13003 транзистор цоколевка: Транзистор 13003 — аналог datasheet цоколевка параметры замена anod-masterru

Содержание

Транзистор 13003 — аналог datasheet цоколевка параметры замена anod-masterru

двухярусная квартира

Транзистор 13003 имеет огромное количество имён, которые зависят от компании производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное заглавие mje 13003 либо MJE13003. Транзистор 13003 имеет аналоги как из собственной серии 13001, 13003, 13005, 13007 так и российских разработок. При подмене из собственной серии подходят аналог транзистора 13003: 13005 либо 13007, они больше по мощности и неким характеристикам, будут работать с «припасом».

Биполярный транзистор 13003 мощнейший и высоковольтный, NPN, ввезенного производства с корпусом TO-126 имеет высокую скорость переключения. Область внедрения привезенных из других стран транзисторов серии mje13003 достаточно широка в привезенных из других стран бытовых электроприборах. В главном это энергосберегающие лампочки, зарядные устройства, регуляторы освещения и лампы дневного света. Замена 13003 на российские транзисторы согласно таблице аналогов.

Российские аналоги транзистора 13003 и подмена

аналог 13003 транзистора

российский

оригинальное заглавие транзистор 13003

Uкэ, В

Iк, А

h31

Uнас, В

tрас, мкс

[fгр, МГц]

корпус,

цоколевка 13003

аналог

КТ8137А

NJE13003

400

1.5

50

1.0

0.4

КТ27

КТ8170А1

MJE13003

400

1.5

40

1.0

[0.004]

КТ27

КТ8175А

MJE13003

700

1. 5

40

0.4

КТ27

КТ8203А

MJE13003

400

1.5

25

0.7

КТ27

Главные характеристики транзистора 13003, представлены о таблице.

оригинальное заглавие транзистор

mje 13003 n-p-n

Uкэ, В

Iк, А

h31э

Pк макс, Вт

tраб, макс

МГц

корпус,

цоколевка транзистор 13003

NJE13003

400

1.5

4-10

40

4

TO-126 либо ТO-220 (бкэ)

Цоколевка транзистора 13003 вероятна в 2-ух вариантах: TO-126 и намного реже TO-220AB, возможно этот транзистор 13003 выдерживает огромные нагрузки.

Практически у всех транзисторов 13003 цоколевка бывает ЭКБ — MJE 13003, но у китайских может встречаться и БКЭ, отличительной особенностью этого варианта цоколевки транзистора 13003 является отсутствие буковкы после 13003.

Некие принимают транзистор 3DD13003E6D за mje 13003, но это далековато не так. Китайский транзистор 3DD13003E6D является составным транзистором Дарлингтона с интегрированным диодиком и не является аналогом 13003 mje.

Уникальный транзистор 13003 datasheet с параметрами транзистора представлен ниже.

Транзистор 13003 NPN…PNP или совсем не транзистор | Дмитрий Компанец

Схема Транзистора Не транзистора

Вы удивлены — почему транзистор 13003 а на картинке Стабилитрон и Двухбазовый диод КТ117 ? Сейчас всё объясню!

В статье НЕПРЕДСКАЗУЕМЫЙ ТРАНЗИСТОР 13003 я описал поведение самого распространенного транзистора взятого из лампы экономки.
Прозванивая его я натолкнулся на комбинацию выводов которые при прозвонке тестером ведут себя как транзистор структуры PNP , хотя традиционно транзисторы 13003 описаны как NPN структура.

Казалось бы, Что проще — Возьми описание и почитай! но первые попавшиеся Буквари и Дата Шиты только еще больше удивили разнообразием толкований. Давайте посмотрим вместе

НПН 13003

тут вроде все на месте и описано — вроде обычный транзистор

13003 в корпусе ТО-220

В этом описании тоже все в порядке и даже нарисована структура NPN

Корпуса транзисторов разные

В разных корпусах выводы Базы , Коллектора и Эмиттера располагаются по разному, но все равно это Транзисторы 13003

Обычные транзисторы 13003

Обычные транзисторы 13003 и ничего особенного, НО …….

транзисторы 13003 PNP

вот тут ясно сказано, что транзисторы 13003 продаются как PNP и все описано. Ну тут возможно есть опечатка, да и на корпусе могут быть грамматические ошибки….

Транзистор 13003 с защитным диодом

Вот тут уже начинаются головоломки — Новые транзисторы массовых серий стали комплектоваться Защитным Диодом стоящим прямо в корпусе устройства, Называть такую сборку транзистором уже не корректно, но маркировка сохраняется 13003
Хорошо что у большинства 13003 в буквах присутствует буква D по которой можно догадаться , что такой транзистор будет проводить ток от эмиттера к коллектору. Это не хорошо для усилителей , но для импульсных устройств самое то.

Транзистор SBR13003D

Транзистор SBR13003D содержит в схеме диод и такие устройства (по моему) должны маркироваться по другому и называть их транзистором можно условно так же как нельзя назвать транзистором микросборки стабилизаторов LM78** тоже очень похожей на транзистор.

Но не все транзисторы 13003 содержат только защитный диод, есть такие что и составными транзисторами назвать сложно

Составной транзистор 13003

Эта сборка из двух транзисторов разного типа проводимости и защитного диода скорее может называться Стабилитроном или Двухбазовым диодом ,

режим её работы определяется характеристикой подобной стабилитронам а вот усилительные свойства как у большинства транзисторов сомнительны.

Стабилитрон не транзисторе 13003

Даже самые малые корпуса такие как ТО-251 и ТО-92 содержат в себе схему состоящую из двух транзисторов разного типа и одного диода, а это уже никак не транзистор а целая микросхема!

Транзистор 13003 в корпусе ТО-92

То что по какой то традиции эти массовые детали до сих пор именуются как TRANSISTOR остается загадкой и тайной покрытой мраком производителей.

Разумеется для массового производства все детали идут с подробным описанием и маркировкой, но вот для самоделок из деталей лампы экономки таких описаний не сыщешь днем с огнем, и остается только догадываться о том что за деталь нам попала в руки — ведь Буквари и Описания мало что могут нам поведать про деталь промаркированную 13003

Транзистор MJE13003 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги : BUJ101
Корпус TO-225AA
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13003

1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 1.5 А
Ib Ток базы 0.75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 20 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 2 В, Ic = 0. 5 А 8 40
Vce = 2 В, Ic = 1 А 5 25
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 0.5 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1 В
Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 1 В
Ic = 1 А, Ib = 0. 25 А 1.2 В

Купит MJE13003

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

13003 транзистор


13003 транзистор datasheet маркировка параметры характеристики цоколевка распиновка

 

 

Electronic component: Описание: Произв. Т°min Т°max Выводы Корпус Datasheet
CJD13003 NPN silicon power transistor distributor -65°C 150°C 4 DPAK 682 K
GC70BN9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70BN9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70BR9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
MJE13003 400V switchmode series NPN power transistor distributor -65°C 150°C 3 182 K
MJE13003 NPN silicon power transistor Motorola -65°C 150°C 3 304 K
MJE13003 SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistors ON-Semiconductor 3 304 K
MJE13003 NPN silicon transistor. V(BR)cbo=700V, V(BR)ceo=400V, V(BR)ebo=9V Wing-Shing-Electronic-Co—-manufacturer-of-power-semiconductors 3 27 K
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor Philips-Semiconductors SOT533 49 K
ST13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 71 K
GC70BR9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SN9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SN9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR7013003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR7013003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
HI13003 Emitter to base voltage:9V 1. 5A NPN epitaxial planar transistor for high-voltage, high-speed power switching inductive circuit where fall time is critical distributor 3 34 K
HMJE13003 Emitter to base voltage:9V; 1.5A NPN epitaxial planar transistor distributor 3 38 K
R7013003XXUA 3000V, 300A general purpose single diode distributor 646 K
FJN13003 NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 49 K
HMJE13003D Emitter to base voltage:9V; 1.5A NPN epitaxial planar transistor distributor 3 44 K
HMJE13003T Emitter to base voltage:8V; 1A NPN epitaxial planar transistor for high voltage distributor 3 38 K
KSE13003 NPN Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 48 K
KSE13003T NPN Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 47 K
MJE13003 Switching Transistor Korea-Electronics-Co—Ltd- 394 K
PJ13003CK Emitter base voltage:9V; base current:0. 75Amp; NPN epitaxial silicon transistor distributor -20°C 85°C 3 153 K
PJ13003CT Emitter base voltage:9V; base current:0.75Amp; NPN epitaxial silicon transistor distributor -20°C 85°C 3 153 K
STD13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 263 K
STK13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 217 K
STX13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 236 K


13003D транзистор параметры цоколевка

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15.
У MJE13001B — от 15 до 20.
У MJE13001C — от 20 до 25.
У MJE13001D — от 25 до 30.
У MJE13001E — от 30 до 35.
У MJE13001F — от 35 до 40.
У MJE13001G — от 40 до 45.
У MJE13001H — от 45 до 50.
У MJE13001I — от 50 до 55.
У MJE13001J — от 55 до 60.
У MJE13001K — от 60 до 65.
У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же — мощности рассеивания.

Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A — от 8 до 12.
У MJE13003B — от 12 до 18.
У MJE13003C — от 18 до 27.
У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 — 1.4 ватт,
TO-220 — 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт.
R2 — 20 кОм.
R3 — 680 кОм.
R4 — 100 кОм.
R5 — 43 Ом.
R6 — 5,1 Ом.
R7 — 33 Ом.
R8 — 1 кОм.
R9 — 1,5 кОм.
C1 — 22 мФ,25в(оксидный).
C2 — 1 нФ, 400в.
C3 — 3,3 нФ, 1000в.
C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 — 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 — стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 — диод 1N407.
VD4 — диод 1N4937.
VD5 — индикаторный светодиод.
Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

  • Наименование: MJE13003
  • Тип: NPN
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 400 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 700 В
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 9 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 1. 5 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 20 Вт

Граничная частота ft (fГР): 4 МГц

  • Корпус:TO-220
  • Даташит:Даташит
  • Распиновка:
  • Производитель:Unisonic technologies
  • В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

    Распиновка

    Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

    В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

    Основные технические характеристики

    13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

    Предельные режимы эксплуатации

    13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

    Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

    Электрические характеристики

    Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

    Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

    Режима работы в SOA

    Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

    Режим FBSOA

    На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

    Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

    Режим RBSOA

    В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

    В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

    Комплементарная пара

    Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

    Маркировка

    Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

    Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

    Замена и эквиваленты

    Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

    И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

    Все предоставленное было идеально !! Моим любимым местом была Голубая лагуна. Я ходил туда дважды, массажи были потрясающими !!. Я использовал Nordic Visitor, когда впервые приехал в Исландию, и это был замечательный опыт.Они дали нам бесплатные пропуска в Голубую лагуну на дни рождения, а также позволили нам изменить наш маршрут после того, как мы приехали, когда мы поняли, что хотим проводить больше времени с другом в Рейкьявике.

    Это было бесплатно для нас. Что мне больше всего понравилось, так это то, что они выбрали для нас хостелы, которые было трудно найти в гидах, и это сделало наш опыт намного лучше. Одно общежитие, в котором мы останавливались (Хрифунес), было просто маленьким домиком на вершине горы, и я никогда бы не подумал, что останусь там, но это был мой любимый хостел.

    Я обязательно снова воспользуюсь Nordic Visitor в других местах. У меня был такой замечательный опыт с ними. Nordic Visitor с Александрой в качестве местного специалиста по путешествиям организовали девятидневный самостоятельный тур и все продумали. Наш личный водитель такси встретил нас в международном аэропорту Кефлавик после ночного перелета из Бостона, чтобы передать нам наши проездные документы, местный мобильный телефон и провести для нас экскурсию по пути в наш отель Кефлавик. Документы (карта, подробный маршрут, основные моменты Исландии на нашем маршруте, полезная информация, расширенный туристический справочник и ежедневные путевки) с легкостью направили нас по острову и были составлены очень профессионально.

    Nordic Visitor арендовал внедорожник (внедорожник позволяет проехать по проселочным дорогам с ограниченным доступом) пришел с бесплатным GPS. Комфортные номера среднего уровня были вполне адекватными. Александра всегда была рядом с нами: перед поездкой, чтобы передать детали и ответить на вопросы по электронной почте, по прибытии в Рейкьявик, чтобы рекомендовать достопримечательности по нашему маршруту, во время поездки, если необходимо, по бесплатному мобильному телефону и в конце поездки во время дополнительный день, который она устроила для нас в Рейкьявике.

    Все было хорошо организовано и завершено.Нам особенно понравилось иметь мобильный телефон на случай чрезвычайных ситуаций и т. Д. Нам понравилось, что маршрут и размещение были организованы для нас.

    MJE13003 1.5A 400V NPN Power Transistor Micro Electronics

    Стоимость доставки почтой первого класса:

    Минимальная сумма заказа Сумма заказа Максимум Доставка первого класса в США
    $ 00.01 25,00 $ 5 долларов США.85
    25,01 долл. США 35,00 $ $ 6,85
    35,01 долл. США 45,00 $ $ 8,85
    45,01 долл. США 55,00 $ $ 9,85
    $ 55,01 75,01 долл. США $ 11,85
    75,01 долл. США 100 долларов США.00 $ 12,85
    $ 100,01 200,00 $ $ 14,85
    200,01 долл. США 300,00 $ $ 15,85
    300,01 долл. США 500,00 $ $ 17,85
    500,01 долл. США + $ 18,85

    Стоимость доставки приоритетной почтой:

    Минимальная сумма заказа Сумма заказа Максимум Тарифы на доставку приоритетной почтой в США
    00 руб.01 25,00 $ 10,50 долл. США
    25,01 долл. США 35,00 $ $ 11,50
    35,01 долл. США 45,00 $ $ 12,50
    45,01 долл. США 55,00 $ $ 13,50
    $ 55,01 75,01 долл. США 14 долларов США.50
    75,01 долл. США 100,00 $ 16,50
    $ 100,01 200,00 $ 18,50 долл. США
    200,01 долл. США 300,00 $ 21,50 долл. США
    300,01 долл. США 500,00 $ $ 24,50
    500,01 долл. США + 25 долларов США.50

    Canada First Class International (исключения см. На странице доставки)

    Минимальная сумма заказа Сумма заказа Максимум Канада Первый класс Международный
    $ 00.01 45,00 $ $ 15.95
    45,01 долл. США $ 90,00 $ 29. 95
    90 $.01 150,00 $ 49.95
    150,01 долл. США 300,00 $ $ 59.95
    300,01 долл. США 700,00 $ $ 79.95
    $ 700,01 $ 2000,00 $ 99.95

    Почта Канады Priority Mail (исключения см. На странице «Доставка»)

    Минимальная сумма заказа Сумма заказа Максимум Приоритетная почта Канады
    00 руб. 01 45,00 $ $ 29.95
    45,01 долл. США $ 90,00 $ 39.95
    $ 90,01 150,00 $ 59.95
    150,01 долл. США 300,00 $ $ 79.95
    300,01 долл. США 700,00 $ 99 $.95
    $ 700,01 $ 2000,00 $ 109.95

    Международный — за пределами США / Канады (исключения см. На странице доставки)

    Минимальная сумма заказа Сумма заказа Максимум Международный — за пределами США / Калифорнии
    $ 100,00 150,00 79 долларов.95
    150,01 долл. США 300,00 $ $ 99.95
    300,01 долл. США 500,00 $ $ 139.95
    500,01 долл. США 1000,00 $ $ 169. 95

    Распиновка транзистора

    13003

    Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.

    Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток. Он работает на высоких частотах перехода в МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения мс и временем спада 60 мс. Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в пакете TO. Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора.

    Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных :. Точно так же в приложении усиления он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.

    С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность. В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого транзистора NPN. Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя.

    MJE13003 Биполярный транзистор

    После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno. В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к базовой клемме. В этом примере транзистор 2N NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером.Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой.

    Работа этой схемы в точности такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока. Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете скачать таблицу размеров других пакетов. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте. Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте. Оглавление.Примечание: полные технические подробности можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

    BC — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми с обратным смещением, когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты с прямым смещением, когда на базовый вывод подается сигнал. BC имеет значение усиления, равное этому значению, определяющее усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более мА, с помощью этого транзистора.

    Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток I B должен быть ограничен до 5 мА. Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум мА через коллектор и эмиттер. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может быть около мВ. Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в области насыщения и отсечки, как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как открытый переключатель во время прямого смещения и как замкнутый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод.

    Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Величину этого резистора R B можно рассчитать по формулам ниже. Значение I B не должно превышать мА. Транзисторы действуют как усилитель при работе в активной области. Он может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях.

    Из вышеперечисленных типов наиболее распространенной и наиболее часто используемой конфигурацией является тип эмиттера.При использовании в качестве усилителя коэффициент усиления по постоянному току транзистора может быть рассчитан с использованием следующих формул. Если вы разрабатываете плату PCD или Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать тип и размеры ее корпуса.

    Подпишитесь, чтобы получать последние новости о компонентах электроники и новости отрасли. Модули усилителя, такие как аудиоусилители, усилители сигнала и т. Д. Техническое описание компонентов. BC Transistor Datasheet. Он имеет высокое напряжение коллектор-эмиттер V при постоянном токе коллектора 4А.

    Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйвера реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8А. Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.

    Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE. Поскольку ИС доступна в формате TO, ее относительно просто использовать.Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.

    Техническое описание компонентов. Лист данных MJE. Теги Силовой транзистор. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая производительность 2. 2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях.Разъемы EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD. Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то это может быть хорошим выбором.

    Он построен с использованием специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, и напряжением коллектор-эмиттер, равным В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.

    Хотя это устройство создано для высокого напряжения и коммутации, но также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения. Кроме того, его можно использовать для коммутации и усиления общего назначения, а также в проектах с батарейным питанием, низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.

    Длительный срок службы и стабильная работа компонента в цепи также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы разрабатываете схему или используете ее в уже разработанной цепи, которую вы собираете.

    Максимальная нагрузка не должна быть больше 1. 10 июля, 18 ноября, 2 декабря, Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент.

    Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить вам максимально удобную работу с нашим сайтом. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Ok Политика конфиденциальности. Популярные транзисторы.MJE и транзисторы. Обозначение типа:, MJE Например: Следовательно, перед установкой необходимо проверить контакты каждого с помощью мультиметра или тестера.

    Если транзистор неисправен так, что расположение его выводов не может быть определено мультиметром или тестером, необходимо обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.

    Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с малым сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.Коллектор всегда посередине. Таким образом, третий штифт является основанием. Некоторые содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором.

    Их цель — защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, которые возникают при работе с индуктивной нагрузкой — обычно обмоткой трансформатора. Основные параметры ТО — 2 Вт. ТО и ТО — 1,56 Вт. ТО — 1,4 Вт. ТО — 50 Вт. ТО и ТО — 25 Вт. Максимальный длительный ток коллектора I c max: 1,5 A. Частота перехода ft: 10 МГц мин.Коэффициент передачи прямого тока h FE: что говорят вам данные ваших историй в Instagram.

    Есть ли какой-нибудь тип рассказов, который, как правило, лучше остальных?

    Есть ли общая точка, когда большинство ваших подписчиков уходят из ваших историй? Поскольку Instagram допускает только одну ссылку (в биографии), маркетологи обычно имеют призыв к действию (CTA) в своих сообщениях в Instagram, чтобы направлять подписчиков на ссылку в их биографии. Вы можете менять CTA еженедельно и смотреть, увеличивается ли количество переходов на веб-сайт.Напоминаем, что переходы на веб-сайт — это количество нажатий на ссылку в вашей биографии.

    В качестве альтернативы вы можете использовать Bitly или аналогичные средства сокращения ссылок с возможностью отслеживания ссылки в вашей биографии, чтобы отслеживать количество кликов. Благодаря огромному количеству данных, доступных нам, маркетологам, с помощью многочисленных аналитических инструментов Instagram, мы можем больше управлять данными с помощью нашего маркетинга в Instagram, чем когда-либо прежде.

    В сочетании с нашим пониманием наших подписчиков эти идеи Instagram могут позволить нам создавать более ценный и интересный контент для нашей аудитории.

    Как вы измеряли свои показатели в Instagram? Как вы использовали свои идеи в Instagram для улучшения своего маркетинга в Instagram? Я плаваю, езжу на велосипеде и много бегаю. Это невероятно исчерпывающе. Аналитика — это всегда крепкий орешек, и вы никогда не узнаете всех деталей.

    13003. Техническая спецификация. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

    Пробовали ли вы когда-нибудь Metricool. Metricool — это инструмент для анализа социальных сетей. Сообщите мне, сможем ли мы помочь в отслеживании вашей эффективности в Instagram или в создании отчетов о социальных сетях.Спасибо за то, что вы включили бесплатную проверку учетной записи Instagram от Union Metrics, в частности, о ваших результатах. Я только что подписался на еще несколько аналитических платформ на основе ваших предложений. Были времена, когда я случайно натолкнулся на старую публикацию в Instagram, и ссылка в биографии больше не была той, которая упоминалась в этом сообщении (поскольку она была обновлена).

    Так что это здорово. Спасибо, что поделились этим инструментом.

    Любопытно, подойдет ли для этого электронная таблица. Еще одна область для аналитики и аналитики с Instagram (возможно, будущая статья.API Instagram несколько ограничен типом доступных аналитических данных. Например, Instagram не предоставляет охват или какие-либо измерения даты для своих данных API. Данные через API фактически являются показателями времени жизни. Любой, кроме Instagram, предоставляющий подробные ежедневные метрики, получает информацию об активности, а не о явной активности за конкретную дату из API.

    Надеюсь, Instagram обновит API, чтобы предоставлять более подробные аналитические данные. Это еще одна причина, по которой мы ожидаем перехода к стандартным ставкам заработной платы в следующем году, а не к простым бартерным транзакциям.

    Кажется, каждый год создаются новые социальные сети. Некоторые процветают, некоторые, такие как Цу, отступают и в конце концов умирают. По мере увеличения пропускной способности все больше и больше пользователей социальных сетей получили возможность делиться визуальными медиа.

    Старым сетям, таким как Facebook и Twitter, пришлось адаптироваться, чтобы стать более наглядными.

    Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам

    Источник: mediakix Другие социальные сети, специализирующиеся на обмене изображениями и видео, процветают.Что касается видео, YouTube остается доминирующим (хотя Facebook сильно продвинул свой видеоконтент). Когда дело доходит до статических изображений и фотографий, борьба ведется. Две из самых больших историй успеха — это Instagram и Snapchat.

    Обе сети были успешными площадками для маркетинга влияния, и, вероятно, так будет и в этом году.

    Однако существует некоторая степень совпадения между целевыми аудиториями обеих этих платформ. Snapchat нацелен на более молодых подписчиков, чем Instagram, но это не означает, что поколение Z не является активным подписчиком Instagram.

    Однако мы видим больше знаменитостей и влиятельных лиц в Instagram, чем в Snapchat, и эта тенденция, вероятно, сохранится.

    В то время как исчезающие фотографии Snapchat предлагают некоторые интригующие, инновационные возможности для влиятельного маркетинга, вероятно, есть больше возможностей для использования изображений Instagram, которые продолжают оставаться видимыми. B2B часто является уродливым уклонением от интернет-маркетинга, но это очень важный сектор, и он быстро расширяется.

    Вы не очень часто видите знаменитостей, участвующих в маркетинге B2B, но B2B на самом деле очень ориентирован на традиционный органический маркетинг влияния.Довольно много компаний участвуют в контент-маркетинге, создавая блоги и другие статьи, обучая и информируя другие фирмы, заинтересованные в их продуктах.

    Como probar transistores de la serie 13003 a 13007 (primera parte)