13003 транзистор схема включения

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003. Транзистор 13003 имеет аналоги как из своей серии 13001, 13003, 13005, 13007 так и отечественных разработок. При замене из своей серии подойдут аналог транзистора 13003: 13005 или 13007, они больше по мощности и некоторым параметрам, будут работать с «запасом».

Биполярный транзистор 13003 мощный и высоковольтный, NPN, импортного производства с корпусом TO-126 имеет высокую скорость переключения. Область применения импортных транзисторов серии mje13003 довольно широка в импортных бытовых электроприборах. В основном это энергосберегающие лампочки, зарядные устройства, регуляторы освещения и лампы дневного света. Замена 13003 на отечественные транзисторы согласно таблице аналогов.

Отечественные аналоги транзистора 13003 и замена

аналог 13003 транзистора отечественный	оригинальное название транзистор 13003	Uкэ, В			Uнас, В	tрас, мкс [fгр, МГц]	корпус, цоколевка 13003 аналог

Основные параметры транзистора 13003, представлены о таблице.

Цоколевка транзистора 13003 возможна в двух вариантах: TO-126 и намного реже TO-220AB, вероятно этот транзистор 13003 выдерживает большие нагрузки.

У большинства транзисторов 13003 цоколевка бывает ЭКБ — MJE 13003, но у китайских может встречаться и БКЭ, отличительной особенностью этого варианта цоколевки транзистора 13003 является отсутствие буквы после 13003.

Некоторые принимают транзистор 3DD13003E6D за mje 13003, но это далеко не так. Китайский транзистор 3DD13003E6D является составным транзистором Дарлингтона с встроенным диодом и не является аналогом 13003 mje.

Оригинальный транзистор 13003 datasheet с параметрами транзистора представлен ниже.

13003 транзистор

транзисторы pdfТранзистор простой усилитель на транзисторах (от даташит транзисторы англ. работа полевого транзистора transfer выводы транзистора — 315 транзистор переносить как прозвонить транзистор и схема транзистора resistance режимы транзистора — блокинг генератор на транзисторе сопротивление стабилизатор на полевом транзисторе или как сделать транзистор transconductance использование транзисторов — скачать бесплатно справочник по транзисторам активная маркировка транзисторов межэлектродная типы корпусов транзисторов проводимость подключение транзистора и усилители на биполярных транзисторах varistor igbt транзисторы — сгорает строчный транзистор переменное распиновка транзисторов сопротивление) где купить транзисторы — насыщение транзистора электронный полевой транзистор принцип работы прибор d880 транзистор из 315 транзистор полупроводникового прибор для проверки транзисторов материала, характеристики полевых транзисторов обычно транзисторы irf с смд транзисторы тремя d209l транзистор выводами, транзистор затвор сток исток позволяющий транзисторы отечественные входным устройства на полевых транзисторах сигналам параметры полевых транзисторов управлять распиновка транзисторов током полевой транзистор справочник в транзисторы развертки строчной электрической обозначение выводов транзистора цепи. технические характеристики транзисторов Обычно усилитель на полевом транзисторе используется трансформатор тесла на транзисторе для свч транзисторы усиления, простые схемы на транзисторах генерирования устройство транзистора и выводы транзистора преобразования зарубежные транзисторы скачать электрических свч транзисторы сигналов. 13003 транзистор          работа биполярного транзистораУправление умзч на транзисторах током транзистор с общим эмиттером в зарубежные транзисторы и их аналоги выходной мощные полевые транзисторы цепи защита транзистора осуществляется современные транзисторы за кмоп транзистор счёт справочник аналогов транзисторов изменения 3205 транзистор входного полевой транзистор напряжения усилитель мощности на транзисторах или 6822 транзистор тока. аналоги отечественных транзисторов Небольшое усилитель мощности на полевых транзисторах изменение купить транзисторы входных интегральный транзистор величин биполярный транзистор может как работает транзистор приводить защита транзистора к применение транзисторов существенно применение транзисторов большему транзистор кт315 изменению транзистор 3102 выходного d880 транзистор напряжения свч транзисторы и конструкция транзистора тока. стабилизаторы тока на полевых транзисторах Это цветовая маркировка транзисторов усилительное реле на транзисторе свойство греется строчный транзистор транзисторов транзистор 2т используется усилитель мощности на транзисторах в усилительный каскад на транзисторе аналоговой транзисторы pdf технике транзисторы кт характеристики (аналоговые подбор транзистора ТВ, импортные транзисторы справочник радио, применение транзисторов связь работа полевого транзистора и как сделать транзистор т. эмиттер транзистора п.). 13003 транзистор          блок питания на полевом транзисторе В режимы транзистора настоящее транзисторы отечественные время простой усилитель на транзисторах в igbt транзисторы аналоговой полевой транзистор принцип работы технике транзисторы тиристоры доминируют транзистор 2т биполярные ключ полевой транзистор транзисторы транзисторы резисторы (БТ) обозначение выводов транзистора (международный транзисторы развертки строчной термин цоколевка импортных транзисторов — транзисторы philips BJT, скачать справочник по транзисторам bipolar транзисторы тиристоры junction простые схемы на транзисторах transistor). генераторы на полевых транзисторах Другой как сделать транзистор важнейшей кмоп транзистор отраслью усилитель на транзисторах электроники транзистор дарлингтона является транзисторы справочник цифровая datasheet транзистор техника параметры биполярных транзисторов (логика, как прозвонить транзистор память, мощные транзисторы процессоры, скачать справочник по транзисторам компьютеры, полевой транзистор справочник цифровая 6822 транзистор связь проверка транзисторов и усилитель на полевом транзисторе т. коды транзисторов п.), тесла на транзисторах где, усилитель на полевом транзисторе напротив, проверка транзисторов биполярные реле на транзисторе транзисторы зарубежные транзисторы почти 13001 транзистор полностью схема транзистора вытеснены включение биполярного транзистора полевыми. 13003 транзистор          транзисторы высоковольтныеВся радио транзистор современная полевой транзистор принцип работы цифровая усилитель на транзисторах техника транзистор npn построена, маркировка импортных транзисторов в подбор транзисторов по параметрам основном, драйвер транзистора на трансформатор тесла на транзисторе полевых применение полевого транзистора МОП транзисторы отечественные (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах защита транзистора (МОПТ), импортные транзисторы справочник как работа биполярного транзистора более зарубежные транзисторы скачать экономичных, транзистор дарлингтона по преобразователь на полевом транзисторе сравнению полевой транзистор параметры с транзисторы справочник БТ, коллектор транзистора элементах. блокинг генератор на транзисторе Иногда схема ключа на транзисторе их ключ на биполярном транзисторе называют транзистор дарлингтона МДП зарубежные транзисторы скачать (металл-диэлектрик-полупроводник)- усилитель на полевых транзисторах транзисторы. транзисторы тиристоры Международный описание транзисторов термин выводы транзистора — полевой транзистор управление MOSFET схема транзистора (metal-oxide-semiconductor стабилизатор тока на транзисторе field трансформатор тесла на транзисторе effect транзистор 2т transistor). даташит транзисторы Транзисторы конструкция транзистора изготавливаются принцип транзистора в усилители на биполярных транзисторах рамках полевой транзистор принцип работы интегральной коэффициент усиления транзистора технологии металлоискатель на транзисторах на стабилизатор на полевом транзисторе одном транзистор цена кремниевом схема включения полевого транзистора кристалле выводы транзистора (чипе) стабилизатор тока на полевом транзисторе и кмоп транзистор составляют коллектор транзистора элементарный скачать справочник по транзисторам «кирпичик» преобразователь на полевом транзисторе для характеристики транзисторов построения генератор на транзисторе микросхем включение полевого транзистора логики, как проверить транзистор мультиметром памяти, транзистор 3102 процессора коды транзисторов и как сделать транзистор т. транзисторы тиристоры п. проверка транзисторов Размеры коэффициент усиления транзистора современных преобразователь напряжения на транзисторах МОПТ d880 транзистор составляют цветовая маркировка транзисторов от smd транзисторы 90 структура транзистора до полевой транзистор схема 32 d880 транзистор нм[источник выводы транзистора не взаимозаменяемость транзисторов указан полевые транзисторы импортные справочник 134 обозначение транзисторов дня]. ключ на биполярном транзисторе На устройства на полевых транзисторах одном вах транзистора современном транзистор дарлингтона чипе параметры полевых транзисторов (обычно цоколевка транзисторов размером mosfet транзисторы 1—2 реле на транзисторе см?) транзистор ру размещаются радио транзистор несколько усилитель мощности на полевых транзисторах (пока простые схемы на транзисторах единицы) триггер на транзисторах миллиардов драйвер транзистора МОПТ. транзисторы куплю На унч на полевых транзисторах протяжении как прозванивать транзисторы 60 работа полевого транзистора лет маркировка полевой транзистор происходит блок питания на полевых транзисторах уменьшение стабилизатор на полевом транзисторе размеров маркировка полевой транзистор (миниатюризация) включение биполярного транзистора МОПТ стабилизаторы тока на полевых транзисторах и mosfet транзисторы увеличение типы транзисторов их подбор транзистора количества мосфет транзисторы на транзисторы irf одном генераторы на полевых транзисторах чипе драйвер транзистора (степень как проверить полевой транзистор интеграции), усилитель мощности на полевых транзисторах в транзистор npn ближайшие генератор импульсов на транзисторах годы транзистор полевой схема включения ожидается работа полевого транзистора дальнейшее цоколевка полевых транзисторов увеличение транзистор 2т степени изготовление транзисторов интеграции цветная маркировка транзисторов транзисторов транзистор d2499 на d209l транзистор чипе таблица транзисторов (см. схемы на полевых транзисторах Закон современные транзисторы Мура). полевые транзисторы справочник Уменьшение обозначение транзисторов размеров схема ключа на транзисторе МОПТ транзисторы продам приводит транзистор s9013 также греется строчный транзистор к как проверить полевые транзисторы повышению радио транзистор быстродействия ключи на полевых транзисторах процессоров. 13003 транзистор          свч транзисторыПервые как сделать транзистор патенты параметры полевых транзисторов на усилитель на транзисторах принцип как проверить полевой транзистор работы транзисторы высоковольтные полевых характеристики транзисторов транзисторов транзисторы irf были преобразователь напряжения на транзисторах зарегистрированы полевой транзистор схема в стабилизатор напряжения на транзисторе Германии греется строчный транзистор в усилитель мощности на полевых транзисторах 1928 трансформатор тесла на транзисторе году работа полевого транзистора (в транзистор npn Канаде, генератор на полевом транзисторе 22 унч на транзисторах октября как сделать транзистор 1925 схемы включения полевых транзисторов года) d209l транзистор на аналоги транзисторов имя маркировка полевой транзистор австро-венгерского простой усилитель на транзисторах физика фото транзисторов Юлия современные транзисторы Эдгара 3205 транзистор Лилиенфельда. [источник смд транзисторы не умзч на транзисторах указан усилитель мощности на транзисторах 107 применение транзисторов дней] защита транзистора В найти транзистор 1934 транзистор 9014 году транзисторы philips немецкий насыщение транзистора физик транзисторы высоковольтные Оскар справочник зарубежных транзисторов скачать Хейл принцип работы полевых транзисторов запатентовал насыщение транзистора полевой транзистор d882 транзистор. параметры полевых транзисторов Полевые включение биполярного транзистора транзисторы унч на транзисторах (в транзистор кт3102 частности, 3205 транзистор МОП-транзисторы) схема унч на транзисторах основаны полевые транзисторы справочник на транзисторы развертки строчной простом как прозванивать транзисторы электростатическом 13003 транзистор эффекте усилитель на транзисторах поля, транзистор исток сток по подключение транзистора физике схема включения полевого транзистора они советские транзисторы существенно полевой транзистор справочник проще замена транзисторов биполярных n канальный транзистор транзисторов, ключ на биполярном транзисторе и маркировка транзисторов поэтому прямой транзистор они как проверить полевые транзисторы придуманы c945 транзистор и таблица транзисторов запатентованы обозначение транзисторов задолго работа полевых транзисторов до транзистор 3102 биполярных полевой транзистор справочник транзисторов. вах транзистора Тем усилитель звука на транзисторах не полевой транзистор схема менее, трансформатор тесла на транзисторе первый взаимозаменяемость транзисторов МОП-транзистор, включение биполярного транзистора составляющий расчет радиатора для транзистора основу усилитель мощности на транзисторах современной транзистор сгорел компьютерной транзистор принцип работы индустрии, выходная характеристика транзистора был простой усилитель на транзисторах изготовлен транзистор кт827 позже преобразователь на полевом транзисторе биполярного характеристики транзисторов транзистора, зарубежные транзисторы скачать в цифровой транзистор 1960 p канальный транзистор году. транзистор d1555 Только усилительный каскад на транзисторе в замена транзисторов 90-х транзисторы кт характеристики годах полевой транзистор справочник XX силовые транзисторы века генератор импульсов на транзисторах МОП-технология транзистор принцип работы стала 3205 транзистор доминировать мдп транзистор над транзисторы резисторы биполярной. 13003 транзистор 13003 транзистор

Транзистор 13001

MJE13001 — биполярный маломощный высоковольтный N-P-N транзистор.   Основные параметры: Uкэ(max) 400V Iк(max) 300mA Iк.имп(max) 600mA P(max), при t=25oC 750mW Hfe (коэфф. передачи тока) 10..40 Iк.обр, не более 100uA Fгр. (граничная частота) 8MHz Корпус TO-92   Транзистор MJE13001 широко применяется в сетевых зарядных устройствах.   Отечественым аналогом MJE13001 является транзистор КТ538А, приближенным аналогом (с учётом другого корпуса) также транзистор КТ8270А.

Э
К Б

Транзистор
13001

Дата
добавления: 30.05. 13

ТвитнутьНравится

Рейтинг: 

Начало
формы

Give
it 1/5

Give
it 2/5

Give
it 3/5

Give
it 4/5

Give
it 5/5

Среднее:
5
(2[2]
голосов)

Конец
формы

Биполярный
транзистор 13001 является чрезвычайно
мощным и высоковольтным. Этот вид
транзисторов относится к устройствам
ввезенного производства, с корпусом
TО-126, а так же данные приборы имеют
высокий уровень  скорости переключения.
Область использования импортных из
стран ближнего и дальнего зарубежья
транзисторов серии 13003 является достаточно
широкой по сравнению с транзисторами
и бытовыми электроприборами, привезенными
из других стран. Как правило, в основном
это лампочки, которые сберегают энергию,
зарядные устройства, регуляторы по
освещению и лампы для дневного освещения.
Замена 13003 на российский транзистор
происходит согласно таблицам аналогов.
Транзистор
13001 цоколевка
возможен так же как вариант. Импортные
транзисторы, относящиеся к серии 13001-
13009 широко распространены в производстве
бытовой аппаратуры.

Информация
про транзистор 13001 аналог широко
распространена и используются на сайтах
в Интернете. Транзистор зачастую
используют при сборке импортного
электрического бытового прибора,
например, энергосберегающей лампы,
фонаря дневного света, зарядного
устройства и т.д.

Технические
характеристики

Uкэ(max)	400V
Iк(max)	300mA
Iк.имп(max)	600mA
P(max), при t=25 o C	750mW
Hfe (коэфф. передачи тока)	10..40
Iк.обр, не более	100uA
Fгр. (граничная частота)	8MHz
Корпус	TO-92

 

Транзистор
13001s
— это так же биполярный, щироко
 распространенный высоковольтный
транзистор.

Упаковки
транзистора бывает разных типов, к
примеру, это может быть трубка, лоток,
лента и катушка, ящик и т.д.

Новый,
оригинальный транзистор модели 13001 вы
можете в Интернете приобрести как по
оптовой цене, с гарантией в один месяц,
так и по роздничной цене. Мы предоставим
вам бесплатный образец, быструю работу,
доставку и надежную, понятную систему
оплаты товара.

Транзистор
13001 аналог
которому с легкостью можно подобрать
ниже, относится к серии транзисторов
MJE13001 — MJE13000, которые так же, соответственно,
относятся к биполярным, высоковольтным,
c N-Р-N cтруктурой, устройствам, которые
специально разработаны с единой целью
использования при работе импульсной
техники.

отечественный аналог, тип	импортный транзистор аналог	Uкэ, V	Iк, A	h31	Uнас, V	tрас, мкс	цоколевка тип корпуса
						[fгр, МГц]
замена импортных транзисторов КТ8121А	MJE13005, MJE 13005, 13005	400	4		1. 0	0.4	КТ28
замена импортных транзисторов КТ8126А	MJE13007, MJE 13007, 13007	400	8	>10	1.0	0.4	КТ28
замена импортных транзисторов КТ8137А	MJE13003, MJE 13003, 13003	400	1,5 — 3	50	1.0	0.4	КТ27
КТ8164А	MJE13005, MJE 13005, 13005	600	4				КТ28
КТ8170А	MJE13003, MJE 13003, 13003	400	1,5 — 3	40	1. 0	0.004	КТ27
КТ8175А	MJE13003, MJE 13003, 13003	700	1,5 — 3	40		0.4	КТ27
КТ8181А	MJE13005, MJE 13005, 13005	700	4	50		0.4	КТ28
КТ8182А	MJE13007, MJE 13007, 13007	700	8	50		0. 15	КТ28
КТ8201А	MJE13001, MJE 13001, 13001	400	0.6	40		0.3	КТ27
КТ8203А	MJE13003, MJE 13003, 13003	400	1,5 — 3	25		0.7	КТ27
КТ8205А	MJE13005, MJE 13005, 13005	400	4	40		0.9	КТ28
КТ8207А	MJE13007, MJE 13007, 13007	400	8	30		0.7	КТ28
КТ8209А	MJE13009, MJE 13009, 13009	400	12	30			КТ28
КТ8258А	MJE13005, MJE 13005, 13005	400	4	60	0.8		to220 или        to263
замена импортных транзисторов КТ8259А	MJE13007, MJE 13007, 13007	400	8	60	менее     1-1,5		to220 или        to263
замена импортных транзисторов КТ8260А	MJE13009, MJE 13009, 13009	400	12	60	менее     1-1,5		to220 или        to263
замена импортных транзисторов КТ8270А	MJE13001, MJE 13001, 13001	400	5.0	90	0.5		КТ27

 

Транзисторы
данной марки характеризуются такими
показателями, как чрезвычайно высокое
напряжение и повышенный уровень
быстродействия устройства.

Диоды общего применения 1N400x

Размеры: дюймы (миллиметры) Корпус: пластик литье Полярность: цветная отметка — катод Температура пайки: 250°С/10 сек. Вес: 0.35 г Максимальные значения электрических характеристик (при 25°С) Наименование диода 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 V RRM, (V) 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS, (V) 35 70 140 280 420 560 700 V DC, (V) 50 100 200 400 600 800 1000 IF(AV), (А при 75°С) 1 IFSM, (А) 30 VF, (V) 1 IR, (mА) при 25°С 5 при 120°С 50 IR, (mА, при 75°С) 30 СJ, (pF) 15 RQJA, (°C/W) 50 TJ, (°C) -55…+125 TSTG, (°C) -55…+125 Кривые характеристик

Транзистор MJE13003, NPN, 300V, 1.5A, корпус TO-126

Описание товара Транзистор MJE13003, NPN, 300V, 1.5A, корпус TO-126

Транзистор MJE13003, NPN, 300V, 1.5A, корпус TO-126 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

• Тип транзистора: NPN
• Рабочее напряжение: 300V
• Рабочий ток: 1.5A
• Тип корпуса: TO-126

Особенности транзисторов MJE13003, NPN, 300V, 1.5A, корпус TO-126

Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов

Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.

Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

• В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
• Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
• Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
• Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
• В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами

Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

13003 / MJE13003 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, технические характеристики и другие сведения

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 13003 / MJE13003, эквивалент, использование, характеристики и другие подробности об этом транзисторе. Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то 13003 может быть хорошим выбором.

Характеристики / Технические характеристики

• Тип упаковки: TO-126
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 5A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 400 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 700 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 40 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 4 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ): 8–40
• Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

Замена и аналог

5302D, BLD123D, BUJ101, BLD135D, BUL381D, BUW84, STL128D BUW85, HLD133D, TTD1409B

13003 Описание транзистора

13003 — это кремниевый биполярный транзистор, доступный в корпусах TO-126, TO-92 и других (некоторые корпуса имеют немного другие характеристики тока коллектора, а также рассеиваемую мощность и напряжение коллектора).Он производится многими производителями электронных компонентов и имеет разные буквенные коды до и после фактического номера транзистора, например MJE13003, APT13003S, ST13003, KSE13003T и т. Д.

13003 — недорогой и легкодоступный транзистор. Он построен с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер 400 В постоянного тока и напряжением коллектор-эмиттер 700 В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.Хотя это устройство создано для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.

Где и как использовать

13003 можно использовать во многих высоковольтных приложениях, таких как инверторы, ИБП, зарядные устройства, источники питания высокого напряжения, контроллеры двигателей, драйверы реле высокого напряжения и т. Д. Кроме того, он также может использоваться для общих целей переключения и усиления, а также может использоваться в проектах с батарейным питанием и низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.

Приложения

Инверторные схемы

Цепи ИБП

Источники питания

Схемы зарядного устройства

Контроллеры двигателей

Усилитель звука

Коммутация высокого напряжения постоянного тока

Коммутация низкого напряжения постоянного тока

Как получить долгосрочную работу в цепи

Длительный срок службы и стабильная работа компонента в цепи также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы разрабатываете схему или используете ее в уже разработанной цепи, которую вы собираете.Максимальная нагрузка не должна превышать 1,5 А и 400 В постоянного тока. Всегда используйте подходящий радиатор с транзистором и не храните и не эксплуатируйте транзистор при температуре ниже -65 и выше +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJE13003-D.PDF

Транзисторы

MJE13003 и 13003. Вывод. Техническая спецификация.

Наименование прибора: 13003, MJE13003 .

Пакет: ТО-252, ТО-220, Т0-251, ТО-126, ТО-92, ТО-92Л.

Внимание! MJE13003 в корпусах ТО-92 и ТО-126 может иметь разное расположение выводов.
(не как на первом изображении)!

Например:

Поэтому перед установкой контакты каждого 13003 необходимо проверить мультиметром или тестером.

Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр не может определить положение его контактов.
или тестером, нужно обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда находится посередине.
Таким образом, третий штифт — это основание .

Некоторые 13003 содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором.
Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при
он работает с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора.

Основные параметры модели 13003 (MJE13003).

Материал транзистора: Si

Полярность: NPN
Рассеиваемая мощность (P _D ) при температуре окружающей среды 25 °, без радиатора. (| T _A | = 25 °)
1,1 Вт (TO-92 и TO-92L).
ТО-220 — 2 Вт.
ТО-252 и ТО-251 — 1,56 Вт.
ТО-126 — 1,4 Вт.

Рассеивание мощности (P _D ) при температуре коллектора не выше 25 °, поддерживаемой радиатором.(| T _c | = 25 °
ТО-126 — 20 Вт
ТО-220 — 50 Вт.
ТО-252 и ТО-251 — 25 Вт.

Напряжение пробоя коллектор-база | В _CBO |: 700 В.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | В _CEO |: 400 В.

Напряжение пробоя эмиттер-база | В _EBO |: 7 В.

Максимальный постоянный ток коллектора | I _{c max} |: 1,5 A

.Максимальная температура перехода | T _j |: +150 C

.

Частота перехода (f _t ): 10 МГц (мин).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В _CE |: 1 В (IC = 1A, I _B = 0,25A), 3 В (IC = 1,5A, I _B = 0,5A ).

Напряжение насыщения база-эмиттер | В _BE |: 1 В (IC = 0,5A, I _B = 0,1A), 1,2 В (IC = 1A, I _B = 0 , 25А).

Коэффициент передачи прямого тока | h _FE | : 14-57 .

Время хранения | t _с |: 1 мкс.

Время падения | t _F |: 0,7 мкс.

MJE13003 Лист данных (PDF)
(Unisonic Technologies.)

MJE13003 datasheet — Описание = переключающий транзистор ;; Упаковка = TO-126

1N4698 : стабилитрон. Обозначение PD Параметр Рассеиваемая мощность TL 75C, длина вывода = 3/8 дюйма Снижение номинальных значений выше 75 ° C TJ, диапазон рабочих температур и температур хранения TSTG * Эти номинальные значения являются предельными значениями, при превышении которых эксплуатационная надежность диода может быть нарушена.Примечания: 1. Напряжение стабилитрона (VZ) Напряжение стабилитрона измеряется, когда переход устройства находится в состоянии теплового равновесия на выводе.

2N3019 : Пакет = ТО-5 ;; Уровень = Янс ;; Vceo (V) = 80 ;; Vcbo (V) = 140 ;; Vebo (V) = 7.0 ;; Ic (A) = 1,00 ;; Мощность (Вт) ta = 0,8 ;; Rtja (C / W) = 175 ;; Tstg / top (C) = от -65 до +200 ;; Hfe = 300 ;; VCE (sat) (V) = 0,20.

2N6760 : Одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 400 В в корпусе TO-204AA. IRF330 ПОВТОРИТЕЛЬНЫЕ ШЕСТИГРАННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ JANTX2N6760 с НОМИНАЛЬНЫМ АВТОМАТОМ И ДВ / ДТ JANTXV2N6760 ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ [REF: MIL-PRF-19500/542] 400 В, N-КАНАЛ Технология HEXFET является ключом к передовой линейке силовых МОП-транзисторов International Rectifier.Эффективная геометрия и уникальная обработка этой последней «современной» конструкции обеспечивает: очень низкий уровень заряда.

APT60M75JLL :. Power MOS — это новое поколение силовых МОП-транзисторов высокого напряжения с N-канальным улучшенным режимом с малыми потерями. Потери проводимости и коммутации устраняются с помощью Power MOS 7 за счет значительного снижения RDS (ON) и Qg. Power MOS 7 сочетает в себе более низкие потери на проводимость и переключение, а также исключительно высокую скорость переключения, присущую запатентованному металлу APT.

BYV255V : Высокоэффективные выпрямительные диоды с быстрым восстановлением. ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ДИОДЫ-ВЫПРЯМИТЕЛИ С БЫСТРОМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ, ПОДХОДЯЩИЕ ДЛЯ SMPS ОЧЕНЬ НИЗКИЕ ПОТЕРЯ В ПЕРЕДНЕМ ПЕРЕДАЧЕ НЕЗНАЧИТЕЛЬНЫЕ ПОТЕРЯ НА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПО ТОКУ ВЫСОКАЯ ЛАБИНАЦИОННАЯ МОЩНОСТЬ ИЗОЛИРОВАННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ ДАВЛЕНИЯ для преобразователей постоянного тока с высоким выпрямительным напряжением = 2500 В Упаковано в ISOTOPTM this.

CEFF630 : N канал. N-канальный полевой транзистор в режиме расширения.Полевой транзистор в режиме расширения с N-каналом RDS (ВКЛ) = 300 м при VGS = 10 В Конструкция ячеек сверхвысокой плотности для чрезвычайно низкого RDS (ВКЛ). Высокая мощность и способность выдерживать ток. ТО-220Ф полный пакет для сквозного отверстия. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ (Tc = 25 C, если не указано иное) Параметр Напряжение истока-истока затвор-источник Напряжение тока стока-непрерывный -Импульсный сток-источник

IRGBC40S : Среднее напряжение 600-1199 Вольт. Биполярный транзистор Igbt стандартной скорости с изолированным затвором.

IXDT30N120AU1 : Высокое напряжение 1200 Вольт.Символ VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) tSC ​​(SCSOA) PC TJ TJM Tstg Md Вес Максимальная температура вывода для пайки в мм (0,062 дюйма) от корпуса в течение 10 с Монтажный момент Условия испытаний до 150 ° C; RGE 1 M Непрерывный переходный процесс 1 мс VGE 15 В, TVJ = 47 Фиксированная индуктивная нагрузка, 30 Гц VGE 15 В, VCE = VCES, 47, неповторяющийся = 25C ​​IGBT Square RBSOA.

NTE2359 : Цифровые кремниевые комплементарные транзисторы с двумя встроенными резисторами смещения 47 кОм.

RFP45N03L : Транзисторный MOSFET.45 А, 30 В, N-канальные полевые МОП-транзисторы в режиме повышения логического уровня с номинальным значением лавины 45 А, 30 В rDS (ВКЛ.) = 0,022 Температурная компенсация Модель PSPICE может управляться непосредственно от цепей CMOS, NMOS и TTL Кривая зависимости пикового тока от ширины импульса Кривая UIS +175 C Рабочая температура RFP45N03L, RF1S45N03L и RF1S45N03LSM представляют собой силовые МОП-транзисторы с N-каналом.

SiB437EDKT : МОП-транзистор с P-каналом, 8 В (D-S), с P-каналом, 8 В (D-S). Без галогенов В соответствии с IEC 61249-2-21 Определение TrenchFET Power MOSFET Новый корпус PowerPAK SC-75 с улучшенными тепловыми характеристиками и ультратонким корпусом 0.Высота 6 мм — Малая площадь основания — Низкое сопротивление в открытом состоянии,% Rg Протестировано Стандартные характеристики ESD 2000 В Встроенная защита от электростатического разряда с стабилитроном, соответствующая директиве RoHS 2002/95 / EC. ПРИМЕНЕНИЕ Переключатель нагрузки для портативных устройств.

MD5000-LF : 50 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ROHS COMPLIANT, PRESSFIT-1; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 50000 мА.

MT6C04AS : 2-КАНАЛЬНЫЙ, ДИАПАЗОН УВЧ, Si, NPN, РЧ-транзистор для малых сигналов. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ULTRA SUPERMINI, 2-2Q1B, ES6, 6 PIN; Количество блоков в ИС: 2; Рабочая частота: 7000 МГц.

SI4774DY-T1-GE3 : 16000 мА, 30 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, MOSFET. s: Полярность: N-канал; Режим работы полевого МОП-транзистора: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0,0095 Ом; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SOP-8; Количество блоков в ИС: 1.

VIE200-12S4 : 200 А, 1200 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канал; Количество блоков в ИС: 2.

w% 2013003% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

СТ 78592 Аннотация: Y012 psu 14-4y 1fw 7d 1dz 2 ta 2631n 1fw 0o 1df2 Текст: Нет текста в файле	Оригинал	PDF
W10G Резюме: 00Y11 Текст: Нет текста в файле	Оригинал	PDF
pj 986 iv Резюме: vw-01 Текст: Нет текста в файле	Оригинал	PDF	opI56 56FUtÊ pj 986 iv vw-01
1DF2 Резюме: B33A IR29 ENFPM ENFP Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
HARTING 8-контактный разъем Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	D-32339 8-контактный разъем harting
2005-w1 co Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
к234 Резюме: kj e9 Текст: Нет текста в файле	Оригинал	PDF	I56tg + k234 kj e9
к200а02 Аннотация: припой SN63A SN63A Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	21-S-004 035мм.k200a02 Припой SN63A SN63A
2003 — 56800E Аннотация: DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E DSP56800ESDK DSP56858
CC14M Аннотация: C10M4I 10×38 gg Предохранитель C10G6 32A 10×38 690V C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690V80kA Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	22X58 14X51 10X38 10×31 мм CHD10311D CHD10311D CHD1038D 10×38 мм CHD1038D 100Y400 CC14M C10M4I 10×38 гг Предохранитель C10G6 предохранитель 32А 10х38 690В C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690В80кА
2011-FR10GR69V Резюме: FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 Протистор FR10GR69V20 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	10×38 690 В переменного тока 10 диапазон 100Y0 FR10GR69V FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 FR10GR69V20 протистор
2011 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	HM2P40SZE121 —-) HM2P40SZXXXXN9-примечание-3 I10-0110 BSC203204005 HM2P40SZ ———
1986 — ВИБ-6001 Реферат: VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	E100527 94ME82889 VI-200 MEL \ 114307 VIB-6001 VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04
2009 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	D-32339
1604Г-6Ф22-9В Реферат: CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9V АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1.5V R03 EVEREADY varta 9v lithium Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	MR-03AA Cr17345 Duracell-DL123A ВАРТА-123А VARTA-4LR44 100лет-1 1604Г-6Ф22-9В CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9В АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1,5 В R03 ВСЕГДА varta 9v литиевый
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	SD-85801-
2SK2056 Резюме: 2sk1603 datasheet 2SK1603 TOSHIBA «ULTRA HIGH SPEED» DIODE 1A транзистор 2SK1603 1045y 2SK2915 EQUIVALENT 2SK3569 эквивалент 2SK3561 эквивалент 2SK1078 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	BCE0017B 2SK2056 2sk1603 лист данных 2SK1603 TOSHIBA «УЛЬТРА-ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ» ДИОД 1А транзистор 2СК1603 1045лет 2СК2915 ЭКВИВАЛЕНТ 2SK3569 эквивалент 2SK3561 эквивалент 2SK1078
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	Чип / MIL-C-55681 CDR01 CDR02 CDR03 CDR04 CDR05 C0805 C1805 C1808 C1812
2012 — СОТ04 45 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	DS705-00012-1v0-E SOT04 45
2SK3561 эквивалент Резюме: 2SK1603 un 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	BCE0017A 2SK3561 эквивалент 2SK1603 ООН 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078
2003 — AGC DTX VAD Аннотация: 56800E DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E AGC DTX VAD DSP56800ESDK DSP56858
2013 — МБ91F523B Аннотация: MB91520 MB91F523 MB91F522 MB91F526B Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	MB91520 32-битный FR81S MB91F522B / D / F / J / K / L MB91F523B / D / F / J / K / L, MB91F524B / D / F / J / K / L MB91F525B / D / F / J / K / L MB91F526B / D / F / J / K / L * MB91F526L DS705-00011 MB91F523B MB91F523 MB91F522 MB91F526B
2008 — ML8511 Аннотация: FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA LED 8 x 8 Matrix RC-128 036hc Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	FJUL610Q421-02 ML610Q421 / ML610Q422 nX-U8 / 100 ML8511 FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA Светодиодная матрица 8 x 8 RC-128 036hc

Выбор замены транзистора »Примечания по электронике

При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники — мы расскажем вам, как выбрать подходящую замену.

---

Transistor Tutorial:
Основы транзисторов
Усиление: Hfe, hfe и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену

---

При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены. Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.

К счастью, обычно можно использовать заменяющий тип транзистора, поскольку часто существует значительная степень перекрытия между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на базовые спецификации, обычно можно выбрать правильные замены транзистора.

Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. К ним будут относиться основные параметры работы транзистора. Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.

BC547 Транзистор с пластиковыми выводами

Основные параметры транзистора

К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения.Их спецификации не особенно требовательны, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.

Тем не менее, необходимо более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более строгую роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.

При поиске подходящей замены транзистора некоторые из основных параметров транзистора, которые необходимо учитывать, включают следующее:

1. Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.

   Важно знать, какой тип транзистора, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 — 0,3 вольт, а для кремния — около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.

2. Полярность: Абсолютно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено.

   Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP

3. Общее применение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать предполагаемому назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к предполагаемому применению.

   Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.

4. Корпус и схема расположения выводов: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
5. Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.

6. Коэффициент усиления по току: , Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.

   Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же усилением по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.

7. Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его футы. Обычно важно гарантировать, что транзистор может соответствовать любым ограничениям по частоте.
8. Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.

Это основные параметры, которые важны в большинстве приложений, но будьте внимательны и обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

Подбор транзистора на замену

При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Их можно продвигать в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.

Пошаговая инструкция:

1. Выберите транзистор той же полярности: Первым основным критерием выбора является тип транзистора PNP или NPN.
2. Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов либо кремниевые, либо германиевые.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различны, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
3. Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание их применения в технических данных. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.

4. Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора на замену с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные корпуса могут вызвать серьезные проблемы.

   Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные контакты были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но существуют и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.

5. Выберите транзистор на замену с тем же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V _CEO и V _CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
6. Убедитесь, что он может принимать ток: Убедитесь, что новый транзистор может пропускать требуемый ток — он должен иметь I _Cmax больше или равное исходному транзистору.
7. Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у исходного. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного и того же типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
8. Выберите транзистор для замены с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
9. Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор выдерживает мощность, рассеиваемую в цепи.Выбор транзистора на замену с аналогичным типом банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
10. Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбранные выше функции выбраны, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.

После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. Если это так, необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или найти другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?

Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.

По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции должны помочь определить основные параметры транзистора.

Пошаговая инструкция:

Эти инструкции изложены в примерном порядке: сначала наиболее важные параметры следуют за менее значимыми:

1. Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться транзисторами на первый взгляд.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
2. Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, поэтому будьте осторожны!
3. Рассеиваемая мощность: Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, потому что они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
4. Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из цепи, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает
5. Коэффициент усиления по току: Коэффициент усиления по току транзисторов, как известно, определить сложно.Транзисторы большой мощности часто предлагают более низкий коэффициент усиления — более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
6. Максимальная частота: Необходимо убедиться, что сменный транзистор способен работать на необходимой частоте. Посмотрите на компоненты схемы и функции схемы. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
7. Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.

Выбор транзистора для замены обычно довольно прост. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.

Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.

Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей вероятностью его работы.

Другие электронные компоненты:
Резисторы
Конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
FET
Типы памяти
Тиристор
Разъемы
Разъемы RF
Клапаны / трубки
Аккумуляторы
Переключатели
Реле

Вернуться в меню «Компоненты».. .

транзистор 13003, транзистор 13003 Поставщики и производители на Alibaba.com

О продуктах и ​​поставщиках:

 Alibaba.com предлагает большой выбор.  транзистор 13003  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей ..  транзистор 13003  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно., транзистор 13003 , вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. Транзистор 
  13003  изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей.  транзистор 13003  охватывает два типа областей, которые возникают в результате включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей.  транзистор 13003  скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
 
 Изучите прилагаемые спецификации вашего.  транзистор 13003  для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. Транзистор  13003  на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желательному 0.Напряжение перехода 6 В. Основные параметры для. Транзистор  13003 и  для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
 
 Откройте для себя удивительно доступный.  транзистор 13003  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку. 
 

и др. 13003

DtSheet

Загрузить

ETC 13003

Открыть как PDF

Похожие страницы

JIANGSU C2611-TO-251

JIANGSU 3DD13001

JIANGSU 3DD13002

JIANGSU D882

ETC 3CA8772

JIANGSU A92

ETC C945LT1

JIANGSU 8550S-TO-92

ETC 2SC1008

JIANGSU A94

JIANGSU A733LT1

3DD13003

JIANGSU A44

ПОБЕДИТЕЛЬ ПРИСОЕДИНЯЙТЕСЬ C2611

JIANGSU A1015LT1

JIANGSU BC350

ETC 2SC945LT1

ETC 3DD13002

JIANGSU S9011LT1

JIANGSU S9011

Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 L

Транзисторы в пластиковом корпусе TO-92 L

dtsheet © 2021 г.