E N MOSFET 110 60 20 79 46 0.0084 TO220AB
IRF4410A N MOSFET 230 100 20 4 97 175 52 430 0.009 TO220AB
IRFB3607 N MOSFET 140 75 20 80 56 0.009 TO220AB
IRFB3607G N MOSFET 140 75 20 80 56 0.009 TO220AB
IRFB3607GPBF N MOSFET 140 75 20 4 80 175 56 110 280 0.009 TO220AB
IRFB3607PBF N MOSFET 140 75 20 4 80 175 56 110 280 0.009 TO220AB
IRFB4510PBF N MOSFET 140 100 20 4 62 175 58 32 220 0.0135 TO220AB
IRFB7545 N MOSFET 125 60 20 03.июл 95 175 72 370 0.0059 TO220AB
IRFB7546 N MOSFET 99 60 20 03.июл 75 175 51 280 0.0073 TO220AB
IRFB7740 N MOSFET 143 75 20 03.июл 87 175 60 370 0.0073 TO220AB
IRFB7746 N MOSFET 99 75 20 03.июл 59 175 36 255 0.0106 TO220AB
IRFB7787 N MOSFET 125 75 20 03.июл 76 175 48 330 0.0084 TO220AB
IRFZ44E N MOSFET 110 60 10 4 48 150 40 0.023 TO220AB
IRFZ44N N MOSFET 83 55 10 4 41 150 62 0.024 TO220AB
IRFZ44V N MOSFET 115 60 20 55 44.7 0.0165 TO220AB
IRFZ44VZ N MOSFET 92 60 20 4 57 175 43 0.012 TO220AB
IRFZ46N N MOSFET 88 55 10 46 150 48 0.02 TO220AB
IRFZ48N N MOSFET 94 55 10 53 150 54 0.016 TO220AB
IRFZ48Z N MOSFET 91 55 20 4 61 175 43 0.011 TO220AB
IRL3705Z N MOSFET 130 55 16 3 86 175 40 0.008 TO220AB
IRL3705ZPBF N MOSFET 130 55 16 3 75 175 240 420 0.008 TO220AB
IRLZ44N N MOSFET 83 55 41 150 32 0.022 TO220AB
IRLZ44NPBF N MOSFET 110 55 16 2 47 175 84 400 0.022 TO220AB
KF50N06P N MOSFET 96 60 20 50 150 100 405 0.0142 TO220AB
KF60N06P N MOSFET 113 60 20 60 150 75 490 0.0115 TO220AB
KF70N06P N MOSFET 125 60 20 70 150 110 543 0.01 TO220AB
KF80N08P N MOSFET 230 75 20 80 175 228 840 0.0085 TO220AB
KMB050N60P N MOSFET 120 60 20 50 175 100 460 0.018 TO220AB
KMB050N60PA N MOSFET 120 60 25 50 175 100 70 0.016 TO220AB
KMB060N60PA N MOSFET 150 60 25 60 175 220 360 0.0115 TO220AB
KMB080N75PA N MOSFET 300 75 25 80 175 25 730 0.01 TO220AB
KU034N08P N MOSFET 192 75 20 170 150 250 1150 0.003 TO220AB
KU045N10P N MOSFET 192 100 20 150 150 240 1000 0.0039 TO220AB
MTE010N10E3 N MOSFET 150 100 20 70 175 48 12 250 0.0096 TO220AB
MTN1308E3 N MOSFET 230 75 30 80 175 42 200 340 0.0105 TO220AB
MTN2510E3 N MOSFET 155 100 30 50 175 67 236 0.017 TO220AB
MTN2510LE3 N MOSFET 155 100 20 50 175 45 200 224 0.022 TO220AB
MTN3205E3 N MOSFET 200 55 20 128 175 116 580 0.0039 TO220AB
MTN50N06E3 N MOSFET 120 60 20 50 175 58 364 0.019 TO220AB
PHP110NQ06LT N MOSFET 200 55 15 2 75 175 123 520 0.007 TO220AB
PHP110NQ08LT N MOSFET 230 75 20 2 75 175 185 905 0.0085 TO220AB
PHP110NQ08T N MOSFET 230 75 20 4 75 175 107 840 0.009 TO220AB
PHP112N06T N MOSFET 200 55 20 4 75 175 94 720 0.008 TO220AB
PHP119NQ06T N MOSFET 200 55 20 4 75 175 52 554 0.0071 TO220AB
PHP160NQ08T N MOSFET 300 75 20 4 75 175 56 845 0.0056 TO220AB
PHP52N06T N MOSFET 120 60 20 4 52 175 74 290 0.022 TO220AB
PHP54N06T N MOSFET 118 55 20 4 54 175 74 290 0.02 TO220AB
PHP73N06T N MOSFET 166 60 20 4 73 175 79 421 0.014 TO220AB
PHP75NQ08T N MOSFET 157 75 20 4 75 175 36 320 0.013 TO220AB
PHP79NQ08LT N MOSFET 157 75 15 2 73 175 30 0.016 TO220AB
PSMN012-80PS N MOSFET 148 80 20 4 74 175 43 0.011 TO220AB
PSMN013-100PS N MOSFET 170 100 20 4 68 175 59 0.0139 TO220AB
PSMN015-60PS N MOSFET 86 60 20 4 50 175 20.сен 0.0148 TO220AB
PSMN016-100PS N MOSFET 148 100 20 4 96 175 49 0.016 TO220AB
PSMN017-80PS N MOSFET 103 80 20 4 50 175 26 0.017 TO220AB
PSMN7R6-60PS N MOSFET 149 60 20 4 92 175 38.7 0.0078 TO220AB
PSMN8R7-80PS N MOSFET 170 80 20 4 90 175 52 0.0087 TO220AB
RFP50N06LE N MOSFET 142 60 50 150 0.022 TO220AB
RJK1008DPN N MOSFET 125 100 80 0.0085 TO220AB
RJK1021DPN N MOSFET 100 100 70 0.016 TO220AB
RJK1536DPN N MOSFET 125 150 50 0.024 TO220AB
SQP120N06-06 N MOSFET 175 60 20 03.май 119 175 14 708 0.006 TO220AB
SQP120N10-09 N MOSFET 375 100 20 03.май 120 175 24 635 0.0095 TO220AB
SQP60N06-15 N MOSFET 107 60 20 03.май 56 175 12 314 0.015 TO220AB
STK5006P N MOSFET 120 60 20 50 150 105 445 0.022 TO220AB
STK7006P N MOSFET 147 60 20 70 175 43 200 722 0.016 TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
  • Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Как проверить полевой транзистор — Diodnik

В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники.

Как проверить полевой транзистор мультиметром?

Для простой проверки полевого транзистора необходимо производить действия согласно схеме.

Проверяемый полевик — IRFZ44N.

  1. Черный щуп (-) подключаем на сток (D), а красный подключаем на исток (S) – на экране будет значение перехода встроенного встречного диода. Это значение необходимо запомнить.
  2. Убираем красный щуп от истока и касаемся им затвора (G) – так мы частично открываем полевик.
  3. Возвращаем красный щуп обратно на исток (S). Видим, что значение перехода поменялось, стало немного меньше — это полевой транзистор частично открылся
  4. Переносим черный щуп со стока (D) на затвор (G) — закрываем полевой транзистор.
  5. Возвращаем черный щуп обратно и наблюдаем, что показания перехода возвратилось к исходному — полевик полностью закрылся.

Затвор рабочего полевика должен иметь сопротивление равное бесконечности.

Готово, полевик исправен.

Описанная схема предназначена для n—канального полевика, p— канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов.

Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик.  Такой метод даст быструю и точную диагностику. Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой, то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи.

Вконтакте

Facebook

Twitter

Одноклассники

comments powered by HyperComments

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

 

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

 

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

MOSFET — проверка и прозвонка » PRO-диод

MOSFET — проверка и прозвонка

MOSFET — проверка и прозвонка

24.10.2013 | Рубрика: Статьи

Проверка и определение цоколевки MOSFET

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.

Очень кратко о полевых транзисторах

На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны  графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.

Типы MOSFET

Типы MOSFET

G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.

Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.

Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:

MOSFET типовое включение

MOSFET типовое включение

MOSFET типовое включениеНапряжение на затворе!

У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!

Проверка полевых транзисторов (MOSFET)

И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.

В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.

Распиновка корпуса TO-220

Распиновка корпуса TO-220

1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.
На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.

3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).

4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.

5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.

Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.

MOSFET типовое включениеПомой транзистор!

Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.

P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Небольшие пояснения о мультиметрах

1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, то

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через Источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток

Характеристики

  • N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
  • Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49 А при 25 ° C
  • Импульсный ток утечки (ID-пик) составляет 160 А
  • Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 2В
  • Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) — 4В
  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
  • Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
  • Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
  • Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полные технические подробности можно найти в техническом описании IRFZ44N , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно.IRLZ44N — это МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET IC .

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д., То он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к выводу затвора. График ниже показывает, какой ток стока допустим для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Image1

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только тогда, когда напряжение на затворе составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее.

Приложения

  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Приложения высокоскоростной коммутации
  • Преобразователи или схемы инверторов

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

IRFZ44N 2-D Model

IRF3205 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор , который может переключать токи до 110 А и 55 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через Источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток

Характеристики

  • N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
  • Непрерывный ток утечки (ID) составляет 110 А, когда VGS составляет 10 В
  • Минимальное пороговое напряжение затвора 2 В
  • Напряжение пробоя сток в источник: 55 В
  • Низкое сопротивление при включении 8.0 мОм
  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В
  • Время нарастания 101 нс
  • Обычно используется со схемами переключения мощности
  • Доступен в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF3205 , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы IRF3205

IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы

IRF540N, 2N7000, FDV301N

IRF3205 Обзор MOSFET

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор , который может переключать токи до 110 А и 55 В.Особенностью полевого МОП-транзистора является то, что он имеет очень низкое сопротивление всего 8,0 мОм, что делает его пригодным для коммутации схем, таких как инверторы, управление скоростью двигателя, преобразователь постоянного тока в постоянный и т. Д. на сопротивление.

Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор , который будет использоваться в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и ниже 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для включения / выключения с помощью встроенных контроллеров.Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.

Приложения

  • Переключение приложений
  • Повышающие преобразователи
  • Измельчители
  • Солнечные инверторы
  • Регулятор скорости

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из IRF3205 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

Введение в IRFZ44N — Инженерные проекты

pcbway

pcbway Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N Всем привет! Я надеюсь, что вы все будете в полном порядке и весело проведете время. Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное описание Introduction to IRFZ44N. Я уже поделился базовой информацией о различных микросхемах и транзисторах в своих предыдущих уроках, например. Введение в 75N75, LM386, LM393, LM741, LM833 и LM1458. Вы должны прочитать все эти статьи, поскольку все они являются транзисторами и помогут вам выбрать лучший.IRF-Z44N в основном принадлежит к семейству полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET). Это силовой полевой МОП-транзистор. Существует два типа полевых МОП-транзисторов: N-канал и P-канал. IRF-Z44N принадлежит к семейству N-каналов. Он использует технологию « Trench » и заключен в пластиковую структуру. Он имеет очень низкое государственное сопротивление. Он оснащен стабилитроном, который обеспечивает защиту от электростатического разряда до 2 кВ. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность. В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своему обширному применению.IRF-Z44N имеет несколько удивительных функций. Его особенности включают в себя сверхнизкое сопротивление, передовую технологию обработки, динамический рейтинг, полный лавинный рейтинг, быстрый процесс переключения и многое другое. Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, потребительский полный мост и многое другое. Более подробная информация об основном использовании MOSFET IRF-Z44N будет дана позже в этой статье.

Введение в IRFZ44N

  • IRFZ44N относится к семейству N-канальных силовых МОП-транзисторов, покрытых пластиковым корпусом и использующих технологию «Trench» .
  • Как и другие транзисторы, он имеет три терминала с названиями Gate, Drain и Source. Обозначаются алфавитами G, D и S соответственно.
  • Его особенности включают очень низкое сопротивление, высокоскоростную технологию обработки, полностью противостоять лавинам и т. Д.
  • Двухтактные системы и полный мост — лишь немногие из его применений в реальной жизни.
  • IRF-Z44N показан на рисунке ниже.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

1.IRFZ44N Распиновка

  • Он имеет всего три (3) контакта, выполняющих различные индивидуальные функции.
  • IRFZ44N Распиновка следующая:
    • Pin # 1: Gate.
    • Штифт 2: Слив.
    • Контакт # 3: Источник.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

2. Символы выводов IRFZ44N

  • Каждый вывод обычно обозначается разными символами.
  • Символы, связанные с каждым штырем, перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

3. Распиновка IRFZ44N

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

4. Номинальные характеристики IRFZ44N

  • Перед использованием любого электронного устройства необходимо знать его требования к питанию.
  • Эти требования к мощности можно узнать из его номинальных значений.
  • Номинальные значения IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

5. Характеристики IRFZ44N

  • Характеристики — это такие параметры, которые могут сделать устройство все более популярным.
  • Основные функции IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N

6. Приложения IRFZ44N

  • Большинство устройств обычно известны на основе их приложений.
  • Реальные приложения IRF-Z44N представлены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Introduction to IRFZ44N, basics of IRFZ44N, IRFZ44N basics, getting started with IRFZ44N, how to get start with IRFZ44N, how to use IRFZ44N, IRFZ44N Proteus simulation, IRFZ44N proteus, Proteus IRFZ44N, proteus simulation of IRFZ44N Это все из учебника Введение в IRFZ44N. Я предоставил все базовые знания IRF-Z44N. Надеюсь, вам понравился урок, и вы оцените мою работу. Если вы чувствуете, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне как можно раньше, чтобы я смог обновить его, чтобы избежать каких-либо неудобств в будущем.Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете в любое время задать их нам в комментариях. Наша команда доступна для вашей поддержки 24/7. В следующих уроках я поделюсь разными интересными темами. Итак, а пока заботьтесь и до свидания 🙂

-.

Отзывы на транзистор irfz44


‘; }

-.



40
60
100
200
300
400
500
600
700
800
900

Полевой МОП-транзистор

МОП-транзистор

Полевой МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

MOSFET

МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

МОП-транзистор

. PDF Imax, А
40:
364 -92 n 0,02 40 0,1,
302 -92 n 0.04 40 0,1
2914 -39 n 0,1 (0,2) BSS138

2SK583
smd
TO-92
40 0,1
601 -39 n 0.4 40 0,15
507 -92 с. 1,1 (0,6) TP2104 К-92 40 0,3
n 1,6 BSP295 smd BSP295,
n 2 RTR020N05 smd 40 2
n 4 NTR4170NT1G smd
n 5 PMV60EN smd
n 6 BSP100 smd
921 К-220 n 10 40 10
954 К-220 n 20 40 20
n 34 BUZ11 К-220 МОП-транзистор 40 34
27160 К-258 n 46 (75) IRF2804 К-220 40 46
n 100 IRF1104 К-220 40100
n 162 IRF1404 К-220 40162
n 210 IRF2204 К-220 40210
n 350 IRFP4004 К-247 IRFP4004
195
60-75:
n 0.2
0,5
2N7000

BS170
ТО-92

ТО-92
60 0,2
804 -39 n 1 IRFL014 smd
505– -92 n 1.4 60 0,1
961 -126 n 5 60 0,5
965 -126 n 5 60 0,5
801 (,) -3 n 5
739 (-) -220 n 10 IRF520 -220 IRF520,
740 (-) -220 n 17
7174 -220 n 18
784 -220 с. 18
954, -220 n 20 60 20
2912 -3 n 25 60 25
727 (,) -220

н.
п.
30
31

IRF5305
-220 60 30
741 (,) -220 n 50 IRFZ44 К-220 60 50
723 (-) -220 n 50 60 50
812 (1-1) -220 n 50 МОП-транзистор 60 50
27102 -220 n 50 МОП-транзистор 60 50
775 (-) -220 n 50 60 50
742 (,)
— 218

n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08

IRF1010

IRF2807

IRF4905
smd
-220
-220
-220
60 80
n 140
169
IRF3808

IRF1405
-220
-220
60155
n 210 IRFB3077 -220 75210
n 350 IRFP4368 –247 195
100–150:
961 -126 n 5
965 -126 с. 5 (6.8) IRF9520 -220 IRF9520,
743 (1-1) -126 n 5,6
743 (-) -220 n 5,6 IRF510 -220 IRF510,
801 -3 n 8
744 (-) -220 n 9.2 IRF520 К-220 IRF520,
922 (,) -3 n 10 BUZ72 К-220 БУЗ72,
745 (-) -220 n 14 IRF530 -220 IRF530,
785 -220 с. 19 IRF9540 -220 IRF9540,
27144 -220 с. 19 100 19
954 -220 n 20
2912 -3 n 20 100 20
746 (-) -220 n 28 IRF3315 -220 IRF3315,
2797 -220 n 28 IRF540 -220 IRF540,
769 (-) -220 n 28 100 28
150 -218 n 38 (34) IRF540NS

BUZ22
смд
К-220
100 38
771 (-) -220 n 40 (47) PHB45NQ10

IRF1310
smd
-220
100 40
7128, -220 с. 40 IRF5210 -220 100 40
n 57 СТБ40НФ10

IRF3710
smd
-220
100 57
n 72 IRFP4710 –247 100 72
n 171 IRFP4568

–247 150 171
n 290 IRFP4468 –247 100 195
200:
402 -92 с. 0.15 BSS92 К-92
508 -92 с. 0,15
501 -126 n 0,18 BS107 К-92
960 -126 с. 0.2
959 -126 n 0,2
504 -92 n 0,2 BS108 -92
403 -92 n 0.3
932 -220 n 0,3
748 (-) -220 n 3,3 IRF610 -220 IRF610
796 -220 с. 4.1 BUZ173 К-220
961 -126 n 5
965 -126 с. 5
749 (-) -220 n 5.2
737 (-) -220 n 9 IRF630 -220 IRF630
704 (,) -220 n 10
750 (-) -220 n 18 IRF640

IRFB17N20
К-220 IRF640
767 (-) -220 n 18
8131,1 -220 n 22 BUZ30A К-220 200 20
250 -218 n 30
27145, -9 n 30 200 30
7177, -218 n 50 200 50
n 130 IRFP4668 К-247 200 130
300:
960 -126 с. 0.2
959 -126 n 0,2
796 -220 с. 3,7
2917 -3 n 5
768 -220 n 10
934 -3 n 10
7178 -218
-3
n 40
400:
502 -92 n 0.12
511, -92 n 0,14
733 -220 n 1,5
731 (-) -220 n 2 IRF710 -220 IRF710
751 (-) -220 n 3.3 BUZ76

IRF720
-220
К-220
MOSFET IRF720,
931 -220 n 5 IRF734 -220 IRF734
768 -220 n 5.5 IRF730 -220 IRF730
7071 -220 n 6
809 -218
-3
n 9,6
934 -3 n 10 IRF740 -220 IRF740
350 -218 n 14 BUZ61 К-220 BUZ61
2926, -3 n 16.5
707 -3 n 25
500:
780 (-) -220 n 2,5 IRF820 -220 IRF820
770 -220 n 8 IRF840 К-220 IRF840
809,1 -218
-3
n 9.6 2SK1162 -3 2SK1162
450 -218 n 12 IRFP450 К-247 500 14
7182 -218 n 20 IRFP460 –247
460 -218 n 20 (23) IRFP360 К-247 500 20
7180, -218
-3
n 26 (31) IRFP31N50 К-247 500 31
600:
:.
7129 -220 n 1,2 SPP02N60 К-220 SPP02N60 600
805 (-) -220 n 4 (3) SPP03N60 К-220 SPP03N60,
709 (,) -220 n 4 IRFBC30 -220 МОП-транзистор IRFBC30,
7071 -220 n 4 SPP04N60 -220 SPP04N60 600
7173 -220 n 4
726 (,) smd
-220
n 4.5
931 -220 n 5 (6,2)
7
IRFBC40

SPP07N60
К-220
К-220
МОП-транзистор 600 5
809 -218
-3
n 9.6 IRFB9N65A К-220 IRFB9N65 600
2942 -3 n 10 СПП11Н60 -220 МОП-транзистор 600 10
953 -218 n 15
707 -3 n 16.5 СПП20Н60 -220 МОП-транзистор 600 15
973 -218 n 30 МОП-транзистор 600 30
700:
7071 -220 n 3
728 (1-1) -220 n 3.3
810 (-) -218 n 7
809 -218
-3
n 9,6 700
2942 -3 n 10 МОП-транзистор 700 10
707 -3 n 12.5 700 12
953 -218 n 15 МОП-транзистор 700 15
973 -218 n 30 МОП-транзистор 700 30
800:
n 1.5 BUZ78

IRFBE20
-220
К-220
IRFBE20,
931 -220 n 5 IRFBE30 -220 IRFBE30,
705, -3 n 5.4 SPP06N80 -220 SPP06N80,
809 -218
-3
n 9,6 800 10
2942 -3 n 10 МОП-транзистор 800 10
7184 -218 n 15 СПП17Н80 -220 800 15
953 ,, -218 n 15 МОП-транзистор 800 15
971 -218 n 25 МОП-транзистор 800 25
900–1000:
2803, n 4.5 (3,1) IRFBG30 К-220 IRFG30 900
705 -3 n 5,4 (8) IRFPG50

2SK1120
К-247
К-218
2СК1120 1000
971 -218 n 25


— интернет-магазины и отзывы на транзистор irfz44 на AliExpress

Отличные новости !!! Вы обратились по адресу, где был приобретен транзистор irfz44.К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.

Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.

AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот лучший транзистор irfz44 вскоре станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что приобрели транзистор irfz44 на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.

Если вы все еще не уверены в транзисторе irfz44 и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.

А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести transistor irfz44 по самой выгодной цене.

У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните лучший опыт покупок прямо здесь.

IRFZ44N Лист данных — Vdss = 55 В, силовой полевой МОП-транзистор

Номер детали: IRFZ44N

Описание: силовой полевой МОП-транзистор HEXFET (Vdss = 55 В, Rds (on) = 17,5 мОм, Id = 49 A) ​​

Упаковка: TO-220AB

Производство: International Rectifier

Изображение

Характеристики

1.Передовые технологические процессы
2. Сверхнизкое сопротивление при открытии
3. Динамическое сопротивление dv / dt
4. Рабочая температура 175 ° C
5. Быстрое переключение
6. Полностью лавинная защита

Описание

Advanced HEXFET В полевых МОП-транзисторах
от International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы на полевых HEXFET-транзисторах, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению в промышленности.

IRFZ44N Лист данных

Статьи по теме в Интернете

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *